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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
MMBD7000	0.0300	RFQ	5507	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBD70	标准		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	580		小信号= <200ma（io（io），任何速度												1对系列连接	100 v	200mA	1.1 V @ 100 mA	4 ns	500 NA @ 100 V	150°C （最大）
IRFR120	0.4200	RFQ	990	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载		供应商不确定	到达受影响	2156-IRFR120-600039			1			n通道	100 v	7.7A（TC）	10V	270MOHM @ 4.6A，10V	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
HUF753443	-	RFQ	3937	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-HUF75344P3-600039			1			n通道	55 v	75A（TC）	10V	8mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	210 NC @ 20 V	±20V	3200 PF @ 25 V	-	285W（TC）
FDP023N08B-F102	-	RFQ	3201	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	-				2156-FDP023N08B-F102			1			n通道	75 v	120A（TC）	10V	2.35mohm @ 75a，10v	3.8V @ 250µA	195 NC @ 10 V	±20V	13765 PF @ 37.5 V	-	245W（TC）
FQH44N10-F133	-	RFQ	4726	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-247	-				2156-FQH44N10-F133			1			n通道	100 v	48A（TC）	10V	39mohm @ 24A，10V	4V @ 250µA	62 NC @ 10 V	±25V	1800 pf @ 25 V	-	180W（TC）
FDMS7680	-	RFQ	1255	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道	30 V	（14a）（28a）（28a tc）	4.5V，10V	6.9MOHM @ 14A，10V	3V @ 250µA	28 NC @ 10 V	±20V	1850 pf @ 15 V	-	2.5W（TA），33W（tc）
FDD6680AS	0.5200	RFQ	10	Fairchild半导体	PoterTrench®，SyncFet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载					Ear99	8541.29.0095	1			n通道	30 V	55A（ta）	4.5V，10V	10.5MOHM @ 12.5A，10V	3V @ 1mA	29 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 15 V	-	60W（TA）
J112	-	RFQ	4979	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			625兆	TO-92-3	下载						0000.00.0000	27			n通道								-															35 v	5 ma @ 15 V	1 V @ 1 µA				50欧姆
1N5244BTR	0.0300	RFQ	174	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载					Ear99	8541.10.0050	11,539																	1.2 V @ 200 ma		100 na @ 10 V											14 V	15欧姆
MMBF4093	-	RFQ	2715	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			350兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1			n通道								16pf @ 20V															40 V	8 ma @ 20 V	1 v @ 1 na				80欧姆
MM3Z47VB	0.0300	RFQ	11	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F			200兆	SOD-323F	下载					Ear99	8541.10.0050	11,600																	1 V @ 10 mA		45 NA @ 33 V											47 V	160欧姆
FQA9P25	-	RFQ	5041	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		MOSFET （金属 o化物）		to-3p	-						0000.00.0000	1			P通道	250 v	10.5A（TC）	10V	620MOHM @ 5.25a，10V	5V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±30V	1180 pf @ 25 V	-	150W（TC）
FDMC8015L	0.4100	RFQ	1325	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-mlp（3.3x3.3）	下载					Ear99	8541.29.0095	1			n通道	40 V	（7A）（ta），18A （TC）	4.5V，10V	26mohm @ 7a，10v	3V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	945 PF @ 20 V	-	2.3W（24W），24W tc）
FDP3632	-	RFQ	3103	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道	100 v	（12A）（ta），80a tc）	6V，10V	9MOHM @ 80A，10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	6000 pf @ 25 V	-	310W（TC）
FDB029N06	4.1400	RFQ	5	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载					Ear99	8542.39.0001	79			n通道	60 V	120A（TC）	10V	3.1MOHM @ 75A，10V	4.5V @ 250µA	151 NC @ 10 V	±20V	9815 PF @ 25 V	-	231W（TC）
FDD4141	-	RFQ	3202	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载						0000.00.0000	1			P通道	40 V	10.8A（ta），50a（tc）	4.5V，10V	12.3mohm @ 12.7a，10v	3V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	2775 PF @ 20 V	-	2.4W（TA），69W（tc）
提示49	0.4500	RFQ	6	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			40 W	TO-220-3	下载					Ear99	8541.29.0095	1																						350 v	1 a						1ma				NPN	1V @ 200mA，1a	30 @ 300mA，10v	10MHz
FDC6310P	-	RFQ	9172	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	FDC6310	MOSFET （金属 o化物）	700MW	SuperSot™-6	下载					Ear99	8542.39.0001	1	2（p 通道（双）			20V	2.2a		125mohm @ 2.2a，4.5V	1.5V @ 250µA	5.2nc @ 4.5V		337pf @ 10V	逻辑级别门
BZX85C7V5TR5K	0.0200	RFQ	3224	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	DO-204AL（DO-41）	下载					Ear99	8541.10.0050	1																	1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 4.5 V											7.5 v	3欧姆
FDMS7692A	-	RFQ	9891	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道	30 V	13.5A（TA），28a （TC）	4.5V，10V	8mohm @ 13a，10v	3V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	1350 pf @ 15 V	-	2.5W（27W），27W（TC）
1N4746A	0.0300	RFQ	66	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载					Ear99	8541.10.0050	9,779																	1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 13.7 V											18 V	20欧姆
HUF75345P3_NS2552	1.0000	RFQ	4961	Fairchild半导体	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
FDC604P	1.0000	RFQ	3775	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6		MOSFET （金属 o化物）		SuperSot™-6	下载					Ear99	8542.39.0001	1			P通道	20 v	5.5A（ta）	1.8V，4.5V	33mohm @ 5.5A，4.5V	1.5V @ 250µA	30 NC @ 4.5 V	±8V	1926 pf @ 10 V	-	1.6W（TA）
BC547CBU	0.0400	RFQ	10	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			500兆	TO-92-3	下载					Ear99	8541.21.0075	8,266																						45 v	100 ma						15NA（icbo）				NPN	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	300MHz
FCP260N60E	1.6600	RFQ	200	Fairchild半导体	SuperFet®II	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载					Ear99	8542.39.0001	200			n通道	600 v	15A（TC）	10V	260MOHM @ 7.5A，10V	3.5V @ 250µA	62 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 25 V	-	156W（TC）
FDD8896-F085	0.4500	RFQ	973	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道	30 V	17a（17a），94A（tc）	4.5V，10V	5.7MOHM @ 35A，10V	2.5V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	2525 PF @ 15 V	-	80W（TC）
J113	1.0000	RFQ	3356	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			625兆	TO-92-3	下载						0000.00.0000	1			n通道								-															35 v	2 ma @ 15 V	500 mV @ 1 µA				100欧姆
1N4756A	0.0300	RFQ	13	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜20°C	通过洞	轴向			1 w	轴向	下载					Ear99	8541.10.0050	1																			5 µA @ 35.8 V											47 V	80欧姆
MB8	0.1200	RFQ	6	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-269AA，4-Besop		标准		TO-269AA Minidil Slim	下载					Ear99	8541.10.0080	2,526																	1 V @ 400 MA		5 µA @ 800 V		500 MA			单相	800 v
GBPC1201	1.0000	RFQ	9896	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	QC终端	4平方英尺，GBPC		标准		GBPC	下载						0000.00.0000	1																	1.1 V @ 6 A		5 µA @ 100 V		12 a			单相	100 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²