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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
FDB8445-F085	1.0000	RFQ	7636	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	不适用				Ear99	8541.29.0095	800			n通道	40 V	70A（TC）	10V	9MOHM @ 70A，10V	4V @ 250µA	62 NC @ 10 V	±20V	3805 PF @ 25 V	-	92W（TC）
FQU1N50TU	0.1700	RFQ	2	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	5,040			n通道	500 v	1.1A（TC）	10V	9ohm @ 550mA，10v	5V @ 250µA	5.5 NC @ 10 V	±30V	150 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SFM9110TF	0.4800	RFQ	4	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		MOSFET （金属 o化物）		SOT-223-4	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	4,000			P通道	100 v	1A（1A）	10V	1.2OHM @ 500mA，10V	4V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±30V	335 pf @ 25 V	-	2.52W（TA）
BZX84C8V2	0.0200	RFQ	47	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±2％	-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZX84C8		300兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000															900 mv @ 10 ma		700 na @ 5 V							8.2 v	15欧姆
BSS138L	-	RFQ	1985	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载					Ear99	8541.21.0095	1			n通道	50 V	200ma（ta）	2.75V，5V	3.5OHM @ 200mA，5V	1.5V @ 1mA	2.4 NC @ 10 V	±20V	50 pf @ 25 V	-	350MW（TA）
HUF75545S3ST_NL	-	RFQ	9240	Fairchild半导体	Ultrafet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		TO-263AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道	80 V	75A（TC）	10V	10mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	235 NC @ 20 V	±20V	3750 PF @ 25 V	-	270W（TC）
FDZ294N	0.9600	RFQ	53	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	9-vfbga		MOSFET （金属 o化物）		9-BGA（1.5x1.6）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道	20 v	6a（6a）	2.5V，4.5V	23mohm @ 6a，4.5V	1.5V @ 250µA	10 NC @ 4.5 V	±12V	670 pf @ 10 V	-	1.7W（TA）
SI3454DV	-	RFQ	9310	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6		MOSFET （金属 o化物）		SuperSot™-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	671			n通道	30 V	4.2A（ta）	4.5V，10V	65mohm @ 4.2A，10V	2V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	460 pf @ 15 V	-	800MW（TA）
KST14MTF	0.0300	RFQ	287	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	KST14		350兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000																					30 V	300 MA	100NA（ICBO）			npn-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	20000 @ 100mA，5V	125MHz
1N5256B	1.8600	RFQ	221	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±0.5％	-	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5256		500兆	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	162															900 mv @ 200 ma		100 na @ 23 V							30 V	49欧姆
FCP600N60Z	1.1600	RFQ	781	Fairchild半导体	SuperFet®II	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载					Ear99	8542.39.0001	258			n通道	600 v	7.4A（TC）	10V	600MOHM @ 3.7A，10V	3.5V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±20V	1120 PF @ 25 V	-	89W（TC）
FDMS6673BZ	1.0000	RFQ	9931	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载					Ear99	8542.39.0001	1			P通道	30 V	15.2A（TA），28a （TC）	4.5V，10V	6.8mohm @ 15.2a，10v	3V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±25V	5915 pf @ 15 V	-	2.5W（ta），73W（tc）
KSA614Y	-	RFQ	5342	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	KSA614		25 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1																					55 v	3 a	50µA（ICBO）			PNP	500mv @ 100mA，1a	120 @ 500mA，5V	-
NDH832P	0.3700	RFQ	73	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tsop （0.130英寸，3.30mm）		MOSFET （金属 o化物）		Supersot™-8	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道	20 v	4.2A（ta）	2.7V，4.5V	60mohm @ 4.2A，4.5V	1V @ 250µA	30 NC @ 4.5 V	-8V	1000 pf @ 10 V	-	1.8W（TA）
FDS9412	0.2700	RFQ	116	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	30 V	7.9a（ta）	4.5V，10V	22mohm @ 7.9a，10v	2V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	830 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
FLZ16VC	0.0200	RFQ	25	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	15,000															1.2 V @ 200 ma		133 na @ 12 V							16.1 v	15.2欧姆
2N6520TA	1.0000	RFQ	5741	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2N6520		625兆	TO-92-3	下载						0000.00.0000	1																					350 v	500 MA	50NA（iCBO）			PNP	1V @ 5mA，50mA	20 @ 50mA，10v	200MHz
FDW2507N	0.5100	RFQ	28	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	FDW25	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	8-tssop	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）			20V	7.5a		19mohm @ 7.5a，4.5V	1.5V @ 250µA	28nc @ 4.5V		2152pf @ 10V	逻辑级别门
FDS6892A	0.5600	RFQ	66	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS68	MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-SOIC	下载					Ear99	8541.21.0095	1	2 n 通道（双）			20V	7.5a		18mohm @ 7.5a，4.5V	1.5V @ 250µA	17nc @ 4.5V		1333pf @ 10V	逻辑级别门
KSE3055T	1.0000	RFQ	8145	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			600兆	TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	200																					60 V	10 a	700µA			NPN	8V @ 3.3a，10a	20 @ 4A，4V	2MHz
MM5Z18V	0.0200	RFQ	74	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±6％	-55°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523F			200兆	SOD-523F	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-MM5Z18V-600039			1																	50 NA @ 12.6 V							18 V	45欧姆
1N759A	1.9300	RFQ	91	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	156															1.5 V @ 200 ma		100 na @ 1 V							12 v	30欧姆
FDS7064N	1.2700	RFQ	65	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	30 V	16A（TA）	4.5V	7.5MOHM @ 16a，4.5V	2V @ 250µA	48 NC @ 4.5 V	±12V	3355 pf @ 15 V	-	（3W）（TA）
FCH125N60E	1.0000	RFQ	7379	Fairchild半导体	SuperFet®II	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载					Ear99	8541.29.0095	1			n通道	600 v	29A（TC）	10V	125mohm @ 14.5A，10V	3.5V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±20V	2990 pf @ 380 V	-	278W（TC）
HUFA76409T3ST	0.5200	RFQ	21	Fairchild半导体	*	大部分	积极的					HUFA76409	-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	2,500												-
EGF1D	1.0000	RFQ	9952	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	do-214ac，SMA		标准		DO-214AC（SMA）	下载					Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												200 v	1 V @ 1 A	50 ns	10 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
RF1K4915696	0.8200	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	365			n通道	30 V	6.3a（ta）	5V	30mohm @ 6.3a，5v	2V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±10V	2030 pf @ 25 V	-	2W（TA）
KSR1101MTF	0.0700	RFQ	31	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	KSR1101		200兆	SOT-23	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000																					50 V	100 ma	100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	20 @ 10mA，5v	250 MHz	4.7科姆斯	4.7科姆斯
2N4403TF	0.0400	RFQ	14	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			625兆	TO-92-3	下载					Ear99	8541.21.0075	7,991																					40 V	600 MA	-			PNP	750mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	200MHz
IRF654B	0.9600	RFQ	447	Fairchild半导体	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	到达受影响	2156-IRF654B-600039			1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²