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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
FQPF34N20L	1.1400	RFQ	764	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50			n通道		200 v	17.5A（TC）	5V，10V	75MOHM @ 8.75a，10V	2V @ 250µA	72 NC @ 5 V	±20V	3900 PF @ 25 V	-	55W（TC）
FDU6030BL	0.5900	RFQ	3	Fairchild半导体	PowerTrench®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,800			n通道		30 V	10a（10A），42A（tc（TC）	4.5V，10V	16mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±20V	1143 PF @ 15 V	-	3.8W（TA），50W（TC）
SB330	0.1200	RFQ	7914	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	do-201aa，do-27，轴向	SB33	肖特基		DO-201-201	下载					Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														30 V		490 mv @ 3 a		500 µA @ 30 V	-50°C〜150°C	3a	-
FYV0203DSMTF	0.0500	RFQ	45	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		肖特基		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度													1对系列连接	30 V	200mA	1 V @ 200 MA		2 µA @ 30 V	150°C （最大）
RHRG5060F085	2.5900	RFQ	7466	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			通过洞	TO-247-2		标准		TO-247-2	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	10		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														600 v		2.1 V @ 50 A	60 ns	250 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	50a	-
FDS6699S	-	RFQ	6735	Fairchild半导体	PoterTrench®，SyncFet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS6699	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道		30 V	21a（21a）	4.5V，10V	3.6mohm @ 21a，10v	3V @ 1mA	91 NC @ 10 V	±20V	3610 PF @ 15 V	-	2.5W（TA）
1N747A	2.0800	RFQ	35	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	156																		1.5 V @ 200 ma		10 µA @ 1 V							3.6 v	24欧姆
FDMS3668S	0.9100	RFQ	250	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS3668	MOSFET （金属 o化物）	1W	8-pqfn（5x6）	下载					Ear99	8542.39.0001	330	2 n 通道（双）				30V	13a，18a		8mohm @ 13a，10v	2.7V @ 250µA	29nc @ 10V		1765pf @ 15V	逻辑级别门
FFP04U40DNTU	0.2700	RFQ	4754	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3		标准		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	800		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1对普通阴极	400 v	4a	1.4 V @ 4 A	45 ns	10 µA @ 400 V	-65°C〜150°C
FDD6676	0.7200	RFQ	10	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道		30 V	78a（ta）	4.5V，10V	6mohm @ 16a，10v	3V @ 1mA	58 NC @ 5 V	±16V	4770 pf @ 15 V	-	1.3W（TA）
FQPF9N25CYDTU	0.6100	RFQ	1	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，形成的线索		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3（Y Y形成）	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道		250 v	8.8A（TC）	10V	430MOHM @ 4.4A，10V	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±30V	710 PF @ 25 V	-	38W（TC）
BZX85C15-T50A	0.0300	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±6％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	BZX85C15		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	11,095																		1.2 V @ 200 ma		500 NA @ 10.5 V							15 v	15欧姆
FJY4004R	0.0200	RFQ	15	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			表面安装	SC-89，SOT-490	FJY400		200兆	SOT-523F	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	15,000																								50 V	100 ma	100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	200 MHz	47科姆斯	47科姆斯
FQPF46N15	1.2400	RFQ	6	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道		150 v	25.6A（TC）	10V	42MOHM @ 12.8A，10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±25V	3250 pf @ 25 V	-	66W（TC）
MJ21193G	-	RFQ	1831年	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			250 w	TO-204AA（TO-3）	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-MJ21193G-600039			1																								250 v	16 a	100µA			PNP	4V @ 3.2a，16a	25 @ 8a，5v	4MHz
MPSH17	0.0600	RFQ	42	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	MPSH17		350MW	TO-92-3	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	2,000				24dB																				15V	-				NPN		25 @ 5mA，10v	800MHz			6DB @ 200MHz
IRFW630BTM	-	RFQ	4921	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道		200 v	9A（TC）	10V	400MOHM @ 4.5A，10V	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±30V	720 PF @ 25 V	-	3.13W（ta），72W（tc）
MMSZ5230B	1.0000	RFQ	8598	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	150°C（TJ）	表面安装	SOD-123			500兆	SOD-123	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																		900 mv @ 10 ma		5 µA @ 2 V							4.7 v	19欧姆
FCA22N60N	4.6600	RFQ	978	Fairchild半导体	Supremos™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		MOSFET （金属 o化物）		to-3pn	下载					Ear99	8541.29.0095	65			n通道		600 v	22a（TC）	10V	165mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±30V	1950 pf @ 100 V	-	205W（TC）
KSD261GBU	0.0300	RFQ	4116	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	9,000																								20 v	500 MA	100NA（ICBO）			NPN	400mv @ 50mA，500mA	200 @ 100mA，1V	-
SI9933BDY	-	RFQ	4430	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI9933	-	900MW（TA）	8-SOIC	下载					Ear99	8541.29.0095	1	2（p 通道（双）				20V	3.4a（ta）		75MOHM @ 3.2A，4.5V	1.5V @ 250µA	20NC @ 4.5V		825pf @ 10V	-
FCH47N60F-F085	12.9700	RFQ	421	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101，SuperFet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载					Ear99	8541.29.0095	24			n通道		600 v	47A（TC）	10V	75MOHM @ 47A，10V	5V @ 250µA	250 NC @ 10 V	±30V	8000 PF @ 25 V	-	417W（TC）
FDMS8662	-	RFQ	5208	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	190			n通道		30 V	28a（28a），49a （TC）	4.5V，10V	2mohm @ 28a，10v	3V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	6420 PF @ 15 V	-	2.5W（ta），83W（tc）
FJV3102RMTF	0.0300	RFQ	41	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	FJV310		200兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000																								50 V	100 ma	100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	250 MHz	10 kohms	10 kohms
MCH3476-TL-W	0.0900	RFQ	7750	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	3-SMD，平坦的铅		MOSFET （金属 o化物）		SC-70FL/MCPH3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道		20 v	2A（TA）		125mohm @ 1A，4.5V	1.3V @ 1mA	1.8 NC @ 4.5 V	±12V	128 pf @ 10 V	-	800MW（TA）
FDMS3662	-	RFQ	5528	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		Power56	下载						0000.00.0000	1			n通道		100 v	8.9a（ta），39a（tc）	10V	14.8mohm @ 8.9a，10v	4.5V @ 250µA	75 NC @ 10 V	±20V	4620 PF @ 50 V	-	2.5W（ta），104W（tc）
HUF76629D3ST_NL	-	RFQ	7064	Fairchild半导体	Ultrafet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	86			n通道		100 v	20A（TC）	4.5V，10V	52MOHM @ 20a，10v	3V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±16V	1285 PF @ 25 V	-	150W（TJ）
FDA16N50	1.6000	RFQ	384	Fairchild半导体	Unifet™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		MOSFET （金属 o化物）		to-3pn	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	30			n通道		500 v	16.5A（TC）	10V	380MOHM @ 8.3A，10V	5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±30V	1945 pf @ 25 V	-	205W（TC）
ES3D	-	RFQ	9738	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	DO-214AB，SMC		标准		SMC（do-214ab）	下载					Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														200 v		900 mv @ 3 a	20 ns	5 µA @ 200 V	-50°C〜150°C	3a	-
LL4148	1.0000	RFQ	7199	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80	LL414	标准		SOD-80C	下载					Ear99	8542.39.0001	1		小信号= <200ma（io（io），任何速度														75 v		1 V @ 10 mA	4 ns	5 µA @ 75 V	-50°C〜175°C	150mA	4pf @ 0v，1MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²