RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
sfi9z14tu	0.1700	RFQ	3	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1			P通道			60 V	6.7A（TC）	10V	500MOHM @ 3.4A，10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±30V	350 pf @ 25 V	-	3.8W（38W），38W（tc）
1N5818	5.2900	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	do-204ac，do-15，轴向	1N58		肖特基		do15/do204ac	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	57		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														30 V	875 mv @ 3 a	1 mA @ 200 V	-50°C〜150°C	1a	-
FQD4N25TM	0.2600	RFQ	27	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道			250 v	3A（TC）	10V	1.75OHM @ 1.5A，10V	5V @ 250µA	5.6 NC @ 10 V	±30V	200 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），37W（TC）
BC337-25	-	RFQ	9755	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				625兆	到92	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1																							45 v	800 MA								100NA			NPN	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	100MHz
FDZ202P	0.2700	RFQ	152	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	12-WFBGA			MOSFET （金属 o化物）		12-bga （2x2.5）	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道			20 v	5.5A（ta）	2.5V，4.5V	45MOHM @ 5.5A，4.5V	1.5V @ 250µA	13 NC @ 4.5 V	±12V	884 pf @ 10 V	-	2W（TA）
FDFC3N108	0.4100	RFQ	98	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6			MOSFET （金属 o化物）		SuperSot™-6	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道			20 v	3A（3A）	2.5V，4.5V	70MOHM @ 3A，4.5V	1.5V @ 250µA	4.9 NC @ 4.5 V	±12V	355 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	-
IRFR120	0.4200	RFQ	990	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载		供应商不确定	到达受影响	2156-IRFR120-600039			1			n通道			100 v	7.7A（TC）	10V	270MOHM @ 4.6A，10V	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
HUF753443	-	RFQ	3937	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-HUF75344P3-600039			1			n通道			55 v	75A（TC）	10V	8mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	210 NC @ 20 V	±20V	3200 PF @ 25 V	-	285W（TC）
FDW2515NZ	0.3400	RFQ	165	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	FDW25		MOSFET （金属 o化物）	1.1W（TA）	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）公共排水					20V	5.8A（ta）		28mohm @ 5.8A，4.5V	1.5V @ 250µA	12nc @ 5V		745pf @ 10V	-
FDS3572_NL	2.9400	RFQ	126	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			n通道			80 V	8.9a（ta）	6V，10V	16mohm @ 8.9a，10v	4V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	1990 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
FDD6670AL_NL	1.0900	RFQ	3	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道			30 V	84a（ta）	4.5V，10V	5mohm @ 18a，10v	3V @ 250µA	56 NC @ 5 V	±20V	3845 pf @ 15 V	-	1.6W（TA）
FDP2710_SW82258	-	RFQ	2120	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			n通道			250 v	50A（TC）	10V	42.5MOHM @ 25a，10V	5V @ 250µA	101 NC @ 10 V	±30V	7280 pf @ 25 V	-	260W（TC）
ISL9N7030BLS3ST	0.7300	RFQ	3	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	800			n通道			30 V	75A（TC）	4.5V，10V	9mohm @ 75a，10v	3V @ 250µA	68 NC @ 10 V	±20V	2600 PF @ 15 V	-	100W（TC）
HUFA76609D3ST_NL	0.1800	RFQ	2	Fairchild半导体	Ultrafet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			n通道			100 v	10A（TC）	4.5V，10V	160MOHM @ 10a，10v	3V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±16V	425 pf @ 25 V	-	49W（TC）
HUF76107D3ST	0.3300	RFQ	4	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道			30 V	20A（TC）	4.5V，10V	52MOHM @ 20a，10v	3V @ 250µA	10.3 NC @ 10 V	±20V	315 pf @ 25 V	-	35W（TC）
IRFW710BTM	0.1800	RFQ	7738	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1,600			n通道			400 v	2A（TC）	10V	3.4OHM @ 1A，10V	4V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±30V	330 pf @ 25 V	-	3.13W（TA），36W（TC）
IRFW644BTM	0.3400	RFQ	21	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道			250 v	14A（TC）	10V	280MOHM @ 7A，10V	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±30V	1600 pf @ 25 V	-	3.13W（TA），139w（tc）
NDS9400	0.5600	RFQ	5	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道				2.5a	-	-	-		-		-	2W
SGH15N120RUFTU	3.9600	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	SGH15	标准		180 w	to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1				600V，15a，20欧姆，15V																		-	1200 v	24 a	45 a	3V @ 15V，15a	108 NC	20N/60N
BZX85C6V2	0.0300	RFQ	24	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向				1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																	1.2 V @ 200 ma	1 µA @ 3 V															6.2 v	4欧姆
TIP31CTU	-	RFQ	1727年	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	提示31			2 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																							100 v	3 a								300µA			NPN	1.2V @ 375mA，3a	10 @ 3A，4V	3MHz
MMBF4118	-	RFQ	2719	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBF41			225兆	SOT-23-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			n通道										3pf @ 10V																40 V	80 µA @ 10 V	1 v @ 1 na
ISL9N302AS3	1.9800	RFQ	400	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	积极的		-	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	ISL9		MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1			n通道			30 V	75A（TC）	4.5V，10V	2.3MOHM @ 75A，10V	3V @ 250µA	300 NC @ 10 V	±20V	11000 PF @ 15 V	-	345W（TC）
FDMS0306S	0.2400	RFQ	12	Fairchild半导体	-	大部分	积极的					FDMS03					-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	3,000							-
FGB3245G2	-	RFQ	7607	Fairchild半导体	*	大部分	积极的										-	不适用	3（168））	供应商不确定				800
MMBTH10RG	0.0700	RFQ	378	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				225MW	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000					-																		40V	50mA											NPN		50 @ 1mA，6v	450MHz	-
MMSZ5256B	0.0200	RFQ	838	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	150°C（TJ）	表面安装	SOD-123				500兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																	900 mv @ 10 ma	100 na @ 23 V															30 V	49欧姆
BZX84C24	-	RFQ	6689	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZX84			250兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	8,000																	900 mv @ 10 ma	100 na @ 16.8 V															24 V	70欧姆
FQPF13N50CTC003	-	RFQ	7243	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1			n通道			500 v	13A（TJ）	10V	480MOHM @ 6.5A，10V	4V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±30V	2055 PF @ 25 V	-	48W（TC）
SFS9630YDTUAS001	0.2700	RFQ	9574	Fairchild半导体	*	大部分	积极的					SFS9630		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	800														-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²