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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
NDS9405	0.3700	RFQ	14	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道		20 v	4.3a（ta）	4.5V，10V	100mohm @ 2a，10v	3V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±20V	1425 pf @ 10 V	-	2.5W（TA）
FDPF390N15A	-	RFQ	8458	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	-				2156-FDPF390N15A			1			n通道		150 v	15A（TC）	10V	40mohm @ 15a，10v	4V @ 250µA	18.6 NC @ 10 V	±20V	1285 PF @ 75 V	-	22W（TC）
SFF9250L	0.6800	RFQ	9001	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3			MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	360			P通道		200 v	12.6a（TC）	5V	230mohm @ 6.3a，5v	2V @ 250µA	120 NC @ 5 V	±20V	3250 pf @ 25 V	-	90W（TC）
FQP3N90	0.5900	RFQ	22	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50			n通道		900 v	3.6A（TC）	10V	4.25OHM @ 1.8A，10V	5V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±30V	910 PF @ 25 V	-	130W（TC）
BAW56T	0.0200	RFQ	9154	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			表面安装	SOT-523	BAW56		标准		SOT-523	下载	不适用				Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度													1对公共阳极	85 v	75mA	1 V @ 50 mA	4 ns	2 µA @ 75 V	125°c （最大）
MM3Z30VC	0.0400	RFQ	12	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F				200兆	SOD-323F	下载					Ear99	8541.10.0050	8,013																		1 V @ 10 mA		45 NA @ 21 V												30 V	75欧姆
FDS6892AZ	0.8800	RFQ	10	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS68		MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	2,500	2 n 通道（双）				20V	7.5a		18mohm @ 7.5a，4.5V	1.5V @ 250µA	17nc @ 4.5V		1286pf @ 10V	逻辑级别门
FDP5690	1.4100	RFQ	5	Fairchild半导体	PowerTrench®	管子	过时的		-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	400			n通道		60 V	32A（TC）	6V，10V	27mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±20V	1120 PF @ 25 V	-	58W（TC）
KSC945CYBU	0.0300	RFQ	5266	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				250兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	9,723																									50 V	150 ma					100NA（ICBO）			NPN	300mv @ 10mA，100mA	120 @ 1mA，6v	300MHz
FDBL86363-F085	-	RFQ	4937	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn			MOSFET （金属 o化物）		8-hpsof	-						0000.00.0000	1			n通道		80 V	240a（TC）	10V	2mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	169 NC @ 10 V	±20V	10 pf @ 40 V	-	357W（TJ）
ISL9V50363	-	RFQ	2337	Fairchild半导体	Ecospark®	管子	过时的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		逻辑		250 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	400				300V，1KOHM，5V																				-	390 v	46 a	1.6V @ 4V，10a	-	32 NC	- /10.8µs
FQPF5N60	-	RFQ	9157	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道		600 v	2.8A（TC）	10V	2ohm @ 1.4A，10V	5V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±30V	730 PF @ 25 V	-	40W（TC）
RFD20N03SM9A	-	RFQ	5837	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252-3（DPAK）	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-RFD20N03SM9A-600039			1			n通道		30 V	20A（TC）	10V	25mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	75 NC @ 20 V	±20V	1150 pf @ 25 V	-	90W（TC）
FDS6614A	0.8900	RFQ	25	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		30 V	9.3a（ta）	4.5V，10V	18mohm @ 9.3a，10V	3V @ 250µA	17 NC @ 5 V	±20V	1160 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
FDS8449	1.0000	RFQ	1906年	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-FDS8449-600039			1			n通道		40 V	7.6a（ta）	4.5V，10V	29MOHM @ 7.6A，10V	3V @ 250µA	11 NC @ 5 V	±20V	760 pf @ 20 V	-	2.5W（TA）
FCPF290N80	3.0800	RFQ	8	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FCPF290		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载					Ear99	8542.39.0001	98			n通道		800 v	17a（TC）	10V	290MOHM @ 8.5A，10V	4.5V @ 1.7mA	75 NC @ 10 V	±20V	3205 PF @ 100 V	-	40W（TC）
2N7052	0.0600	RFQ	5293	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	12																									100 v	1.5 a					200NA			npn-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	1000 @ 1A，5V	200MHz
RS1KFP	-	RFQ	8408	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			表面安装	SOD-123H	RS1K		标准		SOD-123HE	下载					Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														800 v		1.3 V @ 1.2 A	300 ns	5 µA @ 800 V	-55°C〜150°C	1.2a	18pf @ 0v，1MHz
NJVMJD45H11RLG-VF01	1.0000	RFQ	1181	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				1.75 w	DPAK	下载		供应商不确定	到达受影响	2156-NJVMJD45H11RLG-VF01-600039			1																									80 V	8 a					1µA			PNP	1V @ 400mA，8a	40 @ 4A，1V	90MHz
RURD620CCS9A	-	RFQ	9473	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			标准		TO-252，（-d-pak）	下载					Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1对普通阴极	200 v	6a	1 V @ 6 A	30 ns	100 µA @ 200 V	-65°C〜175°C
ISL9V5036S3ST	-	RFQ	2085	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101，Ecospark®	大部分	积极的		-40°C〜175°C	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		逻辑		250 w	D2PAK（TO-263）	-				2156-ISL9V5036S3ST			1				300V，1KOHM，5V															2.1 µs					-	390 v	46 a	1.6V @ 4V，10a	2.59mj（在）上，（9MJ off）	32 NC	- /10.8µs
SS9014CBU	0.0300	RFQ	108	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				450兆	TO-92-3	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-SS9014CBU-600039			1																									45 v	100 ma					500NA（ICBO）			NPN	300mv @ 5mA，100mA	200 @ 1mA，5V	270MHz
IRFP254B	0.6600	RFQ	14	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3			MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道		250 v	25A（TC）	10V	140MOHM @ 12.5A，10V	4V @ 250µA	123 NC @ 10 V	±30V	3400 PF @ 25 V	-	221W（TC）
KSH2955TF	0.1900	RFQ	83	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				1.75 w	D-pak	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-KSH2955TF-600039			1																									60 V	10 a					50µA			PNP	8V @ 3.3a，10a	20 @ 4A，4V	2MHz
BZX84C5V6	-	RFQ	6163	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆	SOT-23-3	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BZX84C5V6-600039			1																		900 mv @ 10 ma		1 µA @ 2 V												5.6 v	10欧姆
SSP45N20A	0.6800	RFQ	519	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规		到达不受影响	2156-SSP45N20A	Ear99	8541.29.0095	1			n通道		200 v	35A（TC）	10V	65mohm @ 17.5A，10V	4V @ 250µA	152 NC @ 10 V	±30V	3940 pf @ 25 V	-	175W（TC）
SFP9Z34	-	RFQ	2525	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	-	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50			P通道		60 V	18A（TC）	10V	140MOHM @ 7A，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±30V	1155 PF @ 25 V	-	82W（TC）
KSD471ACGTA	0.0600	RFQ	121	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				800兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1																									30 V	1 a					100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 100mA，1a	200 @ 100mA，1V	130MHz
FDU8796	0.4100	RFQ	502	Fairchild半导体	PowerTrench®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	75			n通道		25 v	35A（TC）	4.5V，10V	5.7MOHM @ 35A，10V	2.5V @ 250µA	52 NC @ 10 V	±20V	2610 PF @ 13 V	-	88W（TC）
tip111tu	1.0000	RFQ	7369	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				2 w	TO-220-3	下载					Ear99	8541.29.0095	1																									80 V	2 a					2mA			npn-达灵顿	2.5V @ 8mA，2a	1000 @ 1A，4V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²