RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
KSC2330YTA	0.0700	RFQ	221	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）		KSC2330		1 w		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1																											300 v	100 ma		100NA（ICBO）				NPN	500mv @ 1mA，10mA	120 @ 20mA，10v	50MHz
BZX79C4V3	0.0200	RFQ	167	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆		DO-35（do-204AH）	下载					Ear99	8541.10.0050	1																				1.5 V @ 100 ma		5 µA @ 1 V										4.3 v	90欧姆
BC556CTA	0.0200	RFQ	617	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				500兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,000																											65 v	100 ma		15NA（icbo）				PNP	650mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	150MHz
KSD1616ALTA	0.0600	RFQ	55	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		KSD1616		750兆w		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1																											60 V	1 a		100NA（ICBO）				NPN	300mv @ 50mA，1a	300 @ 100mA，2V	160MHz
FDMC8884	0.3300	RFQ	441	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn			MOSFET （金属 o化物）			8-mlp（3.3x3.3）	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-FDMC8884-600039			1			n通道				30 V	（9A）（15A）（15A）TC）	4.5V，10V	19mohm @ 9a，10v	2.5V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	685 pf @ 15 V	-	2.3W（TA），18W（tc）
KSB744AYSTU	0.1600	RFQ	21	Fairchild半导体	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3				1 w		TO-126-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0075	60																											60 V	3 a		1µA（ICBO）				PNP	2V @ 150mA，1.5a	160 @ 500mA，5V	45MHz
HUF76639S3ST-F085	-	RFQ	3591	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			d²pak（to-263）	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-HUF76639S3ST-F085-600039			1			n通道				100 v	51A（TC）	10V	26mohm @ 51a，10v	3V @ 250µA	86 NC @ 10 V	±16V	2400 PF @ 25 V	-	180W（TC）
KSA1201OTF	0.1400	RFQ	10	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA				1 w		SOT-89-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	4,000																											120 v	800 MA		100NA（ICBO）				PNP	1V @ 50mA，500mA	80 @ 100mA，5V	120MHz
FSB50450TB	6.4500	RFQ	360	Fairchild半导体	SPM®	管子	过时的			通过洞	23-PowerDip 模块（ 0.748“，19.00mm）	MOSFET						下载	rohs3符合条件				Ear99	8542.39.0001	15	3期			1.5 a	500 v	1500vrms
FQPF13N50T	-	RFQ	1468	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）			TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50			n通道				500 v	12.5A（TC）	10V	430mohm @ 6.25a，10V	5V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±30V	2300 PF @ 25 V	-	56W（TC）
bav20tr	-	RFQ	6030	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			标准			DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0070	30,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																200 v		1.25 V @ 200 ma	50 ns	100 na @ 200 V	175°c （最大）	200mA	5pf @ 0v，1MHz
FQP12N60	1.2500	RFQ	9	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道				600 v	10.5A（TC）	10V	700MOHM @ 5.3A，10V	5V @ 250µA	54 NC @ 10 V	±30V	1900 pf @ 25 V	-	180W（TC）
FFSH2065A	-	RFQ	9891	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	TO-247-2			SIC （碳化硅）			TO-247-2	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-FFSH2065A-600039			1		没有恢复t> 500mA（IO）																650 v		1.75 V @ 20 A	0 ns	200 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C	25a	1085pf @ 1V，100kHz
1N5391	0.0200	RFQ	77	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			通过洞	do-204ac，do-15，轴向			标准			do-15	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	4,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																50 V		1.4 V @ 1.5 A		5 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	1.5a	25pf @ 4V，1MHz
2N3904	0.0500	RFQ	9872	Fairchild半导体	-	托盘	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				625兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件			2156-2N3904-FS	Ear99	8541.21.0075	25																											40 V	200 MA		50NA				NPN	300mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	300MHz
FEP16CT	0.4700	RFQ	90	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3			标准			TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）															1对普通阴极	150 v	16a	950 MV @ 8 A	35 ns	10 µA @ 150 V	-55°C〜150°C
FDFMA2P853	0.3600	RFQ	22	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-vdfn裸露的垫子			MOSFET （金属 o化物）			6-microfet（2x2）	下载					Ear99	8542.39.0001	1			P通道				20 v	3A（3A）	1.8V，4.5V	120MOHM @ 3A，4.5V	1.3V @ 250µA	6 NC @ 4.5 V	±8V	435 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	1.4W（TA）
Bay73	1.0000	RFQ	7722	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			标准			DO-35（do-204AH）	下载					Ear99	8541.10.0070	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																125 v		1 V @ 200 MA	1 µs	5 na @ 100 V	175°c （最大）	500mA	8pf @ 0v，1MHz
1N5234B	0.0300	RFQ	542	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞					500兆		-	下载					Ear99	8541.10.0050	11,539																						5 µA @ 4 V										6.2 v	7欧姆
BC547ATA	0.0300	RFQ	15	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				500兆		TO-92-3	下载					Ear99	8541.21.0075	8,959																											45 v	100 ma		15NA（icbo）				NPN	600mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	300MHz
FQB3N60CTM	0.6100	RFQ	1	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	800			n通道				600 v	3A（TC）	10V	3.4OHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±30V	565 pf @ 25 V	-	75W（TC）
FJY3007R	0.0200	RFQ	15	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			表面安装	SC-89，SOT-490		FJY300		200兆		SOT-523F	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	15,000																											50 V	100 ma		100NA（ICBO）				npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	250 MHz	22 KOHMS	47科姆斯
1N4733ATR	0.0300	RFQ	5700	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向				1 w		DO-204AL（DO-41）	下载					Ear99	8541.10.0050	2,351																						10 µA @ 1 V										5.1 v	7欧姆
FDG410NZ	-	RFQ	3863	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363			MOSFET （金属 o化物）			SC-88 （SC-70-6）	下载					Ear99	8542.39.0001	1,787			n通道				20 v	2.2A（ta）	1.5V，4.5V	70MOHM @ 2.2a，4.5V	1V @ 250µA	7.2 NC @ 4.5 V	±8V	535 pf @ 10 V	-	420MW（TA）
1N4938TR	0.0200	RFQ	29	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			标准			DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0070	15,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																200 v		1 V @ 100 ma	50 ns	100 na @ 75 V	175°c （最大）	500mA	5pf @ 0v，1MHz
FMG1G400US60H	104.0200	RFQ	21	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块				1136 w	标准	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单身的																									-	600 v	400 a	2.7V @ 15V，400A	250 µA	不
FDI9409-F085	1.0600	RFQ	1	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）			i2pak（（TO-262）	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-FDI9409-F085-600039			1			n通道				40 V	80A（TC）	10V	3.8mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±20V	2980 pf @ 25 V	-	94W（TJ）
HUF75309D3ST_NL	0.4000	RFQ	4483	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	597			n通道				55 v	19a（tc）	10V	70mohm @ 19a，10v	4V @ 250µA	24 NC @ 20 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	55W（TC）
FDZ293P	0.2400	RFQ	50	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	9-vfbga			MOSFET （金属 o化物）			9-BGA（1.5x1.6）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道				20 v	4.6a（ta）	2.5V，4.5V	46MOHM @ 4.6A，4.5V	1.5V @ 250µA	11 NC @ 4.5 V	±12V	754 pf @ 10 V	-	1.7W（TA）
NDB6030L	1.7200	RFQ	580	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			TO-263AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道				30 V	52A（TC）	4.5V，10V	13.5MOHM @ 26a，10v	3V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±16V	1350 pf @ 15 V	-	75W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²