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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
LL4148	1.0000	RFQ	7199	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80	LL414	标准		SOD-80C	下载					Ear99	8542.39.0001	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度													75 v		1 V @ 10 mA	4 ns	5 µA @ 75 V	-50°C〜175°C	150mA	4pf @ 0v，1MHz
FDMS8672AS	0.5900	RFQ	41	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	18A（18A），28a（tc）	4.5V，10V	5mohm @ 18a，10v	3V @ 1mA	40 NC @ 10 V	±20V	2600 PF @ 15 V	-	2.5W（ta），70w（tc）
FFPF04F150STU	1.0000	RFQ	4886	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-2完整包		标准		TO-220F-2L	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1500 v		1.5 V @ 4 A	170 ns	5 µA @ 1500 V	-65°C〜150°C	4a	-
FES16HT	0.2700	RFQ	7271	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-2		标准		TO-220-2	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	801	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													500 v		1.5 V @ 8 A	50 ns	10 µA @ 500 V	-65°C〜150°C	16a	145pf @ 4V，1MHz
HUF75345P3_NL	1.9200	RFQ	252	Fairchild半导体	Ultrafet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	55 v	75A（TC）	10V	7mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	275 NC @ 20 V	±20V	4000 pf @ 25 V	-	325W（TC）
1N963B	2.1300	RFQ	66	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	141																		5 µA @ 9.1 V									12 v	11.5欧姆
FDS6680A	1.0000	RFQ	8930	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道	30 V	12.5A（TA）	4.5V，10V	9.5MOHM @ 12.5A，10V	3V @ 250µA	23 NC @ 5 V	±20V	1620 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
flz4v7b	0.0200	RFQ	6645	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	7,263																1.2 V @ 200 ma		190 na @ 1 V									4.7 v	21欧姆
MMBT2907A	1.0000	RFQ	2288	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			350兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	3,000																						60 V	600 MA			10NA（ICBO）			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	200MHz
FDD20AN06A0	1.0000	RFQ	3032	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	8a（8a ta），45a tc（TC）	10V	20mohm @ 45a，10v	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	950 pf @ 25 V	-	90W（TC）
SS9011GBU	0.0500	RFQ	444	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			400兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	1,000																						30 V	30 ma			100NA（ICBO）			NPN	300mv @ 1mA，10mA	72 @ 1mA，5V	2MHz
es1d	-	RFQ	1930年	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	do-214ac，SMA		标准		do-214ac，SMA	下载					Ear99	8541.10.0080	602	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													200 v		920 MV @ 1 A	15 ns	5 µA @ 200 V	-50°C〜150°C	1a	-
ISL9V3036S3ST_SB82029A	1.4300	RFQ	954	Fairchild半导体	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	供应商不确定	2156-ISL9V3036S3ST_SB82029A-600039			1
FQA34N25	2.4900	RFQ	6	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	450		n通道	250 v	34A（TC）	10V	85mohm @ 17a，10v	5V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±30V	2750 pf @ 25 V	-	245W（TC）
BZX79C8V2-T50A	0.0200	RFQ	50	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载					Ear99	8541.10.0050	1																1.5 V @ 100 ma		700 na @ 5 V									8.2 v	15欧姆
HUF76419S3ST_NL	-	RFQ	4384	Fairchild半导体	Ultrafet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	365		n通道	60 V	29A（TC）	4.5V，10V	35mohm @ 29a，10v	3V @ 250µA	28 NC @ 10 V	±16V	900 pf @ 25 V	-	75W（TC）
GBPC2508W	2.7900	RFQ	4502	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，GBPC-W		标准		GBPC-W	下载					Ear99	8541.10.0080	30																1.1 V @ 12.5 A		5 µA @ 800 V		25 a				单相	800 v
FFP05U60DNTU	0.1800	RFQ	1	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3		标准		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	1,719	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	600 v	5a	2.3 V @ 5 A	80 ns	2.5 µA @ 600 V	-65°C〜150°C
FDH700	1.2000	RFQ	47	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0070	2,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度													20 v		1.25 V @ 50 mA	900 ps	50 na @ 20 V	-65°C〜175°C	150mA	1.5pf @ 0v，1MHz
BU406TU-FS	-	RFQ	7091	Fairchild半导体	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	BU406			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1																										5mA			NPN	1V @ 500mA，5a	-	10MHz
FJV4114RMTF	-	RFQ	2162	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	FJV411		200兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000																						50 V	100 ma			100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	200 MHz	4.7科姆斯	47科姆斯
1N4741ATR	0.0300	RFQ	30	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	DO-204AL（DO-41）	下载					Ear99	8541.10.0050	11,053																		5 µA @ 8.4 V									11 V	8欧姆
KST3904MTF	0.0200	RFQ	632	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	KST39		350兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000																						40 V	200 ma			-			NPN	300mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	300MHz
GBPC3506W	-	RFQ	5595	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，GBPC-W		标准		GBPC-W	下载						0000.00.0000	1																1.1 V @ 17.5 A		5 µA @ 600 V		35 a				单相	600 v
BAV103	0.0300	RFQ	60	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	do-213aa		标准		do-213aa，迷你甲	下载					Ear99	8541.10.0070	11,010	小信号= <200ma（io（io），任何速度													200 v		1.25 V @ 200 ma	50 ns	5 µA @ 200 V	-50°C〜175°C	200mA	-
MJ11033G	8.3900	RFQ	50	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 200°C（TJ）	通过洞	TO-204AE			300 w	TO-204（TO-3）	下载					Ear99	8541.29.0095	36																						120 v	50 a			2mA			pnp-达灵顿	3.5V @ 500mA，50a	1000 @ 25a，5v	-
KSC222223OMTF	0.0200	RFQ	9984	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			150兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	1,101																						20 v	20 ma			100NA（ICBO）			NPN	300mv @ 1mA，10mA	60 @ 1mA，6v	600MHz
KSA733CGBU	0.0200	RFQ	664	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	KSA733		250兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1																						50 V	150 ma			100NA（ICBO）			PNP	300mv @ 10mA，100mA	200 @ 1mA，6v	180MHz
BC182LB	0.0400	RFQ	9690	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			350兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	5,582																						50 V	100 ma			15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	40 @ 10µA，5V	150MHz
1N969B	1.8400	RFQ	168	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	163																		5 µA @ 16.7 V									22 v	29欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²