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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
BD676AS	0.3000	RFQ	12	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD676		14 W	TO-126-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1																					45 v	4 a	500µA			pnp-达灵顿	2.8V @ 40mA，2a	750 @ 2a，3v	-
ISL9N308AD3	0.3300	RFQ	69	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道	30 V	50A（TC）	4.5V，10V	8mohm @ 50a，10v	3V @ 250µA	68 NC @ 10 V	±20V	2600 PF @ 15 V	-	100W（TC）
flz10va	1.0000	RFQ	1777年	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	2,500															1.2 V @ 200 ma		110 na @ 7 V							9.4 v	6.6欧姆
SFS9Z14	0.2700	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1			P通道	60 V	5.3A（TC）	10V	500mohm @ 2.7a，10v	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±30V	350 pf @ 25 V	-	24W（TC）
FDY3000NZ	-	RFQ	7920	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	FDY3000	MOSFET （金属 o化物）	446MW	SOT-563F	下载					Ear99	8542.39.0001	1	2 n 通道（双）			20V	600mA		700MOHM @ 600mA，4.5V	1.3V @ 250µA	1.1NC @ 4.5V		60pf @ 10V	逻辑级别门
MMBT2907-D87Z	0.0300	RFQ	494	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			350兆	SOT-23-3	下载	不适用				Ear99	8541.21.0095	10,000																					40 V	800 MA	20NA（ICBO）			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
tip31b	0.1500	RFQ	5	Fairchild半导体	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	提示31		2 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50																					80 V	3 a	300µA			NPN	1.2V @ 375mA，3a	10 @ 3A，4V	3MHz
KSC945GBU	0.0600	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			250兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	1,000																					50 V	150 ma	100NA（ICBO）			NPN	300mv @ 10mA，100mA	200 @ 1mA，6v	300MHz
NSR2030DMXTAG	0.3300	RFQ	3	Fairchild半导体	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-NSR2030DMXTAG-600039			1
SS9012GTA	1.0000	RFQ	2362	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	SS9012		625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																					20 v	500 MA	100NA（ICBO）			PNP	600mv @ 50mA，500mA	112 @ 50mA，1V	-
FQD4N50TF	0.4100	RFQ	2	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道	500 v	2.6A（TC）	10V	2.7OHM @ 1.3A，10V	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	460 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），45W（（（（（（（（（（
FDMS2510SDC	1.0100	RFQ	15	Fairchild半导体	Dual Cool™，PowerTrench®，SyncFet™	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道	25 v	28a（28a），49a （TC）	4.5V，10V	2.9MOHM @ 23A，10V	3V @ 1mA	45 NC @ 10 V	±20V	2780 pf @ 13 V	-	3.3W（TA），60W（TC）
FDMC0228	0.1500	RFQ	69	Fairchild半导体	*	大部分	积极的					FDMC02	-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	3,000												-
FQU2N50BTU	0.4100	RFQ	60	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	5,040			n通道	500 v	1.6A（TC）	10V	5.3OHM @ 800mA，10v	3.7V @ 250µA	8 nc @ 10 V	±30V	230 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），30W（tc）
FDD6778A	0.4100	RFQ	128	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	25 v	（12A）（TA），10A （TC）	4.5V，10V	14mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	870 pf @ 13 V	-	3.7W（TA），24W（TC）
FDU3N40TU	1.0000	RFQ	1831年	Fairchild半导体	Unifet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	FDU3	MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道	400 v	2A（TC）	10V	3.4OHM @ 1A，10V	5V @ 250µA	6 NC @ 10 V	±30V	225 pf @ 25 V	-	30W（TC）
HUFA75344S3S	0.9400	RFQ	1	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	400			n通道	55 v	75A（TC）	10V	8mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	210 NC @ 20 V	±20V	3200 PF @ 25 V	-	285W（TC）
MTD3055VL	1.0000	RFQ	3602	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道	60 V	12A（TC）	5V	180mohm @ 6a，5v	2V @ 250µA	10 NC @ 5 V	±20V	570 pf @ 25 V	-	3.9W（TA），48W（tc）
IRFR210BTF	0.2400	RFQ	224	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道	200 v	2.7A（TC）	10V	1.5OHM @ 1.35a，10V	4V @ 250µA	9.3 NC @ 10 V	±30V	225 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），26W（tc）
HUFA75639S3ST-F085A	1.0300	RFQ	766	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	不适用	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道	100 v	56A（TC）		25mohm @ 56a，10v	4V @ 250µA	130 nc @ 20 V	±20V	2000 pf @ 25 V	-	200W（TC）
EGP10G	0.1300	RFQ	10	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		标准		DO-204AL（DO-41）	下载					Ear99	8541.10.0080	2,277		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												400 v	1.25 V @ 1 A	50 ns	5 µA @ 400 V	-65°C〜150°C	1a	-
S100	0.2300	RFQ	30	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	do-214ac，SMA		肖特基		DO-214AC（SMA）	下载						0000.00.0000	1,311		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												100 v	850 mv @ 1 a		200 µA @ 100 V	-65°C〜125°C	1a	-
IRFR330BTM	-	RFQ	5841	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道	400 v	4.5A（TC）	10V	1欧姆 @ 2.25a，10V	4V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±30V	1000 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），48W（tc）
SI9936DY	-	RFQ	1573年	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI9936	MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-SOIC	-	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	2,500	2 n 通道（双）			30V	5a		50mohm @ 5a，10v	1V @ 250µA	35nc @ 10V		525pf @ 15V	-
SFP9Z14	-	RFQ	2360	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			P通道	60 V	6.7A（TC）	10V	500MOHM @ 3.4A，10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±30V	350 pf @ 25 V	-	38W（TC）
KSE13009TU	-	RFQ	8878	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	KSE13009			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																							-			NPN	3V @ 3a，12a	8 @ 5a，5v	4MHz
FDA2712	9.5400	RFQ	2	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		MOSFET （金属 o化物）		to-3pn	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	30			n通道	250 v	64A（TC）	10V	34mohm @ 40a，10v	5V @ 250µA	129 NC @ 10 V	±30V	10175 PF @ 25 V	-	357W（TC）
FDG361N	0.4100	RFQ	99	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363		MOSFET （金属 o化物）		SC-88 （SC-70-6）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道	100 v	600mA（TA）	6V，10V	500MOHM @ 600mA，10V	4V @ 250µA	5 NC @ 10 V	±20V	153 pf @ 50 V	-	420MW（TA）
FDW9926NZ	0.2400	RFQ	28	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	FDW99	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	8-tssop	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）			20V	4.5a		32MOHM @ 4.5A，4.5V	1.5V @ 250µA	8NC @ 4.5V		600pf @ 10V	逻辑级别门
FDPF18N50T-G	-	RFQ	2376	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-FDPF18N50T-G-600039			1			n通道	500 v	18A（TJ）	10V	265MOHM @ 9A，10V	5V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±30V	2860 pf @ 25 V	-	38.5W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²