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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
SGH15N120RUFTU	3.9600	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	SGH15	标准		180 w	to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1			600V，15a，20欧姆，15V													-	1200 v	24 a	45 a	3V @ 15V，15a	108 NC	20N/60N
FDW2515NZ	0.3400	RFQ	165	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	FDW25		MOSFET （金属 o化物）	1.1W（TA）	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）公共排水			20V	5.8A（ta）		28mohm @ 5.8A，4.5V	1.5V @ 250µA	12nc @ 5V		745pf @ 10V	-
NDS9400	0.5600	RFQ	5	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道			2.5a	-	-	-		-		-	2W
FDD6670AL_NL	1.0900	RFQ	3	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		30 V	84a（ta）	4.5V，10V	5mohm @ 18a，10v	3V @ 250µA	56 NC @ 5 V	±20V	3845 pf @ 15 V	-	1.6W（TA）
FDP2710_SW82258	-	RFQ	2120	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		250 v	50A（TC）	10V	42.5MOHM @ 25a，10V	5V @ 250µA	101 NC @ 10 V	±30V	7280 pf @ 25 V	-	260W（TC）
RFP15N05L_NL	-	RFQ	1700	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		50 V	15A（TC）	5V	140mohm @ 15a，5v	2V @ 250µA		±10V	900 pf @ 25 V	-	60W（TC）
RF1S530SM9A	0.9600	RFQ	11	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		100 v	14A（TC）	10V	160MOHM @ 8.3a，10V	4V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	600 pf @ 25 V	-	79W（TC）
RFD16N05_NL	0.6400	RFQ	1	Fairchild半导体	PSPICE®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		50 V	16A（TC）	10V	47mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	80 NC @ 20 V	±20V	900 pf @ 25 V	-	72W（TC）
SI6955DQ	0.3700	RFQ	8	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6955		MOSFET （金属 o化物）	1W（ta）	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0095	1	2（p 通道（双）			30V	2.5a（ta）		85mohm @ 2.5a，10v	3V @ 250µA	15nc @ 10V		298pf @ 10V	-
SI9934DY	0.2400	RFQ	22	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI9934		MOSFET （金属 o化物）	900MW（TA）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0095	5,000	2（p 通道（双）			20V	5A（5A）		50mohm @ 5A，4.5V	1.5V @ 250µA	16nc @ 4.5V		1015pf @ 10V	-
SI4920DY	0.3700	RFQ	1	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4920		MOSFET （金属 o化物）	900MW（TA）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0095	2,500	2 n 通道（双）			30V	6a（6a）		28mohm @ 6a，10v	3V @ 250µA	13nc @ 5V		830pf @ 15V	逻辑级别门
FQB46N15TM	1.4100	RFQ	570	Fairchild半导体	QFET™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		150 v	45.6A（TC）	10V	42MOHM @ 22.8A，10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±25V	3250 pf @ 25 V	-	3.75W（ta），210W（tc）
IRFW710BTM	0.1800	RFQ	7738	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	1,600		n通道		400 v	2A（TC）	10V	3.4OHM @ 1A，10V	4V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±30V	330 pf @ 25 V	-	3.13W（TA），36W（TC）
IRFW644BTM	0.3400	RFQ	21	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		250 v	14A（TC）	10V	280MOHM @ 7A，10V	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±30V	1600 pf @ 25 V	-	3.13W（TA），139w（tc）
FDS3572_NL	2.9400	RFQ	126	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		80 V	8.9a（ta）	6V，10V	16mohm @ 8.9a，10v	4V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	1990 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
TIP31CTU	-	RFQ	1727年	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	提示31			2 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1																	100 v	3 a								300µA			NPN	1.2V @ 375mA，3a	10 @ 3A，4V	3MHz
MMBF4118	-	RFQ	2719	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBF41			225兆	SOT-23-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		n通道									3pf @ 10V												40 V	80 µA @ 10 V	1 v @ 1 na
BZX85C6V2	0.0300	RFQ	24	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向				1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1														1.2 V @ 200 ma	1 µA @ 3 V												6.2 v	4欧姆
FDME430NT	0.2200	RFQ	34	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-Powerufdfn			MOSFET （金属 o化物）		Microfet 1.6x1.6薄	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	5,000		n通道		30 V	6a（6a）		40mohm @ 6a，4.5V	1.5V @ 250µA	9 NC @ 4.5 V	±12V	760 pf @ 15 V	-	700MW（TA）
IRFR9110TF	0.3200	RFQ	10	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	2,000		P通道		100 v	3.1A（TC）	10V	1.2OHM @ 1.9a，10V	4V @ 250µA	8.7 NC @ 10 V	±20V	290 pf @ 25 V	-	25W（TC）
FDB9403	2.3100	RFQ	8	Fairchild半导体	*	大部分	积极的					FDB940		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	800												-
FJV3101RLIMTF	0.0200	RFQ	192	Fairchild半导体	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	3,000
ISL9N302AS3	1.9800	RFQ	400	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	积极的		-	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	ISL9		MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	1		n通道		30 V	75A（TC）	4.5V，10V	2.3MOHM @ 75A，10V	3V @ 250µA	300 NC @ 10 V	±20V	11000 PF @ 15 V	-	345W（TC）
FDMS0306S	0.2400	RFQ	12	Fairchild半导体	-	大部分	积极的					FDMS03					-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	3,000					-
FQPF13N50CTC003	-	RFQ	7243	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	1		n通道		500 v	13A（TJ）	10V	480MOHM @ 6.5A，10V	4V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±30V	2055 PF @ 25 V	-	48W（TC）
SFS9630YDTUAS001	0.2700	RFQ	9574	Fairchild半导体	*	大部分	积极的					SFS9630		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	800												-
FJX733YTF	0.0500	RFQ	85	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	FJX733			200兆	SC-70（SOT323）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	3,000																	50 V	150 ma								100NA（ICBO）			PNP	300mv @ 10mA，100mA	120 @ 1mA，6v	180MHz
HUF75637S3	1.5000	RFQ	6	Fairchild半导体	*	大部分	积极的					HUF75637		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	1												-
BZX85C18-T50R	0.0300	RFQ	27	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向				1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1														1.2 V @ 200 ma	500 NA @ 12.5 V												18 V	20欧姆
FDPF035N06B	1.1400	RFQ	178	Fairchild半导体	*	大部分	积极的					FDPF035		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	1												-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²