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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
FDS6298	0.5200	RFQ	265	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	574			n通道		30 V	13A（TA）	4.5V，10V	9MOHM @ 13A，10V	3V @ 250µA	14 NC @ 5 V	±20V	1108 PF @ 15 V	-	（3W）（TA）
DFB2540	1.6400	RFQ	779	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，TS-6P			标准		TS-6P	下载					Ear99	8541.10.0080	183																1.1 V @ 25 A	10 µA @ 400 V		25 a										单相	400 v
MM3Z27VC	0.0300	RFQ	96	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F				200兆	SOD-323F	下载					Ear99	8541.10.0050	1																1 V @ 10 mA	45 na @ 18.9 V																		27 V	75欧姆
SS12	0.1100	RFQ	4	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	do-214ac，SMA	SS12		肖特基		SMA（do-214ac）	下载					Ear99	8541.10.0080	2,701		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													20 v	500 mv @ 1 A	200 µA @ 20 V	-65°C〜125°C	1a	-
FDMS3606S	-	RFQ	7384	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS3606		MOSFET （金属 o化物）	1W	8-pqfn（5x6）	下载					Ear99	8542.39.0001	1	2 n 通道（双）				30V	13a，27a		8mohm @ 13a，10v	2.7V @ 250µA	29nc @ 10V		1785pf @ 15V	逻辑级别门
FGA50S110P	1.5400	RFQ	45	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		标准		300 w	to-3pn	下载					Ear99	8542.39.0001	1				-																	沟渠场停止	1100 v	50 a	120 a	2.6V @ 15V，50a	-	195 NC	-
FCH76N60N	15.1300	RFQ	3	Fairchild半导体	Supremos™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载					Ear99	8541.29.0095	20			n通道		600 v	76A（TC）	10V	36mohm @ 38a，10v	4V @ 250µA	285 NC @ 10 V	±30V	12385 PF @ 100 V	-	543W（TC）
J105	-	RFQ	9982	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				625兆	TO-92-3	下载					Ear99	8541.21.0095	1			n通道									-																			25 v	500 ma @ 15 V	4.5 V @ 1 µA				3欧姆
2N7002VA	0.2800	RFQ	12	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	2N7002		MOSFET （金属 o化物）	250MW	SOT-563F	下载					Ear99	8541.21.0095	1,078	2 n 通道（双）				60V	280mA		7.5OHM @ 50mA，5V	2.5V @ 250µA	-		50pf @ 25V	逻辑级别门
GBPC1502W	3.0300	RFQ	516	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，GBPC-W			标准		GBPC-W	下载					Ear99	8541.10.0080	100																1.1 V @ 7.5 A	5 µA @ 200 V		15 a										单相	200 v
ISL9N7030BLS3ST	0.7300	RFQ	3	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	800			n通道		30 V	75A（TC）	4.5V，10V	9mohm @ 75a，10v	3V @ 250µA	68 NC @ 10 V	±20V	2600 PF @ 15 V	-	100W（TC）
FDFC3N108	0.4100	RFQ	98	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6			MOSFET （金属 o化物）		SuperSot™-6	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道		20 v	3A（3A）	2.5V，4.5V	70MOHM @ 3A，4.5V	1.5V @ 250µA	4.9 NC @ 4.5 V	±12V	355 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	-
SGR20N40LTM	1.2500	RFQ	2783	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SGR20	标准		45 W	TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	30				-																	沟	400 v		150 a	8V @ 4.5V，150a	-		-
FDN363N	0.1700	RFQ	53	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			MOSFET （金属 o化物）		SuperSot™-3	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道		100 v	1A（TC）	6V，10V	240MOHM @ 1A，10V	4V @ 250µA	5.2 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 25 V	-	500MW（TC）
FDMC15N06	-	RFQ	1274	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn			MOSFET （金属 o化物）		8-mlp（3.3x3.3）	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道		55 v	2.4A（TA），15a （TC）	10V	900mohm @ 15a，10v	4V @ 250µA	11.5 NC @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	2.3W（35W），35W（tc）
FQB44N10TM	1.0000	RFQ	8553	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道		100 v	43.5A（TC）	10V	39mohm @ 21.75a，10V	4V @ 250µA	62 NC @ 10 V	±25V	1800 pf @ 25 V	-	3.75W（TA），146W（tc）
FCPF260N65FL1	1.1400	RFQ	3	Fairchild半导体	FRFET®，SuperFet®II	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道		650 v	15A（TC）	10V	260MOHM @ 7.5A，10V	5V @ 1.5mA	60 NC @ 10 V	±20V	2340 pf @ 100 V	-	36W（TC）
TIP115TU	0.4500	RFQ	940	Fairchild半导体	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				2 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000																						60 V	2 a											2mA				pnp-达灵顿	2.5V @ 8mA，2a	1000 @ 1A，4V	-
FDMA8884	1.0000	RFQ	6776	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫			MOSFET （金属 o化物）		6-microfet（2x2）	下载					Ear99	8541.29.0095	1			n通道		30 V	6.5a（6），8a tc（8a tc）	4.5V，10V	23mohm @ 6.5a，10v	3V @ 250µA	7.5 NC @ 10 V	±20V	450 pf @ 15 V	-	1.9W（TA）
FDMS0348	0.2100	RFQ	63	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn			MOSFET （金属 o化物）		8-MLP（5x6）	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道		30 V	（14a）（35A）（35A）（TC）	4.5V，10V	7mohm @ 14a，10v	3V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±20V	1590 pf @ 15 V	-	2.5W（ta），50W（50W）（TC）
IRFR220BTM	0.1800	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,760			n通道		200 v	4.6A（TC）	10V	800MOHM @ 2.3a，10V	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±30V	390 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），40W（TC）
MJD340	-	RFQ	9109	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				1.56 w	DPAK	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	75																						300 v	500 MA											100µA				NPN	-	30 @ 50mA，10v	-
KSP06TA-FS	-	RFQ	1406	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				625兆	TO-92-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1																						80 V	500 MA											100NA				NPN	250mv @ 10mA，100mA	50 @ 100mA，1V	100MHz
HUF75329D3	0.6100	RFQ	1	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,800			n通道		55 v	20A（TC）	10V	26mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	65 NC @ 20 V	±20V	1060 pf @ 25 V	-	128W（TC）
GBPC1208W	2.5000	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，GBPC-W			标准		GBPC-W	下载					Ear99	8541.10.0080	1																1.1 V @ 6 A	5 µA @ 800 V		12 a										单相	800 v
SI4425DY	-	RFQ	9161	Fairchild半导体	PowerTrench™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道		30 V	11a（11a）	4.5V，10V	14mohm @ 11a，10v	3V @ 250µA	42 NC @ 5 V	±20V	3000 pf @ 15 V	-	1W（ta）
PN5434	0.1500	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				350兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	2,000			n通道									30pf @ 10V（vgs）																			25 v	30 ma @ 15 V	1 V @ 3 na				10欧姆
2N7002T	-	RFQ	2887	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-89，SOT-490	2N7002		MOSFET （金属 o化物）		SOT-523F	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道		60 V	115ma（ta）	5V，10V	7.5OHM @ 50mA，5V	2V @ 250µA		±20V	50 pf @ 25 V	-	200mw（ta）
IRF630BTSTU	-	RFQ	1443	Fairchild半导体	*	大部分	积极的					IRF630		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1													-
2n3904rlrah	0.0200	RFQ	140	Fairchild半导体	*	大部分	积极的										下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-2N3904RLRAH-600039			1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²