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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻-RDS（（在）
FDW2512NZ	0.5500	RFQ	213	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	FDW25		MOSFET （金属 o化物）	1.6W	8-tssop	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）				20V	6a		28mohm @ 6a，4.5V	1.5V @ 250µA	12nc @ 4.5V		670pf @ 10V	逻辑级别门
FGPF30N30TTU	0.8400	RFQ	5	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		标准		44.6 w	TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50				200V，20a，20 ohm，15v																		沟	300 v		80 a	1.5V @ 15V，10A	-	65 NC	22NS/130NS
FLZ18VB	0.0200	RFQ	28	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80				500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	15,000																1.2 V @ 200 ma		133 na @ 13 V																	17.3 v	19.4欧姆
FDN361AN	-	RFQ	8410	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道		30 V	1.8A（ta）	4.5V，10V	100mohm @ 1.8A，10V	3V @ 250µA	4 NC @ 5 V	±20V	220 pf @ 15 V	-	500MW（TA）
FDZ209N	0.8700	RFQ	20	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	12-WFBGA			MOSFET （金属 o化物）		12-bga （2x2.5）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道		60 V	4A（ta）	5V	80mohm @ 4A，5V	3V @ 250µA	9 NC @ 5 V	±20V	657 PF @ 30 V	-	2W（TA）
DFB2540	1.6400	RFQ	779	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，TS-6P			标准		TS-6P	下载					Ear99	8541.10.0080	183																1.1 V @ 25 A		10 µA @ 400 V		25 a										单相	400 v
FDD8896-F085	0.4500	RFQ	973	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道		30 V	17a（17a），94A（tc）	4.5V，10V	5.7MOHM @ 35A，10V	2.5V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	2525 PF @ 15 V	-	80W（TC）
MM3Z27VC	0.0300	RFQ	96	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F				200兆	SOD-323F	下载					Ear99	8541.10.0050	1																1 V @ 10 mA		45 na @ 18.9 V																	27 V	75欧姆
FDMS7680	-	RFQ	1255	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道		30 V	（14a）（28a）（28a tc）	4.5V，10V	6.9MOHM @ 14A，10V	3V @ 250µA	28 NC @ 10 V	±20V	1850 pf @ 15 V	-	2.5W（TA），33W（tc）
FGA50S110P	1.5400	RFQ	45	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		标准		300 w	to-3pn	下载					Ear99	8542.39.0001	1				-																		沟渠场停止	1100 v	50 a	120 a	2.6V @ 15V，50a	-	195 NC	-
FDD6680AS	0.5200	RFQ	10	Fairchild半导体	PoterTrench®，SyncFet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载					Ear99	8541.29.0095	1			n通道		30 V	55A（ta）	4.5V，10V	10.5MOHM @ 12.5A，10V	3V @ 1mA	29 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 15 V	-	60W（TA）
J112	-	RFQ	4979	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				625兆	TO-92-3	下载						0000.00.0000	27			n通道									-																				35 v	5 ma @ 15 V	1 V @ 1 µA			50欧姆
1N5244BTR	0.0300	RFQ	174	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆	DO-35（do-204AH）	下载					Ear99	8541.10.0050	11,539																1.2 V @ 200 ma		100 na @ 10 V																	14 V	15欧姆
FDMS7692A	-	RFQ	9891	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道		30 V	13.5A（TA），28a （TC）	4.5V，10V	8mohm @ 13a，10v	3V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	1350 pf @ 15 V	-	2.5W（27W），27W（TC）
J113	1.0000	RFQ	3356	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				625兆	TO-92-3	下载						0000.00.0000	1			n通道									-																				35 v	2 ma @ 15 V	500 mV @ 1 µA			100欧姆
FDB029N06	4.1400	RFQ	5	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载					Ear99	8542.39.0001	79			n通道		60 V	120A（TC）	10V	3.1MOHM @ 75A，10V	4.5V @ 250µA	151 NC @ 10 V	±20V	9815 PF @ 25 V	-	231W（TC）
FDD4141	-	RFQ	3202	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载						0000.00.0000	1			P通道		40 V	10.8A（ta），50a（tc）	4.5V，10V	12.3mohm @ 12.7a，10v	3V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	2775 PF @ 20 V	-	2.4W（TA），69W（tc）
FCPF260N60E	1.8500	RFQ	190	Fairchild半导体	SuperFet®II	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道		600 v	15A（TC）	10V	260MOHM @ 7.5A，10V	3.5V @ 250µA	62 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 25 V	-	36W（TC）
SS12	0.1100	RFQ	4	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	do-214ac，SMA	SS12		肖特基		SMA（do-214ac）	下载					Ear99	8541.10.0080	2,701		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													20 v	500 mv @ 1 A		200 µA @ 20 V	-65°C〜125°C	1a	-
FDMS3606S	-	RFQ	7384	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS3606		MOSFET （金属 o化物）	1W	8-pqfn（5x6）	下载					Ear99	8542.39.0001	1	2 n 通道（双）				30V	13a，27a		8mohm @ 13a，10v	2.7V @ 250µA	29nc @ 10V		1785pf @ 15V	逻辑级别门
FLZ18VC	0.0200	RFQ	48	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80				500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	2,500																1.2 V @ 200 ma		133 na @ 13 V																	17.9 v	19.4欧姆
FQH44N10-F133	-	RFQ	4726	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247	-				2156-FQH44N10-F133			1			n通道		100 v	48A（TC）	10V	39mohm @ 24A，10V	4V @ 250µA	62 NC @ 10 V	±25V	1800 pf @ 25 V	-	180W（TC）
FDP023N08B-F102	-	RFQ	3201	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	-				2156-FDP023N08B-F102			1			n通道		75 v	120A（TC）	10V	2.35mohm @ 75a，10v	3.8V @ 250µA	195 NC @ 10 V	±20V	13765 PF @ 37.5 V	-	245W（TC）
FDD5N50TF	0.2900	RFQ	1986	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100			n通道		500 v	4A（TC）	10V	1.4OHM @ 2A，10V	5V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±30V	640 pf @ 25 V	-	40W（TC）
HUFA76445P3	0.9900	RFQ	518	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	400			n通道		60 V	75A（TC）	4.5V，10V	6.5MOHM @ 75A，10V	3V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±16V	4965 PF @ 25 V	-	310W（TC）
FDD6682	0.9500	RFQ	28	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		30 V	75a（ta）	4.5V，10V	6.2MOHM @ 17a，10v	3V @ 250µA	31 NC @ 5 V	±20V	2400 pf @ 15 V	-	71W（ta）
flz36vb	0.0200	RFQ	57	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80				500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	2,500																1.2 V @ 200 ma		133 na @ 27 V																	33.6 v	63欧姆
FDH400TR	0.0300	RFQ	163	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			标准		DO-35（do-204AH）	下载					Ear99	8542.39.0001	9,779		小信号= <200ma（io（io），任何速度													150 v	1.1 V @ 300 mA	50 ns	100 NA @ 150 V	175°c （最大）	200mA	2pf @ 0v，1MHz
BZX85C8V2	0.0300	RFQ	30	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向				1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 5 V																	8.2 v	5欧姆
IRFNL210BTA	0.1100	RFQ	556	Fairchild半导体	*	大部分	积极的					IRFNL210		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1													-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²