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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	获得	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
NDS355AN-F169	-	RFQ	4005	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156S35555AN-F169-600039			1			n通道					30 V	1.7A（TA）	4.5V，10V	85MOHM @ 1.9A，10V	2V @ 250µA	5 nc @ 5 V	±20V	195 pf @ 15 V	-	500MW（TA）
FQAF19N20L	1.0900	RFQ	1	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3			MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	360			n通道					200 v	16A（TC）	5V，10V	140MOHM @ 8A，10V	2V @ 250µA	35 NC @ 5 V	±20V	2200 PF @ 25 V	-	85W（TC）
2SA1381CSTU	0.1000	RFQ	7907	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3				7 W	TO-126-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0075	400																									300 v	100 ma	100NA（ICBO）			PNP	600mv @ 2mA，20mA	40 @ 10mA，10v	150MHz
RURD620	0.7100	RFQ	4	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			标准		我帕克	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																200 v	1 V @ 6 A	30 ns	100 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	6a	-
KSC2669YTA	0.0200	RFQ	9489	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3				200兆	TO-92S	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,752																									30 V	30 ma	100NA（ICBO）			NPN	400mv @ 1mA，10mA	120 @ 2mA，12v	250MHz
KSC815YBU	0.0600	RFQ	50	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				400兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	1,000																									45 v	200 ma	100NA（ICBO）			NPN	400mv @ 15mA，150mA	120 @ 50mA，1V	200MHz
FQPF33N10	-	RFQ	6086	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道					100 v	18A（TC）	10V	52MOHM @ 9A，10V	4V @ 250µA	51 NC @ 10 V	±25V	1500 pf @ 25 V	-	41W（TC）
2N4126TFR	0.0200	RFQ	20	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	15,000																									25 v	200 ma	50NA（iCBO）			PNP	400mv @ 5mA，50mA	120 @ 2mA，1V	250MHz
HRF3205	1.5800	RFQ	82	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	400			n通道					55 v	100A（TC）		8mohm @ 59a，10v	4V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±20V	4000 pf @ 25 V	-	175W（TC）
flz3v6b	0.0200	RFQ	2081	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80				500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	2,077																			1.2 V @ 200 ma		2.8 µA @ 1 V							3.7 v	48欧姆
FDR8702H	0.7500	RFQ	254	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tsop （0.130英寸，3.30mm）		FDR87	MOSFET （金属 o化物）	800MW	Supersot™-8	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道							20V	3.6a，2.6a		38mohm @ 3.6A，4.5V	1.5V @ 250µA	10NC @ 4.5V		650pf @ 10V	逻辑级别门
RGP10A	0.0600	RFQ	55	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向			标准		do-41	下载		供应商不确定	供应商不确定	2156-RGP10A-600039			5,362		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																50 V	1.3 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
ISL9N312AD3ST_NL	-	RFQ	9363	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	184			n通道					30 V	50A（TC）	4.5V，10V	12mohm @ 50a，10v	3V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	1450 pf @ 15 V	-	75W（ta）
NDS8934	0.5700	RFQ	4	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		NDS893	MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	2,500	2（p 通道（双）							20V	3.8a		70MOHM @ 3.8A，4.5V	1V @ 250µA	30nc @ 4.5V		1120pf @ 10V	逻辑级别门
Bay72Tr	0.0300	RFQ	110	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			标准		DO-35（do-204AH）	下载					Ear99	8541.10.0070	8,663		小信号= <200ma（io（io），任何速度																125 v	1 V @ 100 ma	50 ns	100 na @ 100 V	175°c （最大）	200mA	5pf @ 0v，1MHz
KSH117TF	-	RFQ	3635	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				1.75 w	TO-252-3（DPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	2,000																									100 v	2 a	20µA			pnp-达灵顿	3V @ 40mA，4a	1000 @ 2a，3v	25MHz
MMBT2907AK	1.0000	RFQ	1193	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				350兆	SOT-23-3	-	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	3,000																									60 V	600 MA	10NA（ICBO）			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	200MHz
2N5086	-	RFQ	2079	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				1.5 w	到92	下载		供应商不确定	到达受影响	2156-2N5086-600039			1																									50 V	50 mA	50NA（iCBO）			PNP	300mv @ 1mA，10mA	150 @ 1mA，5V	40MHz
BAV21-T50A	244.9900	RFQ	85	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			标准		DO-35（do-204AH）	-				2156-BAV21-T50A			2		小信号= <200ma（io（io），任何速度																250 v	1.25 V @ 200 ma	50 ns	100 na @ 200 V	175°C	200mA	5pf @ 0v，1MHz
FQI17N08TU	0.5100	RFQ	1	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道					80 V	16.5A（TC）	10V	115MOHM @ 8.25a，10V	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±25V	450 pf @ 25 V	-	3.13W（ta），65W（tc）
KSC1393BU	0.0200	RFQ	3503	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				250MW	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	3,035				20db〜24dB																					30V	20mA				NPN		60 @ 2mA，10v	700MHz			2db〜3dB @ 200MHz
KSA1015GRBU	-	RFQ	8313	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				400兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	7,820																									50 V	150 ma	100NA（ICBO）			PNP	300mv @ 10mA，100mA	200 @ 2mA，6v	80MHz
FQPF8N90C	1.1700	RFQ	2	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		FQPF8	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道					900 v	6.3a（TC）	10V	1.9OHM @ 3.15a，10V	5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±30V	2080 pf @ 25 V	-	60W（TC）
FJNS4202RTA	0.0200	RFQ	477	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			通过洞	TO-226-3，TO-92-3		FJNS42		300兆	TO-92S	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	3,000																									50 V	100 ma	100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	200 MHz	10 kohms	10 kohms
FSB50325T	7.2900	RFQ	189	Fairchild半导体	MOTIONSPM®5	大部分	积极的			通过洞	23-powersmd模块，鸥翼	MOSFET					下载	rohs3符合条件	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	1	3相逆变器				1.5 a	250 v	1500vrms
MMBT3904SL	-	RFQ	6194	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-923F		MMBT3904		227兆	SOT-923F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	6,264																									40 V	200 ma	-			NPN	300mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	300MHz
FQU5N60CTU	0.4300	RFQ	4	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载					Ear99	8542.39.0001	695			n通道					600 v	2.8A（TC）	10V	2.5OHM @ 1.4A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±30V	670 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），49W（tc）
1N964B	2.0200	RFQ	18	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	149																					5 µA @ 9.9 V							13 V	13欧姆
KSC5504DTTU	0.2200	RFQ	13	Fairchild半导体	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				75 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50																									600 v	4 a	100µA			NPN	1.5V @ 400mA，2a	4 @ 2a，1V	11MHz
MMBT2484	-	RFQ	7247	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MMBT2484		350兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000																									60 V	100 ma	10NA（ICBO）			NPN	350mv @ 100µA，1mA	100 @ 10µA，5V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²