RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
FJNS3202RTA	-	RFQ	5508	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			通过洞	TO-226-3，TO-92-3		FJNS32		300兆	TO-92S	-	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0075	3,000																										50 V	100 ma	100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	250 MHz	10 kohms	10 kohms
MM3Z3V3B	1.0000	RFQ	5106	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F		MM3Z3V3		200兆	SOD-323F	下载				Ear99	8541.10.0050	1																				1 V @ 10 mA		4.5 µA @ 1 V							3.3 v	89欧姆
FDS6912	0.9000	RFQ	79	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		FDS69	MOSFET （金属 o化物）	2W（TA）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	2,500	2 n 通道（双）						30V	6a（6a）		28mohm @ 6a，10v	3V @ 250µA	10NC @ 5V		740pf @ 15V	逻辑级别门
BDX34A	0.3000	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				70 W	TO-220-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	1,070																										60 V	10 a	500µA			PNP	2.5V @ 8mA，4a	750 @ 4A，3V	-
FDPF13N50FT	1.0200	RFQ	27	Fairchild半导体	Unifet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载				Ear99	8542.39.0001	293			n通道				500 v	12A（TC）	10V	540MOHM @ 6A，10V	5V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±30V	1930 pf @ 25 V	-	42W（TC）
FSBS3CH60	11.9400	RFQ	25	Fairchild半导体	motionspm®3	大部分	积极的			通过洞	27-PowerDip 模块（1.205英寸，30.60mm）	IGBT	FSBS3				下载	rohs3符合条件	3（168））	到达受影响	Ear99	8542.39.0001	1	3期			3 a	600 v	2500vrms
FDS6294	0.4500	RFQ	27	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		FDS62	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载				Ear99	8542.39.0001	1			n通道				30 V	13A（TA）	4.5V，10V	11.3MOHM @ 13A，10V	3V @ 250µA	14 NC @ 5 V	±20V	1205 pf @ 15 V	-	（3W）（TA）
SSI7N60BTU	0.3900	RFQ	964	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	1			n通道				600 v	7A（TC）	10V	1.2OHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±30V	1800 pf @ 25 V	-	3.13W（ta），147W（tc）
RURP860_NL	-	RFQ	2564	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	TO-220-2			标准		TO-220-2	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																600 v		1.5 V @ 8 A	70 ns	100 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	8a	-
HUF76132S3ST	0.9800	RFQ	9	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	800			n通道				30 V	75A（TC）	4.5V，10V	11mohm @ 75a，10v	3V @ 250µA	52 NC @ 10 V	±20V	1650 pf @ 25 V	-	120W（TC）
ISL9N310AP3	0.3900	RFQ	3	Fairchild半导体	Ultrafet®	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1			n通道				30 V	62A（TC）	4.5V，10V	10ohm @ 62a，10a	3V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±20V	1800 pf @ 15 V	-	70W（TA）
HUF75631SK8	0.9500	RFQ	4	Fairchild半导体	Ultrafet®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1			n通道				100 v	5.5A（ta）	10V	39mohm @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	79 NC @ 20 V	±20V	1225 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
HUF76143S3	0.7500	RFQ	4	Fairchild半导体	-	大部分	积极的										下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	1
HUF76113SK8	0.5500	RFQ	1	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-VFSOP （0.091英寸，2.30mm）			MOSFET （金属 o化物）		US8	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1			n通道				30 V	6.5A（TA）	4.5V，10V	30mohm @ 6.5a，10v	3V @ 250µA	21 NC @ 10 V	±20V	585 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
HUF76129D3ST	0.5200	RFQ	42	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252-3（DPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	1			n通道				30 V	20A（TC）	4.5V，10V	16mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±20V	1425 PF @ 25 V	-	105W（TC）
2N4126	0.0200	RFQ	75	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				625兆	到92	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0075	1																										25 v	200 ma	50NA（iCBO）			PNP	400mv @ 5mA，50mA	120 @ 2mA，1V	250MHz
MPSA14D26Z	-	RFQ	9603	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	2,000																										30 V	1.2 a	100NA（ICBO）			npn-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	20000 @ 100mA，5V	125MHz
FFA30U20DNTU	1.0000	RFQ	6455	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	TO-3P-3，SC-65-3			标准		to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）															1对普通阴极	200 v	30a	1.2 V @ 30 A	40 ns	30 µA @ 200 V	-65°C〜150°C
IRFS530a	0.4500	RFQ	4	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	1			n通道				100 v	10.7A（TC）	10V	110MOHM @ 5.35a，10V	4V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±20V	790 pf @ 25 V	-	32W（TC）
IRFS520A	0.3400	RFQ	2724	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	640			n通道				100 v	7.2A（TC）	10V	200mohm @ 3.6a，10v	4V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	480 pf @ 25 V	-	28W（TC）
irfi630btu	0.2300	RFQ	3	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1			n通道				200 v	9A（TC）	10V	400MOHM @ 4.5A，10V	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±30V	720 PF @ 25 V	-	3.13W（ta），72W（tc）
FDU6644	1.4800	RFQ	41	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK			MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	204			n通道				30 V	67a（ta）	4.5V，10V	8.5mohm @ 16a，10v	3V @ 250µA	35 NC @ 5 V	±16V	3087 PF @ 15 V	-	1.6W（TA）
IRFW730BTMNL	0.5900	RFQ	49	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	不适用	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	800			n通道				400 v	5.5A（TC）	10V	1OHM @ 2.75a，10V	4V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±30V	1000 pf @ 25 V	-	3.13W（TA），73W（tc）
HUF76113T3ST	0.5500	RFQ	34	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）		SOT-223-4	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道				30 V	4.7a（ta）	4.5V，10V	31MOHM @ 4.7A，10V	3V @ 250µA	20.5 NC @ 10 V	±20V	625 pf @ 25 V	-	1.1W（TA）
ksp2222a	-	RFQ	5922	Fairchild半导体	*	大部分	积极的										-	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0075	1
KSC2330YH2TA	0.2100	RFQ	10	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）				1 w	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0075	1																										300 v	100 ma	100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 1mA，10mA	120 @ 20mA，10v	50MHz
HUF75344P3_NL	1.1800	RFQ	312	Fairchild半导体	Ultrafet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1			n通道				55 v	75A（TC）	10V	8mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	210 NC @ 20 V	±20V	3200 PF @ 25 V	-	285W（TC）
irfu130atu	0.4100	RFQ	8	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	1			n通道				100 v	13A（TC）	10V	110mohm @ 6.5a，10v	4V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±20V	790 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），41W（TC）
BC857C	0.0700	RFQ	6936	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BC857		250兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0075	3,000																										45 v	100 ma	15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	100MHz
IRFW520ATM	0.4000	RFQ	774	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	774			n通道				100 v	9.2A（TC）	10V	200mohm @ 4.6A，10V	4V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	480 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），45W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²