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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备软件包	数据表	Rohs状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电流 -io（io）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
flz33va	0.0200	RFQ	37	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80				500兆		SOD-80	下载	rohs3符合条件		Ear99	8541.10.0050	2,500														1.2 V @ 200 ma	133 na @ 25 V														30.5 v	55欧姆
HUF76419D3	0.2400	RFQ	4250	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）			我帕克	下载	rohs3符合条件		Ear99	8541.29.0095	1,140		n通道		60 V	20A（TC）	4.5V，10V	37mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	27.5 NC @ 10 V	±16V	900 pf @ 25 V	-	75W（TC）
FQPF4N20	0.2700	RFQ	15	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）			TO-220F-3	下载	rohs3符合条件		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		200 v	2.8A（TC）	10V	1.4OHM @ 1.4A，10V	5V @ 250µA	6.5 NC @ 10 V	±30V	220 pf @ 25 V	-	27W（TC）
HUFA75344S3ST	0.9500	RFQ	29	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		55 v	75A（TC）	10V	8mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	210 NC @ 20 V	±20V	3200 PF @ 25 V	-	285W（TC）
HGTG11N120CN	2.0400	RFQ	971	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		298 w		TO-247	下载	rohs3符合条件		Ear99	8541.29.0095	150			960V，11A，10欧姆，15V														npt	1200 v	43 a	80 a	2.4V @ 15V，11a	400µJ（在）上，1.3MJ（OFF）	100 NC	23ns/180ns
FQP16N25C	1.0100	RFQ	18	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		250 v	15.6A（TC）	10V	270MOHM @ 7.8A，10V	4V @ 250µA	53.5 NC @ 10 V	±30V	1080 pf @ 25 V	-	139W（TC）
KBP02M	-	RFQ	4835	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C〜165°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbpm			标准			kbpm	下载	rohs3符合条件		Ear99	8541.10.0080	30														1 V @ 1 A	5 µA @ 200 V	1.5 a									单相	200 v
SFM9014TF	0.5300	RFQ	3	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）			SOT-223-4	下载	rohs3符合条件		Ear99	8541.29.0095	4,000		P通道		60 V	1.8A（ta）	10V	500mohm @ 900mA，10v	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±30V	350 pf @ 25 V	-	2.8W（ta）
KBP01M	0.4800	RFQ	2866	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C〜165°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbpm			标准			kbpm	下载	rohs3符合条件		Ear99	8541.10.0080	207														1 V @ 1 A	5 µA @ 100 V	1.5 a									单相	100 v
3N249	-	RFQ	8176	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C〜165°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbpm			标准			kbpm	-	rohs3符合条件		Ear99	8541.10.0080	30														1 V @ 1 A	5 µA @ 400 V	1.5 a									单相	400 v
FQAF6N80	1.6000	RFQ	892	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3			MOSFET （金属 o化物）			to-3pf	下载	rohs3符合条件		Ear99	8541.29.0095	360		n通道		800 v	4.4A（TC）	10V	1.95OHM @ 2.2a，10V	5V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±30V	1500 pf @ 25 V	-	90W（TC）
IRL610a	0.1900	RFQ	1	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件		Ear99	8541.29.0095	1,744		n通道		200 v	3.3A（TC）	5V	1.5OHM @ 1.65a，5V	2V @ 250µA	9 NC @ 5 V	±20V	240 pf @ 25 V	-	33W（TC）
FDFS2P103	0.4300	RFQ	29	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-SOIC	下载	rohs3符合条件		Ear99	8541.21.0095	2,500		P通道		30 V	5.3a（ta）	4.5V，10V	59MOHM @ 5.3A，10V	3V @ 250µA	8 nc @ 5 V	±25V	528 pf @ 15 V	Schottky 二极管（孤立）	900MW（TA）
FDZ209N	0.8700	RFQ	20	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	12-WFBGA			MOSFET （金属 o化物）			12-bga （2x2.5）	下载	rohs3符合条件		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		60 V	4A（ta）	5V	80mohm @ 4A，5V	3V @ 250µA	9 NC @ 5 V	±20V	657 PF @ 30 V	-	2W（TA）
FDG6302P	0.2300	RFQ	257	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	FDG6302		MOSFET （金属 o化物）	300MW		SC-88 （SC-70-6）	下载	rohs3符合条件		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）			25V	140mA		10ohm @ 140mA，4.5V	1.5V @ 250µA	0.31NC @ 4.5V		12pf @ 10V	逻辑级别门
KSA733Clta	0.0200	RFQ	18	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				250兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件		Ear99	8541.21.0075	2,000																		50 V	150 ma								100NA（ICBO）				PNP	300mv @ 10mA，100mA	350 @ 1mA，6v	180MHz
FDMS2506SDC	1.8400	RFQ	3	Fairchild半导体	Dual Cool™，PowerTrench®，SyncFet™	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）			8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		25 v	39A（ta），49a（tc）	4.5V，10V	1.45MOHM @ 30a，10V	3V @ 1mA	93 NC @ 10 V	±20V	5945 pf @ 13 V	-	3.3W（TA），89w（tc）
1N4729ATR	0.0700	RFQ	28	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向				1 w		DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件		Ear99	8541.10.0050	3,000															100 µA @ 1 V														3.6 v	10欧姆
irli610atu	0.1600	RFQ	3	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）			i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		200 v	3.3A（TC）	5V	1.5OHM @ 1.65a，5V	2V @ 250µA	9 NC @ 5 V	±20V	240 pf @ 25 V	-	3.1W（TA），33W（tc）
FMG2G200US60	30.6500	RFQ	8206	Fairchild半导体	-	盒子	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	晚上7点				695 w	标准	晚上7点	-	rohs3符合条件	2156-FMG2G200US60-FS	Ear99	8541.29.0095	10	半桥																-	600 v	200 a		2.7V @ 15V，200a						250 µA	不
FGPF30N30TTU	0.8400	RFQ	5	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		标准		44.6 w		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件		Ear99	8541.29.0095	50			200V，20a，20 ohm，15v														沟	300 v		80 a	1.5V @ 15V，10A	-	65 NC	22NS/130NS
FLZ18VB	0.0200	RFQ	28	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80				500兆		SOD-80	下载	rohs3符合条件		Ear99	8541.10.0050	15,000														1.2 V @ 200 ma	133 na @ 13 V														17.3 v	19.4欧姆
FDN361AN	-	RFQ	8410	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			MOSFET （金属 o化物）			SOT-23-3	下载	rohs3符合条件		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道		30 V	1.8A（ta）	4.5V，10V	100mohm @ 1.8A，10V	3V @ 250µA	4 NC @ 5 V	±20V	220 pf @ 15 V	-	500MW（TA）
FGH75N60SFTU	-	RFQ	1451	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		452 w		TO-247	下载	rohs3符合条件		Ear99	8541.29.0095	450			400V，75a，3ohm，15V														现场停止	600 v	150 a	225 a	2.9V @ 15V，75a	2.7MJ（在）上，1MJ（1MJ）	250 NC	26NS/138NS
HUF75344S3ST	0.6700	RFQ	41	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		55 v	75A（TC）	10V	8mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	210 NC @ 20 V	±20V	3200 PF @ 25 V	-	285W（TC）
KSA642GBU	0.0200	RFQ	6342	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				400兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件		Ear99	8541.21.0095	2,726																		25 v	300 MA								100NA（ICBO）				PNP	600mv @ 30mA，300mA	200 @ 50mA，1V	-
FDP5N50	0.5300	RFQ	1	Fairchild半导体	Unifet™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		500 v	5A（TC）	10V	1.4OHM @ 2.5A，10V	5V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±30V	640 pf @ 25 V	-	85W（TC）
SGR15N40LTF	-	RFQ	2207	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SGR15	标准		45 W		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件		Ear99	8541.29.0095	2,000			-														沟	400 v		130 a	8V @ 4.5V，130a	-		-
HUFA76633S3ST	1.0100	RFQ	22	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		100 v	39A（TC）	4.5V，10V	35mohm @ 39a，10v	3V @ 250µA	67 NC @ 10 V	±16V	1820 PF @ 25 V	-	145W（TC）
FGI40N60SFTU	3.3100	RFQ	900	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		标准		290 w		i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件		Ear99	8541.29.0095	50			400V，40a，10ohm，15V														现场停止	600 v	80 a	120 a	2.9V @ 15V，40a	1.13mj（在）上，310µJ off）	120 NC	25NS/115NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²