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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电流 -io（io）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
FDS6298	0.5200	RFQ	265	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载				Ear99	8542.39.0001	574		n通道		30 V	13A（TA）	4.5V，10V	9MOHM @ 13A，10V	3V @ 250µA	14 NC @ 5 V	±20V	1108 PF @ 15 V	-	（3W）（TA）
HUF75345P3_NS2552	1.0000	RFQ	4961	Fairchild半导体	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1
GBPC3510	1.0000	RFQ	2676	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	4平方英尺，GBPC	GBPC35		标准		GBPC	下载				Ear99	8541.10.0080	1														1.1 V @ 17.5 A	5 µA @ 1 V	35 a									单相	1 kV
FDC604P	1.0000	RFQ	3775	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6			MOSFET （金属 o化物）		SuperSot™-6	下载				Ear99	8542.39.0001	1		P通道		20 v	5.5A（ta）	1.8V，4.5V	33mohm @ 5.5A，4.5V	1.5V @ 250µA	30 NC @ 4.5 V	±8V	1926 pf @ 10 V	-	1.6W（TA）
BC547CBU	0.0400	RFQ	10	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				500兆	TO-92-3	下载				Ear99	8541.21.0075	8,266																		45 v	100 ma											15NA（icbo）				NPN	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	300MHz
MB8	0.1200	RFQ	6	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-269AA，4-Besop			标准		TO-269AA Minidil Slim	下载				Ear99	8541.10.0080	2,526														1 V @ 400 MA	5 µA @ 800 V	500 MA									单相	800 v
GBPC1201	1.0000	RFQ	9896	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	QC终端	4平方英尺，GBPC			标准		GBPC	下载					0000.00.0000	1														1.1 V @ 6 A	5 µA @ 100 V	12 a									单相	100 v
1N4756A	0.0300	RFQ	13	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜20°C	通过洞	轴向				1 w	轴向	下载				Ear99	8541.10.0050	1															5 µA @ 35.8 V																47 V	80欧姆
FDC6310P	-	RFQ	9172	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	FDC6310		MOSFET （金属 o化物）	700MW	SuperSot™-6	下载				Ear99	8542.39.0001	1	2（p 通道（双）			20V	2.2a		125mohm @ 2.2a，4.5V	1.5V @ 250µA	5.2nc @ 4.5V		337pf @ 10V	逻辑级别门
FCP260N60E	1.6600	RFQ	200	Fairchild半导体	SuperFet®II	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载				Ear99	8542.39.0001	200		n通道		600 v	15A（TC）	10V	260MOHM @ 7.5A，10V	3.5V @ 250µA	62 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 25 V	-	156W（TC）
BZX85C7V5TR5K	0.0200	RFQ	3224	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向				1 w	DO-204AL（DO-41）	下载				Ear99	8541.10.0050	1														1.2 V @ 200 ma	1 µA @ 4.5 V																7.5 v	3欧姆
J105	-	RFQ	9982	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				625兆	TO-92-3	下载				Ear99	8541.21.0095	1		n通道									-																25 v	500 ma @ 15 V	4.5 V @ 1 µA				3欧姆
FCH76N60N	15.1300	RFQ	3	Fairchild半导体	Supremos™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载				Ear99	8541.29.0095	20		n通道		600 v	76A（TC）	10V	36mohm @ 38a，10v	4V @ 250µA	285 NC @ 10 V	±30V	12385 PF @ 100 V	-	543W（TC）
2N7002VA	0.2800	RFQ	12	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	2N7002		MOSFET （金属 o化物）	250MW	SOT-563F	下载				Ear99	8541.21.0095	1,078	2 n 通道（双）			60V	280mA		7.5OHM @ 50mA，5V	2.5V @ 250µA	-		50pf @ 25V	逻辑级别门
GBPC1502W	3.0300	RFQ	516	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，GBPC-W			标准		GBPC-W	下载				Ear99	8541.10.0080	100														1.1 V @ 7.5 A	5 µA @ 200 V	15 a									单相	200 v
FDP3632	-	RFQ	3103	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载				Ear99	8542.39.0001	1		n通道		100 v	（12A）（ta），80a tc）	6V，10V	9MOHM @ 80A，10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	6000 pf @ 25 V	-	310W（TC）
MMBF4093	-	RFQ	2715	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				350兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	1		n通道									16pf @ 20V																40 V	8 ma @ 20 V	1 v @ 1 na				80欧姆
MM3Z47VB	0.0300	RFQ	11	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F				200兆	SOD-323F	下载				Ear99	8541.10.0050	11,600														1 V @ 10 mA	45 NA @ 33 V																47 V	160欧姆
FQA9P25	-	RFQ	5041	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3			MOSFET （金属 o化物）		to-3p	-					0000.00.0000	1		P通道		250 v	10.5A（TC）	10V	620MOHM @ 5.25a，10V	5V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±30V	1180 pf @ 25 V	-	150W（TC）
FDMC8015L	0.4100	RFQ	1325	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn			MOSFET （金属 o化物）		8-mlp（3.3x3.3）	下载				Ear99	8541.29.0095	1		n通道		40 V	（7A）（ta），18A （TC）	4.5V，10V	26mohm @ 7a，10v	3V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	945 PF @ 20 V	-	2.3W（24W），24W tc）
FGPF30N30	0.8500	RFQ	2	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		标准		46 W	TO-220F-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	1			-														-	300 v		80 a	1.5V @ 15V，10A	-	39 NC	-
MPS6514	1.0000	RFQ	4526	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0075	2,000																		25 v	200 ma											50NA（iCBO）				NPN	500mv @ 5mA，50mA	150 @ 2mA，10v	-
FGH75N60SFTU	-	RFQ	1451	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		452 w	TO-247	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	450			400V，75a，3ohm，15v														现场停止	600 v	150 a	225 a	2.9V @ 15V，75a	2.7MJ（在）上，1MJ（1MJ）	250 NC	26NS/138NS
HUF75344S3ST	0.6700	RFQ	41	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	800		n通道		55 v	75A（TC）	10V	8mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	210 NC @ 20 V	±20V	3200 PF @ 25 V	-	285W（TC）
KSA642GBU	0.0200	RFQ	6342	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				400兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0095	2,726																		25 v	300 MA											100NA（ICBO）				PNP	600mv @ 30mA，300mA	200 @ 50mA，1V	-
irli610atu	0.1600	RFQ	3	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	50		n通道		200 v	3.3A（TC）	5V	1.5OHM @ 1.65a，5V	2V @ 250µA	9 NC @ 5 V	±20V	240 pf @ 25 V	-	3.1W（TA），33W（tc）
FDMS2506SDC	1.8400	RFQ	3	Fairchild半导体	Dual Cool™，PowerTrench®，SyncFet™	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		25 v	39A（ta），49a（tc）	4.5V，10V	1.45MOHM @ 30a，10V	3V @ 1mA	93 NC @ 10 V	±20V	5945 pf @ 13 V	-	3.3W（TA），89w（tc）
FDG6302P	0.2300	RFQ	257	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	FDG6302		MOSFET （金属 o化物）	300MW	SC-88 （SC-70-6）	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）			25V	140mA		10ohm @ 140mA，4.5V	1.5V @ 250µA	0.31NC @ 4.5V		12pf @ 10V	逻辑级别门
KSA733Clta	0.0200	RFQ	18	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				250兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0075	2,000																		50 V	150 ma											100NA（ICBO）				PNP	300mv @ 10mA，100mA	350 @ 1mA，6v	180MHz
1N4729ATR	0.0700	RFQ	28	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向				1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.10.0050	3,000															100 µA @ 1 V																3.6 v	10欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²