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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
FDS3692	1.0000	RFQ	9168	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道		100 v	4.5A（ta）	6V，10V	60mohm @ 4.5A，10V	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	746 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
MMSZ4693T1	0.0400	RFQ	4529	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOD-123				500兆	SOD-123	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.10.0050	3,000																900 mv @ 10 ma		10 µA @ 5.7 V													7.5 v
FDD8770	0.4000	RFQ	79	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载					Ear99	8542.39.0001	742			n通道		25 v	35A（TC）	4.5V，10V	4mohm @ 35a，10v	2.5V @ 250µA	73 NC @ 10 V	±20V	3720 PF @ 13 V	-	115W（TC）
FQA6N70	1.2400	RFQ	4	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3			MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	30			n通道		700 v	6.4A（TC）	10V	1.5OHM @ 3.2A，10V	5V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±30V	1400 pf @ 25 V	-	152W（TC）
RHRP860-R4647	-	RFQ	8543	Fairchild半导体	*	大部分	积极的										下载		供应商不确定	供应商不确定	2156-RHRP860-R4647-600039			1
FDU6692	1.2800	RFQ	62	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK			MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道		30 V	54A（ta）	4.5V，10V	12mohm @ 14a，10v	3V @ 250µA	25 NC @ 5 V	±16V	2164 pf @ 15 V	-	1.6W（TA）
FCB20N60-F085	-	RFQ	8057	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101，SuperFet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道		600 v	20A（TC）		198mohm @ 20a，10v	5V @ 250µA	102 NC @ 10 V	±30V	3080 pf @ 25 V	-	341W（TC）
SI3948DV	-	RFQ	3735	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3948		MOSFET （金属 o化物）	700MW（TA）	SuperSot™-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）				30V	2.5a（ta）		145MOHM @ 2A，4.5V	3V @ 250µA	3.2nc @ 5V		220pf @ 15V	逻辑级别门
FDD7030BL	0.4400	RFQ	80	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		30 V	（14A）（56A（ta）（TC）	4.5V，10V	9.5MOHM @ 14A，10V	3V @ 250µA	20 nc @ 5 V	±20V	1425 PF @ 15 V	-	2.8W（TA），60W（TC）
FFPF06U40STU	0.3000	RFQ	8	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-2完整包			标准		TO-220F-2L	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	1,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													400 v	1.4 V @ 6 A	50 ns	20 µA @ 400 V	-65°C〜150°C	6a	-
1N746A	1.9200	RFQ	74	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	156																1.5 V @ 200 ma		10 µA @ 1 V													3.3 v	28欧姆
FQPF3N90	1.2300	RFQ	53	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50			n通道		900 v	2.1A（TC）	10V	4.25OHM @ 1.05a，10V	5V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±30V	910 PF @ 25 V	-	43W（TC）
FDMS8023S	0.6200	RFQ	1	Fairchild半导体	PoterTrench®，SyncFet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载					Ear99	8542.39.0001	483			n通道		30 V	26a（26a），49a （TC）	4.5V，10V	2.4mohm @ 26a，10v	3V @ 1mA	57 NC @ 10 V	±20V	3550 pf @ 15 V	-	2.5W（ta），59W（TC）
FDB603AL	1.2200	RFQ	39	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道		30 V	33A（TC）	4.5V，10V	22mohm @ 25a，10v	3V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±20V	670 pf @ 15 V	-	50W（TC）
KSA1304YTU	0.2400	RFQ	1	Fairchild半导体	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				20 w	TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50																							150 v	1.5 a						10µA（ICBO）			PNP	1.5V @ 50mA，500mA	40 @ 500mA，10V	4MHz
FQD5N20LTM	0.3300	RFQ	4354	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载					Ear99	8542.39.0001	358			n通道		200 v	3.8A（TC）	5V，10V	1.2OHM @ 1.9a，10V	2V @ 250µA	6.2 NC @ 5 V	±20V	325 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），37W（TC）
HUF76609D3	0.4000	RFQ	15	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	75			n通道		100 v	10A（TC）	4.5V，10V	160MOHM @ 10a，10v	3V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±16V	425 pf @ 25 V	-	49W（TC）
NDS9936	0.5400	RFQ	40	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NDS993		MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	2,500	2 n 通道（双）				30V	5a		50mohm @ 5a，10v	3V @ 250µA	35nc @ 10V		525pf @ 15V	逻辑级别门
flz3v3a	0.0200	RFQ	75	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80				500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	2,500																1.2 V @ 200 ma		14 µA @ 1 V													3.3 v	35欧姆
NDS336P	-	RFQ	8885	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道		20 v	1.2A（TA）	2.7V，4.5V	200mohm @ 1.3A，4.5V	1V @ 250µA	8.5 NC @ 4.5 V	±8V	360 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
SB29003TF	0.1500	RFQ	124	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA				2 w	SOT-223-4	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-SB29003TF	Ear99	8541.21.0095	1																							400 v	300 MA						500NA			NPN	750mv @ 5mA，50mA	50 @ 10mA，10v	-
FDMD8900	0.9900	RFQ	15	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	12-Powerwdfn	FDMD89		MOSFET （金属 o化物）	2.1W	12-Power3.3x5	下载					Ear99	8542.39.0001	1	2 n 通道（双）				30V	19a，17a		4mohm @ 19a，10v	2.5V @ 250µA	35nc @ 10V		2605pf @ 15V	-
BZX85C20	1.0000	RFQ	2810	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	通过洞	do-204al，do-41，轴向	BZX85C20			1.3 w	do-41g	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																1.2 V @ 200 ma		500 na @ 15 V													20 v	24欧姆
FDS6688S	0.7200	RFQ	288	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		30 V	16A（TA）	4.5V，10V	6mohm @ 16a，10v	3V @ 1mA	78 NC @ 10 V	±20V	3290 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
BC337	1.0000	RFQ	6122	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				625兆	TO-92（to-226）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,000																							45 v	800 MA						100NA			NPN	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	210MHz
FDMS3672	-	RFQ	7179	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn			MOSFET （金属 o化物）		8-MLP（5x6），Power56	下载	Rohs不合规		供应商不确定	2156-FDMS3672	Ear99	8541.29.0095	1			n通道		100 v	7.4A（TA），22a （TC）	6V，10V	23mohm @ 7.4a，10v	4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	2680 pf @ 50 V	-	2.5W（ta），78W（tc）
MMBZ5246BNL	0.7700	RFQ	594	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆	SOT-23-3	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																900 mv @ 10 ma		100 na @ 12 V													16 V	17欧姆
1N4744ATR	0.0300	RFQ	1621年	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向				1 w	DO-204AL（DO-41）	下载					Ear99	8541.10.0050	6,867																		5 µA @ 11.4 V													15 v	14欧姆
HUF75631SK8	0.9500	RFQ	4	Fairchild半导体	Ultrafet®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			n通道		100 v	5.5A（ta）	10V	39mohm @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	79 NC @ 20 V	±20V	1225 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
SGL25N120RUFTU	1.0000	RFQ	6403	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	SGL25N	标准		270 w		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1				600V，25a，10ohm，15V																		-	1200 v	40 a	75 a	3V @ 15V，25a	1.6mj（在）上，1.63mj off）	165 NC	30NS/70NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²