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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	测试条件	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
MM5Z7V5	0.0200	RFQ	919	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-79，SOD-523	MM5Z7				200兆	SOD-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	8,000																						1 µA @ 5 V															7.5 v	15欧姆
KSA709GTA	-	RFQ	3660	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）					800兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0095	2,000																											150 v	700 MA								100NA（ICBO）			PNP	400mv @ 20mA，200mA	200 @ 50mA，2V	50MHz
FDB8896	0.9100	RFQ	15	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载				Ear99	8542.39.0001	330			n通道					30 V	19a（19a ta），93a（tc）	4.5V，10V	5.7MOHM @ 35A，10V	2.5V @ 250µA	67 NC @ 10 V	±20V	2525 PF @ 15 V	-	80W（TC）
HUF76429p3	1.0000	RFQ	6078	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	400			n通道					60 V	47A（TC）	4.5V，10V	22mohm @ 47a，10v	3V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±16V	1480 pf @ 25 V	-	110W（TC）
FDR844P	0.7000	RFQ	4	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tsop （0.130英寸，3.30mm）				MOSFET （金属 o化物）		Supersot™-8	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道					20 v	10a（10a）	1.8V，4.5V	11mohm @ 10a，4.5V	1.5V @ 250µA	74 NC @ 4.5 V	±8V	4951 PF @ 10 V	-	1.8W（TA）
KST13MTF	0.0300	RFQ	27	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	KST13				350兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	3,000																											30 V	300 MA								100NA（ICBO）			npn-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	10000 @ 100mA，5V	125MHz
FQP3N25	0.2900	RFQ	5	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道					250 v	2.8A（TC）	10V	2.2OHM @ 1.4A，10V	5V @ 250µA	5.2 NC @ 10 V	±30V	170 pf @ 25 V	-	45W（TC）
FDB12N50FTM	0.9500	RFQ	1	Fairchild半导体	*	大部分	积极的						FDB12N			-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	1																-
flz5v1a	0.0200	RFQ	15	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％		-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80					500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.10.0050	15,000																				1.2 V @ 200 ma		190 na @ 1.5 V															4.9 v	17欧姆
2N5950	-	RFQ	8947	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		30 V		通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			-	JFET		TO-92-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0095	1	n通道			15mA		-	-											-
PN222222TFR	-	RFQ	6552	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）					625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0075	10,000																											30 V	600 MA								10NA（ICBO）			NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	300MHz
BC848B	1.0000	RFQ	9265	Fairchild半导体	SOT-23	大部分	积极的			-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					200兆	SOT-23	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0075	3,000																											30 V	100 ma								100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V	100MHz
HGT1S7N60A4DS9A	-	RFQ	9272	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准			125 w	TO-263AB	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1					390V，7a，25ohm，15V																34 ns					-	600 v	34 a	56 a	2.7V @ 15V，7a	120µJ（在）上，60µJ（60µJ）	60 NC	11NS/100NS
FQP11N50CF	1.7700	RFQ	2	Fairchild半导体	FRFET®	管子	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规			Ear99	8541.29.0095	50			n通道					500 v	11A（TC）	10V	550MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±30V	2055 PF @ 25 V	-	（195W）（TC）
TIP48TU	0.4100	RFQ	14	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3					2 w	TO-220-3	下载				Ear99	8541.29.0095	1																											300 v	1 a								1ma			NPN	1V @ 200mA，1a	30 @ 300mA，10v	10MHz
HUF76609D3_NL	-	RFQ	7166	Fairchild半导体	Ultrafet®	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA				MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	238			n通道					100 v	10A（TC）	4.5V，10V	160MOHM @ 10a，10v	3V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±16V	425 pf @ 25 V	-	49W（TC）
SS9015CBU	0.0200	RFQ	34	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					450兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0075	1,000																											45 v	100 ma								50NA（iCBO）			PNP	700mv @ 5mA，100mA	200 @ 1mA，5V	190MHz
TIP41B	-	RFQ	1628年	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3					2 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1																											80 V	6 a								700µA			NPN	1.5V @ 600mA，6a	30 @ 300mA，4V	3MHz
FCI17N60	-	RFQ	7348	Fairchild半导体	*	大部分	积极的						FCI17			-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			1																-
DF02S1	0.2900	RFQ	3	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼				标准		4-SDIP	下载				Ear99	8541.10.0080	1,033																				1.1 V @ 1 A		3 µA @ 200 V		1 a										单相	200 v
HUFA76445S3S	1.0600	RFQ	500	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	50			n通道					60 V	75A（TC）	4.5V，10V	6.5MOHM @ 75A，10V	3V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±16V	4965 PF @ 25 V	-	310W（TC）
2N5088TA	1.0000	RFQ	7338	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					625兆	TO-92-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1																											30 V	100 ma								50NA（iCBO）			NPN	500mv @ 1mA，10mA	350 @ 1mA，5V	50MHz
FQP9N50C	-	RFQ	5793	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载				Ear99	8542.39.0001	1			n通道					500 v	9A（TC）	10V	800MOHM @ 4.5A，10V	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±30V	1030 pf @ 25 V	-	135W（TC）
BC33716BU	0.0400	RFQ	122	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					625兆	TO-92-3	下载				Ear99	8541.21.0075	7,474																											45 v	800 MA								100NA			NPN	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
SS8050CTA	0.1200	RFQ	42	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）					1 w	TO-92-3	下载				Ear99	8541.29.0075	2,567																											25 v	1.5 a								100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 80mA，800mA	120 @ 100mA，1V	100MHz
IRFW620BTM	0.4000	RFQ	933	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	800			n通道					200 v	5A（TC）	10V	800MOHM @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±30V	390 pf @ 25 V	-	3.13W（TA），47W（TC）
MM5Z56V	-	RFQ	3639	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±7％		-55°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523					200兆	SOD-523F	-					0000.00.0000	1																						50 NA @ 39.2 V															56 v	200欧姆
1N916A	1.0000	RFQ	1634年	Fairchild半导体	-	大部分	积极的				通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N916			标准		do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	1		小信号= <200ma（io（io），任何速度																	100 v	1 V @ 20 ma	4 ns	5 µA @ 75 V	-65°C〜175°C	200mA	2pf @ 0v，1MHz
BD240BTU	1.0000	RFQ	9892	Fairchild半导体	-	管子	过时的			150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3					30 W	TO-220-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	50																											80 V	2 a								300µA			PNP	700mv @ 200mA，1a	15 @ 1A，4V	-
FDD8770	0.4000	RFQ	79	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载				Ear99	8542.39.0001	742			n通道					25 v	35A（TC）	4.5V，10V	4mohm @ 35a，10v	2.5V @ 250µA	73 NC @ 10 V	±20V	3720 PF @ 13 V	-	115W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²