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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
BZX84C24	-	RFQ	6689	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZX84			250兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	8,000																		900 mv @ 10 ma		100 na @ 16.8 V																	24 V	70欧姆
FQPF13N50CTC003	-	RFQ	7243	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	1			n通道		500 v	13A（TJ）	10V	480MOHM @ 6.5A，10V	4V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±30V	2055 PF @ 25 V	-	48W（TC）
SFS9630YDTUAS001	0.2700	RFQ	9574	Fairchild半导体	*	大部分	积极的					SFS9630		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	800													-
GBPC1208	1.1600	RFQ	760	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	4平方英尺，GBPC			标准		GBPC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.10.0080	1																		1.1 V @ 6 A		5 µA @ 800 V		12 a									单相	800 v
FJX733YTF	0.0500	RFQ	85	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	FJX733			200兆	SC-70（SOT323）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	3,000																								50 V	150 ma											100NA（ICBO）			PNP	300mv @ 10mA，100mA	120 @ 1mA，6v	180MHz
HUF75645S3ST_Q	3.8500	RFQ	308	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D²Pak	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	1			n通道		100 v	75A（TC）	10V	14mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	238 NC @ 20 V	±20V	3790 pf @ 25 V		310W（TC）
FQB46N15TM	1.4100	RFQ	570	Fairchild半导体	QFET™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	800			n通道		150 v	45.6A（TC）	10V	42MOHM @ 22.8A，10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±25V	3250 pf @ 25 V	-	3.75W（ta），210W（tc）
FDB6676	0.7800	RFQ	25	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	800			n通道		30 V	84a（ta）	4.5V，10V	6mohm @ 42a，10v	3V @ 250µA	60 NC @ 5 V	±16V	5324 pf @ 15 V	-	93W（TC）
HGTP20N35G3VL	1.3700	RFQ	326	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		逻辑		150 w	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1				-																			-	380 v	20 a		2.8V @ 5V，20A	-	28.7 NC	-
RFP15N05L_NL	-	RFQ	1700	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1			n通道		50 V	15A（TC）	5V	140mohm @ 15a，5v	2V @ 250µA		±10V	900 pf @ 25 V	-	60W（TC）
RF1S530SM9A	0.9600	RFQ	11	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	800			n通道		100 v	14A（TC）	10V	160MOHM @ 8.3a，10V	4V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	600 pf @ 25 V	-	79W（TC）
RFD16N05_NL	0.6400	RFQ	1	Fairchild半导体	PSPICE®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1			n通道		50 V	16A（TC）	10V	47mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	80 NC @ 20 V	±20V	900 pf @ 25 V	-	72W（TC）
SFS9614	0.3600	RFQ	4	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	833			P通道		250 v	1.27A（TC）	10V	4ohm @ 600mA，10v	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±30V	295 pf @ 25 V	-	13W（TC）
SI6955DQ	0.3700	RFQ	8	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6955		MOSFET （金属 o化物）	1W（ta）	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0095	1	2（p 通道（双）				30V	2.5a（ta）		85mohm @ 2.5a，10v	3V @ 250µA	15nc @ 10V		298pf @ 10V	-
SFI9630TU	0.4500	RFQ	691	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	691			P通道		200 v	6.5A（TC）	10V	800mohm @ 3.3a，10v	4V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±30V	956 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），70W（70W）TC）
SI9934DY	0.2400	RFQ	22	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI9934		MOSFET （金属 o化物）	900MW（TA）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0095	5,000	2（p 通道（双）				20V	5A（5A）		50mohm @ 5A，4.5V	1.5V @ 250µA	16nc @ 4.5V		1015pf @ 10V	-
SI4920DY	0.3700	RFQ	1	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4920		MOSFET （金属 o化物）	900MW（TA）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0095	2,500	2 n 通道（双）				30V	6a（6a）		28mohm @ 6a，10v	3V @ 250µA	13nc @ 5V		830pf @ 15V	逻辑级别门
HGTG12N60C3D	-	RFQ	8136	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	HGTG12N60	标准		104 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	0000.00.0000	1				-															42 ns				-	600 v	24 a	96 a	2.2V @ 15V，15a	（380µJ）（在900µJ上）	48 NC	-
MMBD7000	0.0300	RFQ	5507	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBD70		标准		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	580		小信号= <200ma（io（io），任何速度													1对系列连接	100 v	200mA	1.1 V @ 100 mA	4 ns	500 NA @ 100 V	150°C （最大）
2SC5200RTU	2.1300	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA				150 w	TO-264-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1																								250 v	17 a											5µA（ICBO）			NPN	3V @ 800mA，8a	55 @ 7a，5v	30MHz
MMBF4119	-	RFQ	9163	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				225兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	3,000			n通道									3pf @ 10V																					40 V	200 µA @ 10 V	2 V @ 1 na
IRFR9110TF	0.3200	RFQ	10	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	2,000			P通道		100 v	3.1A（TC）	10V	1.2OHM @ 1.9a，10V	4V @ 250µA	8.7 NC @ 10 V	±20V	290 pf @ 25 V	-	25W（TC）
FDME430NT	0.2200	RFQ	34	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-Powerufdfn			MOSFET （金属 o化物）		Microfet 1.6x1.6薄	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	5,000			n通道		30 V	6a（6a）		40mohm @ 6a，4.5V	1.5V @ 250µA	9 NC @ 4.5 V	±12V	760 pf @ 15 V	-	700MW（TA）
FDB9403	2.3100	RFQ	8	Fairchild半导体	*	大部分	积极的					FDB940		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	800													-
FJV3101RLIMTF	0.0200	RFQ	192	Fairchild半导体	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	3,000
HUF75637S3	1.5000	RFQ	6	Fairchild半导体	*	大部分	积极的					HUF75637		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	1													-
FJY4002R	0.0500	RFQ	860	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	SC-89，SOT-490	FJY400			200兆	SOT-523F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	3,000																								50 V	100 ma											100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	200 MHz	10 kohms	10 kohms
BZX85C18-T50R	0.0300	RFQ	27	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向				1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1																		1.2 V @ 200 ma		500 NA @ 12.5 V																	18 V	20欧姆
FDPF035N06B	1.1400	RFQ	178	Fairchild半导体	*	大部分	积极的					FDPF035		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	1													-
FQPF2N80YDTU	1.1400	RFQ	725	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，形成的线索			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3（Y Y形成）	下载				Ear99	8542.39.0001	1			n通道		800 v	1.5A（TC）	10V	6.3ohm @ 750mA，10v	5V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±30V	550 pf @ 25 V	-	35W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²