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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
FDS4885C	1.0000	RFQ	6937	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		FDS48		MOSFET （金属 o化物）	900MW		8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	1	n和p通道							40V	7.5a，6a		22mohm @ 7.5a，10v	5V @ 250µA	21NC @ 10V		900pf @ 20V	-
gbu4k	1.0000	RFQ	6366	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBU		GBU4		标准			gbu	下载					Ear99	8541.10.0080	1																			1.1 V @ 4 A		5 µA @ 800 V		2.8 a										单相	800 v
DFB2080	1.3600	RFQ	11	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，TS-6P				标准			TS-6P	下载					Ear99	8541.10.0080	222																			1.1 V @ 20 A		10 µA @ 800 V		20 a										单相	800 v
FJV4103RMTF	-	RFQ	9217	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		FJV410			200兆		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	4,244																										50 V	100 ma											100NA（ICBO）					pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	56 @ 5mA，5V	200 MHz	22 KOHMS	22 KOHMS
KSA733GBU	0.0200	RFQ	105	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		KSA733			250兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1																										50 V	150 ma											100NA（ICBO）					PNP	300mv @ 10mA，100mA	200 @ 1mA，6v	180MHz
HGT1S3N60A4DS9A	1.6600	RFQ	4	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			标准		70 W		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50				390V，3A，50OHM，15V																29 ns					-	600 v	17 a	40 a	2.7V @ 15V，3A	（37µJ）（在），25µJ（25µJ）中	21 NC	6NS/73NS
gbu8ks	0.8900	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBU				标准			gbu	下载					Ear99	8541.10.0080	365																			1 V @ 8 A		5 µA @ 800 V		8 a										单相	800 v
MMBF4092	-	RFQ	5834	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MMBF40			350兆		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000			n通道												16pf @ 20V																				40 V	15 ma @ 20 V	2 V @ 1 na					50欧姆
FDMS3622S	-	RFQ	2375	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		FDMS3622		MOSFET （金属 o化物）	1W		Power56	下载					Ear99	8542.39.0001	1	2 n 通道（双）							25V	17.5a，34a		5mohm @ 17.5A，10V	2V @ 250µA	26NC @ 10V		1570pf @ 13V	逻辑级别门
FDZ372NZ	1.3600	RFQ	978	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-XFBGA，WLCSP				MOSFET （金属 o化物）			4-WLCSP（1x1）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	5,000			n通道					20 v	4.7a（ta）		50MOHM @ 2A，4.5V	1V @ 250µA	9.8 NC @ 4.5 V		685 pf @ 10 V	-	1.7W（TA）
FQP3N60	0.5900	RFQ	45	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道					600 v	3A（TC）	10V	3.6OHM @ 1.5A，10V	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	450 pf @ 25 V	-	75W（TC）
IRFI614BTUFP001	0.1200	RFQ	3	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA				MOSFET （金属 o化物）			i2pak（（TO-262）	下载	不适用	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道					250 v	2.8A（TC）	10V	2ohm @ 1.4A，10V	4V @ 250µA	10.5 NC @ 10 V	±30V	275 pf @ 25 V	-	3.13W（ta），40W（TC）
kbu8b	1.0000	RFQ	3826	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbu				标准			KBU	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	200																			1 V @ 8 A		10 µA @ 100 V		8 a										单相	100 v
1N5235B	0.0200	RFQ	561	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向					500兆		DO-35（do-204AH）	下载					Ear99	8541.10.0050	15,000																			1.2 V @ 200 ma		3 µA @ 5 V																			6.8 v	5欧姆
KBU6M	-	RFQ	3266	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbu				标准			KBU	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	1																			1 V @ 6 A		10 µA @ 1 V		6 a										单相	1 kV
FQAF16N25C	0.9200	RFQ	360	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3				MOSFET （金属 o化物）			to-3pf	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	360			n通道					250 v	11.4A（TC）	10V	270MOHM @ 5.7A，10V	4V @ 250µA	53.5 NC @ 10 V	±30V	1080 pf @ 25 V	-	73W（TC）
KSC1623LMTF	-	RFQ	9122	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					200兆		SOT-23-3	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-KSC1623LMTF-600039			1																										50 V	100 ma											100NA（ICBO）					NPN	300mv @ 10mA，100mA	300 @ 1mA，6v	250MHz
ISL9N310AD3	0.4100	RFQ	3	Fairchild半导体	Ultrafet®	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK				MOSFET （金属 o化物）			TO-251（IPAK）	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			n通道					30 V	35A（TC）	4.5V，10V	10ohm @ 35a，10a	3V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±20V	1800 pf @ 15 V	-	70W（TA）
KSC1675CYBU	0.0500	RFQ	112	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					250兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	1,000																										30 V	50 mA											100NA（ICBO）					NPN	300mv @ 1mA，10mA	120 @ 1mA，6v	300MHz
FJV4104RMTF	0.0200	RFQ	9030	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		FJV410			200兆		SOT-23-3	下载	不适用				Ear99	8541.21.0075	3,000																										50 V	100 ma											100NA（ICBO）					pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	200 MHz	47科姆斯	47科姆斯
FJP5021OTU	-	RFQ	2764	Fairchild半导体	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3					50 W		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000																										500 v	5 a											10µA（ICBO）					NPN	1V @ 600mA，3a	20 @ 600mA，5V	18MHz
FSB32560	32.7700	RFQ	4	Fairchild半导体	motionspm®3	大部分	积极的			通过洞	27-PowerDip 模块（1.205英寸，30.60mm）	IGBT							下载	rohs3符合条件	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	1	3相逆变器				25 a	600 v	2500vrms
fjp3835tu	0.1800	RFQ	1	Fairchild半导体	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3					50 W		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0075	1,767																										120 v	8 a											100µA（ICBO）					NPN	500mv @ 300mA，3a	120 @ 3A，4V	30MHz
1N4148-T50A	0.0300	RFQ	5	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		1N4148		标准			DO-35（do-204AH）	下载					Ear99	8541.10.0070	11,539		小信号= <200ma（io（io），任何速度																100 v	1 V @ 10 mA	4 ns	5 µA @ 75 V	175°c （最大）	200mA	4pf @ 0v，1MHz
MM3Z3V0C	0.0200	RFQ	9665	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F					200兆		SOD-323F	下载					Ear99	8541.10.0050	8,889																			1 V @ 10 mA		9 µA @ 1 V																			3 V	89欧姆
FQPF5N50C	1.0000	RFQ	5408	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）			TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50			n通道					500 v	5A（TC）	10V	1.4OHM @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±30V	625 pf @ 25 V	-	38W（TC）
FMG2G75US120	55.8100	RFQ	45	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	7 pm-ga		FMG2			445 w	标准	7 pm-ga	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	半桥																								-	1200 v	75 a		3V @ 15V，75a									3 ma	不
2N3391A	-	RFQ	8172	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					625兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	2,000																										25 v	500 MA											100NA（ICBO）					NPN	-	250 @ 2mA，4.5V	-
S2D	-	RFQ	2723	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	DO-214AA，SMB				标准			SMB（do-214AA）	下载					Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																200 v	1.15 V @ 2 A	1.5 µs	5 µA @ 200 V	-50°C〜150°C	2a	-
KSD1616ALBU	0.0700	RFQ	490	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					750兆w		TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	10,000																										60 V	1 a											100NA（ICBO）					NPN	300mv @ 50mA，1a	300 @ 100mA，2V	160MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²