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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	获得	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
sgp5n60ruftu	0.5100	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		SGP6N	标准		60 W		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1				300V，5A，40OHM，15V																								-	600 v	8 a	15 a	2.8V @ 15V，5A		24 NC	13ns/34ns
FQD5N30TF	0.3700	RFQ	6	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）			TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道						300 v	4.4A（TC）	10V	900MOHM @ 2.2a，10V	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	430 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），45W（（（（（（（（（（
FCI17N60	-	RFQ	7348	Fairchild半导体	*	大部分	积极的						FCI17		-				-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				1																	-
FSB50450UD	6.0600	RFQ	489	Fairchild半导体	MOTIONSPM®5	大部分	积极的			通过洞	23-PowerDip 模块（ 0.551英寸，14.00mm）	MOSFET	FSB50450						下载	rohs3符合条件	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	1	3期					1.5 a	500 v	1500vrms
KSB1151YSTU	0.3900	RFQ	35	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3					1.3 w		TO-126-3	下载					Ear99	8542.39.0001	831																													60 V	5 a						10µA（ICBO）				PNP	300mv @ 200mA，2a	160 @ 2a，1V	-
2SD1111-AA	0.1200	RFQ	111	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					600兆		3-np	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1																													50 V	700 MA						100NA（ICBO）				npn-达灵顿	1.2V @ 100µA，100mA	5000 @ 50mA，2V	200MHz
1N966B	2.0200	RFQ	65	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向					500兆		DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	149																								5 µA @ 12.2 V														16 V	17欧姆
sgh30n60ruftu	-	RFQ	2893	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		SGH30N60	标准		235 w		to-3pn	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	450				300V，30a，7ohm，15V																								-	600 v	48 a	90 a	2.8V @ 15V，30a	（919µJ）（在），814µj（（（（）	85 NC	30ns/54ns
MMBD1705	0.3400	RFQ	42	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				标准			SOT-23-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																	1对公共阳极	30 V	50mA	1.1 V @ 50 mA	700 ps	50 na @ 20 V	150°C （最大）
KSD5041QTA	0.0900	RFQ	65	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		KSD5041			750兆w		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1																													20 v	5 a						100NA（ICBO）				NPN	1V @ 100mA，3a	230 @ 500mA，2V	150MHz
IRFS520A	0.3400	RFQ	2724	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）			TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	640			n通道						100 v	7.2A（TC）	10V	200mohm @ 3.6a，10v	4V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	480 pf @ 25 V	-	28W（TC）
FPF1C2P5MF07AM	1.0000	RFQ	6901	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	F1模块					231 w	单相桥梁整流器	F1	下载						0000.00.0000	1	完整的桥梁逆变器																											-	620 v	39 a		1.6V @ 15V，30a				25 µA	不
BZX84C5V1	-	RFQ	5914	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BZX84C5			300兆		SOT23-3（TO-236）	-						0000.00.0000	1																								2 µA @ 2 V														5.1 v	60欧姆
RURP860	-	RFQ	7415	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	TO-220-2				标准			TO-220-2	下载					Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																		600 v		1.5 V @ 8 A	70 ns	100 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	8a	-
FQPF13N10	0.6100	RFQ	146	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）			TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道						100 v	8.7A（TC）	10V	180MOHM @ 4.35a，10V	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±25V	450 pf @ 25 V	-	30W（TC）
FDN352AP	1.0000	RFQ	6950	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		FDN352		MOSFET （金属 o化物）			SOT-23-3	下载					Ear99	8541.21.0095	1			P通道						30 V	1.3a（ta）	4.5V，10V	180MOHM @ 1.3A，10V	2.5V @ 250µA	1.9 NC @ 4.5 V	±25V	150 pf @ 15 V	-	500MW（TA）
NDS355AN-F169	-	RFQ	4005	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				MOSFET （金属 o化物）			SOT-23-3	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156S35555AN-F169-600039			1			n通道						30 V	1.7A（TA）	4.5V，10V	85MOHM @ 1.9A，10V	2V @ 250µA	5 nc @ 5 V	±20V	195 pf @ 15 V	-	500MW（TA）
TIP32C	-	RFQ	4328	Fairchild半导体	TIP32C	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3					2 w		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	476																													100 v	3 a						300µA				PNP	1.2V @ 375mA，3a	25 @ 1A，4V	3MHz
BZX79C47	0.0200	RFQ	79	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		BZX79C47			500兆		do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																						1.5 V @ 100 ma		50 NA @ 32.9 V														47 V	170欧姆
KSC2258ASTU	0.1200	RFQ	33	Fairchild半导体	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3					4 W		TO-126-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0075	60																													300 v	100 ma						-				NPN	1.2V @ 5mA，50mA	40 @ 40mA，20v	100MHz
FCPF11N60	1.7200	RFQ	461	Fairchild半导体	SuperFet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）			TO-220F-3	下载					Ear99	8542.39.0001	175			n通道						600 v	11A（TC）	10V	380MOHM @ 5.5A，10V	5V @ 250µA	52 NC @ 10 V	±30V	1490 pf @ 25 V	-	36W（TC）
FDD26AN06A0	0.9400	RFQ	42	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）			TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道						60 V	（7A）（ta），36a （TC）	10V	26mohm @ 36a，10v	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	800 pf @ 25 V	-	75W（TC）
KSH200TF-FS	-	RFQ	7217	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		KSH200					TO-252-3（DPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	2,000																																				100NA（ICBO）				NPN	1.8V @ 1a，5a	70 @ 500mA，1V	65MHz
FJY3006R	0.0200	RFQ	18	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			表面安装	SC-89，SOT-490		FJY300			200兆		SOT-523F	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	3,000																													50 V	100 ma						100NA（ICBO）				npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	250 MHz	10 kohms	47科姆斯
KSC2756RMTF	0.0200	RFQ	7282	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					150MW		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,740					15DB〜23DB																								20V	30mA										NPN		60 @ 5mA，10v	850MHz			6.5db @ 200MHz
FDFS2P753Z	0.2900	RFQ	422	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）			8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	2,500			P通道						30 V	3A（3A）		115MOHM @ 3A，10V	3V @ 250µA	9.3 NC @ 10 V	±25V	455 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	1.6W（TA）
BDX54CTU-FS	-	RFQ	3947	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3					65 w		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1																													100 v	8 a						500µA				pnp-达灵顿	4V @ 12mA，3a	750 @ 3a，3v	-
BC859AMTF	0.0500	RFQ	51	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					310 MW		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	3,000																													30 V	100 ma						15NA（icbo）				PNP	650mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	150MHz
FCD3400N80Z	-	RFQ	3323	Fairchild半导体	SuperFet®II	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）			TO-252，（-d-pak）	下载						0000.00.0000	1			n通道						800 v	2A（TC）	10V	3.4OHM @ 1A，10V	4.5V @ 200µA	9.6 NC @ 10 V	±20V	400 pf @ 100 V	-	32W（TC）
MBR745	1.0000	RFQ	7811	Fairchild半导体	SwitchMode™	大部分	积极的			通过洞	TO-220-2		MBR745		肖特基			TO-220-2	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																		45 v		570 mv @ 7.5 A		1 mA @ 45 V	-65°C〜175°C	7.5a	400pf @ 5V，1MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²