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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
SSN1N45BBU	0.1900	RFQ	110	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			MOSFET （金属 o化物）		TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	10,000			n通道			450 v	500mA（TC）	10V	4.25ohm @ 250mA，10V	3.7V @ 250µA	8.5 NC @ 10 V	±50V	240 pf @ 25 V	-	900MW（TA）
BZX55C2V4	1.0000	RFQ	7733	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±6％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	1,000																	1.3 V @ 100 mA		50 µA @ 1 V													2.4 v	85欧姆
SGS6N60UFTU	-	RFQ	8775	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		标准		22 W	TO-220F	-				2156-SGS6N60UFTU			1				300V，3A，80OHM，15V																			-	600 v	6 a	25 a	2.6V @ 15V，3A	（57µJ）（在），25µJ（25µJ）中	15 NC	15NS/60NS
FDB8870-F085	0.9800	RFQ	5	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	不适用	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道			30 V	（23A）（TA），160a （TC）		3.9mohm @ 35a，10v	2.5V @ 250µA	132 NC @ 10 V	±20V	5200 PF @ 15 V	-	160W（TC）
PZTA92	-	RFQ	6774	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA				1 w	SOT-223（TO-261）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500																								300 v	500 MA						250NA（ICBO）			PNP	500mv @ 2mA，20mA	40 @ 10mA，10v	50MHz
KSC2883OTF	0.1500	RFQ	7	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA				1 w	SOT-89-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	4,000																								30 V	1.5 a						100NA（ICBO）			NPN	2V @ 30mA，1.5a	100 @ 500mA，2V	120MHz
FDS4770	2.6000	RFQ	14	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道			40 V	13.2a（ta）	10V	7.5MOHM @ 13.2A，10V	5V @ 250µA	67 NC @ 10 V	±20V	2819 PF @ 20 V	-	2.5W（TA）
flz9v1a	0.0200	RFQ	41	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80				500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	2,500																	1.2 V @ 200 ma		300 na @ 6 V													8.5 v	6.6欧姆
FQI5P10TU	0.4100	RFQ	3	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000			P通道			100 v	4.5A（TC）	10V	1.05OHM @ 2.25A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±30V	250 pf @ 25 V	-	3.75W（ta），40W（TC）
ES3D	-	RFQ	9738	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	DO-214AB，SMC			标准		SMC（do-214ab）	下载					Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														200 v	900 mv @ 3 a	20 ns	5 µA @ 200 V	-50°C〜150°C	3a	-
FDMS7572S	0.8400	RFQ	81	Fairchild半导体	PoterTrench®，SyncFet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道			25 v	23A（23A），49A （TC）	4.5V，10V	2.9MOHM @ 23A，10V	3V @ 1mA	45 NC @ 10 V	±20V	2780 pf @ 13 V	-	2.5W（ta），46W（TC）
HUFA76639S3S	0.6700	RFQ	9021	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	353			n通道			100 v	51A（TC）	4.5V，10V	26mohm @ 51a，10v	3V @ 250µA	86 NC @ 10 V	±16V	2400 PF @ 25 V	-	180W（TC）
KSC5321	0.2400	RFQ	48	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	KSC532				TO-220-3	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1																															100µA（ICBO）			NPN	1V @ 600mA，3a	15 @ 600mA，5V	14MHz
FCPF850N80Z	-	RFQ	6852	Fairchild半导体	SuperFet®II	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FCPF850		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道			800 v	6A（TC）	10V	850MOHM @ 3A，10V	4.5V @ 600µA	29 NC @ 10 V	±20V	1315 PF @ 100 V	-	28.4W（TC）
FDZ2554PZ	0.6400	RFQ	11	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	18-WFBGA	FDZ25		MOSFET （金属 o化物）	2.1W	18-BGA（2.5x4）	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）					20V	6.5a		28mohm @ 6.5a，4.5V	1.5V @ 250µA	21nc @ 4.5V		1430pf @ 10V	逻辑级别门
RFD14LN05SM	0.2400	RFQ	5	Fairchild半导体	*	大部分	积极的					RFD14		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1														-
SI4963DY	0.6300	RFQ	40	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4963		MOSFET （金属 o化物）	900MW（TA）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	1	2（p 通道（双）					20V	6.2a（ta）		33mohm @ 6.2a，4.5V	1.5V @ 250µA	20NC @ 4.5V		1456pf @ 10V	-
1N758ATR	0.0500	RFQ	101	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	10,000																	1.5 V @ 200 ma		100 na @ 1 V													10 v	17欧姆
FQPF46N15	1.2400	RFQ	6	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			150 v	25.6A（TC）	10V	42MOHM @ 12.8A，10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±25V	3250 pf @ 25 V	-	66W（TC）
BZX85C15-T50A	0.0300	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±6％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	BZX85C15			1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	11,095																	1.2 V @ 200 ma		500 NA @ 10.5 V													15 v	15欧姆
MPSH17	0.0600	RFQ	42	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	MPSH17			350MW	TO-92-3	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	2,000					24dB																			15V	-									NPN		25 @ 5mA，10v	800MHz			6DB @ 200MHz
ISL9N308AD3	0.3300	RFQ	69	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道			30 V	50A（TC）	4.5V，10V	8mohm @ 50a，10v	3V @ 250µA	68 NC @ 10 V	±20V	2600 PF @ 15 V	-	100W（TC）
FJY4004R	0.0200	RFQ	15	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			表面安装	SC-89，SOT-490	FJY400			200兆	SOT-523F	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	15,000																								50 V	100 ma						100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	200 MHz	47科姆斯	47科姆斯
FDMS7620	1.0000	RFQ	5147	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	FDMS7620		MOSFET （金属 o化物）	1W	Power56	下载					Ear99	8542.39.0001	1	2 n 通道（双）					30V	10.1a，12.4a		20mohm @ 10.1a，10v	3V @ 250µA	11NC @ 10V		608pf @ 15V	逻辑级别门
SI4435DY	-	RFQ	7057	Fairchild半导体	Hexfet®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载					Ear99	8541.29.0095	1			P通道			30 V	8A（TC）	4.5V，10V	20mohm @ 8a，10v	1V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	2320 PF @ 15 V	-	2.5W（TA）
BZX79C13	0.0200	RFQ	20	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	1,000																	1.5 V @ 100 ma		100 na @ 8 V													13 V	30欧姆
1N5999B	3.4100	RFQ	21	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	96																	1.2 V @ 200 ma		100 na @ 7 V													9.1 v	10欧姆
FQB11P06TM	0.7200	RFQ	814	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载					Ear99	8542.39.0001	1			P通道			60 V	11.4A（TC）	10V	175MOHM @ 5.7A，10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±25V	550 pf @ 25 V	-	3.13W（ta），53W（tc）
MM3Z36VC	0.0300	RFQ	24	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F				200兆	SOD-323F	下载					Ear99	8541.10.0050	11,539																	1 V @ 10 mA		45 NA @ 25.2 V													36 V	84欧姆
MMBT2907-D87Z	0.0300	RFQ	494	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				350兆	SOT-23-3	下载	不适用				Ear99	8541.21.0095	10,000																								40 V	800 MA						20NA（ICBO）			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²