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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
MMBZ5240B	0.0200	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				225兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																		900 mv @ 10 ma		3 µA @ 8 V													10 v	17欧姆
FDS6570A	1.0000	RFQ	9264	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道		20 v	15A（TA）	2.5V，4.5V	7.5MOHM @ 15a，4.5V	1.5V @ 250µA	66 NC @ 5 V	±8V	4700 PF @ 10 V	-	2.5W（TA）
ISL9R460S3ST	0.4600	RFQ	14	Fairchild半导体	Stealth™	大部分	过时的			表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			标准		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	800		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														600 v		2.4 V @ 4 A	22 ns	100 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	4a	-
FCPF165N65S3R0L	1.3700	RFQ	11	Fairchild半导体	SuperFet®III	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	Rohs不合规		供应商不确定	2156-FCPF165N65S3R0L	Ear99	8541.29.0095	1			n通道		650 v	19a（tc）	10V	165MOHM @ 9.5A，10V	4.5V @ 410µA	35 NC @ 10 V	±30V	1415 PF @ 400 V	-	35W（TC）
KSA709YTA	0.0600	RFQ	395	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				800兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	2,000																									150 v	700 MA						100NA（ICBO）			PNP	400mv @ 20mA，200mA	120 @ 50mA，2V	50MHz
1N962B	2.3000	RFQ	75	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	131																				5 µA @ 8.4 V													11 V	9.5欧姆
RFD14N05SM_NL	1.0000	RFQ	7809	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			n通道		50 V	14A（TC）	10V	100mohm @ 14a，10v	4V @ 250µA	40 NC @ 20 V	±20V	570 pf @ 25 V	-	48W（TC）
BZX55C8V2	0.0500	RFQ	38	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±6％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	1,000																		1.3 V @ 100 mA		100 na @ 6 V													8.2 v	7欧姆
SI4466DY	-	RFQ	2668	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	173			n通道		20 v	15A（TA）	2.5V，4.5V	7.5MOHM @ 15a，4.5V	1.5V @ 250µA	66 NC @ 5 V	±12V	4700 PF @ 10 V	-	1W（ta）
2SA2210-EPN-1EX	1.0000	RFQ	6435	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-	通过洞	TO-220-3完整包	2SA2210			2 w	TO-220F-3SG	-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	1																									50 V	20 a						10µA（ICBO）			PNP	500mv @ 350mA，7a	150 @ 1A，2V	140MHz
HUF76633S3ST	0.5000	RFQ	12	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	800			n通道		100 v	39A（TC）	4.5V，10V	35mohm @ 39a，10v	3V @ 250µA	67 NC @ 10 V	±16V	1820 PF @ 25 V	-	145W（TC）
FGA25S125P-SN00337	3.0100	RFQ	412	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FGA25S125	标准		250 w	to-3pn	下载					Ear99	8542.39.0001	1				600V，25a，10ohm，15V																				沟渠场停止	1250 v	50 a	75 a	2.35V @ 15V，25a	1.09mj（在）上，580µJ off）	204 NC	24NS/502NS
1N750ATR	1.0000	RFQ	7270	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	5,000																		1.5 V @ 200 ma		2 µA @ 1 V													4.7 v	19欧姆
sgr6n60uftf	1.0000	RFQ	1585年	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	sgr6n	标准		30 W	TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,000				300V，3A，80OHM，15V																				-	600 v	6 a	25 a	2.6V @ 15V，3A	（57µJ）（在），25µJ（25µJ）中	15 NC	15NS/60NS
KST2907AMTF	-	RFQ	4295	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				350兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	6,257																									60 V	600 MA						10NA（ICBO）			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	200MHz
FDP039N08B-F102	4.7500	RFQ	399	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载					Ear99	8541.29.0095	1			n通道		80 V	120A（TC）	10V	3.9MOHM @ 100A，10V	4.5V @ 250µA	133 NC @ 10 V	±20V	9450 PF @ 40 V	-	214W（TC）
FDS6900AS	0.5900	RFQ	569	Fairchild半导体	PoterTrench®，SyncFet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS69		MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	1	2 n 通道（双）				30V	6.9a，8.2a		27mohm @ 6.9a，10v	3V @ 250µA	15nc @ 10V		600pf @ 15V	逻辑级别门
FDU6612A	0.3400	RFQ	44	Fairchild半导体	PowerTrench®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,800			n通道		30 V	9.5A（ta），30a tc）	4.5V，10V	20mohm @ 9.5a，10V	3V @ 250µA	9.4 NC @ 5 V	±20V	660 pf @ 15 V	-	2.8W（TA），36W（tc）
FDMS86569-F085	1.0000	RFQ	9977	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道		60 V	65A（TC）	10V	5.6mohm @ 65a，10v	4V @ 250µA	54 NC @ 10 V	±20V	2560 pf @ 30 V	-	100W（TJ）
SFR9210TM	-	RFQ	2073	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252-3（DPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道		200 v	1.6A（TC）	10V	3ohm @ 800mA，10v	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±30V	285 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），19W（tc）
FQS4900TF	0.5800	RFQ	36	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FQS4900		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	1	n和p通道				60V，300V	1.3a，300mA		550MOHM @ 650mA，10V	1.95V @ 20mA	2.1nc @ 5V		-	-
MMBD1405A	0.0700	RFQ	58	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			标准		SOT-23-3	下载					Ear99	8541.10.0070	4,594		小信号= <200ma（io（io），任何速度													1对公共阳极	175 v	200mA	1.1 V @ 200 ma	50 ns	100 NA @ 175 V	150°C （最大）
IRF520	1.0000	RFQ	7757	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道		100 v	9.2A（TC）	10V	270MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	60W（TC）
SI9435DY	-	RFQ	6076	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	-	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道		30 V	5.3a（ta）	4.5V，10V	50mohm @ 5.3a，10v	3V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±20V	690 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
BD243B	-	RFQ	8139	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	BD243			65 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1																									80 V	6 a						700µA			NPN	1.5V @ 1a，6a	15 @ 3a，4V	-
MBRS320	-	RFQ	5733	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	DO-214AB，SMC	MBRS320		肖特基		SMC（do-214ab）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														20 v		500 mv @ 3 a		2 ma @ 20 V	-65°C〜125°C	4a	-
FQPF12N60C-FS	1.0000	RFQ	7327	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	不适用	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1			n通道		600 v	12A（TC）	10V	650MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±30V	2290 pf @ 25 V	-	51W（TC）
BCW30	1.0000	RFQ	4650	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				350兆	SOT-23-3	-	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	3,000																									32 v	500 MA						100NA（ICBO）			PNP	300mv @ 500µA，10mA	215 @ 2mA，5v	-
FDFS2P102A	1.0800	RFQ	193	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	2,500			P通道		20 v	3.3a（ta）	4.5V，10V	125mohm @ 3.3a，10v	3V @ 250µA	3 NC @ 5 V	±20V	182 PF @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	900MW（TA）
FDMF5808	1.0000	RFQ	4017	Fairchild半导体	*	大部分	积极的										-	不适用	3（168））	供应商不确定				3,000

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²