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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
KSA642YBU	0.0200	RFQ	144	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				400兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	1,000																								25 v	300 MA	100NA（ICBO）			PNP	600mv @ 30mA，300mA	120 @ 50mA，1V	-
2N4401TF	0.0400	RFQ	8	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				625兆	TO-92-3	下载					Ear99	8541.21.0075	8,398																								40 V	600 MA	-			NPN	750mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，1V	250MHz
MMBT5551	0.0400	RFQ	227	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				350兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																								160 v	600 MA	50NA（iCBO）			NPN	200mv @ 5mA，50mA	80 @ 10mA，5V	100MHz
KSP92BU	0.0500	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				625兆	TO-92-3	下载					Ear99	8541.21.0095	6,073																								300 v	500 MA	250NA（ICBO）			PNP	500mv @ 2mA，20mA	25 @ 30mA，10v	50MHz
FPDB50PH60	39.0400	RFQ	5	Fairchild半导体	PFCSPM®3	管子	积极的			通过洞	27-PowerDip 模块（1.205英寸，30.60mm）	IGBT	FPDB50				下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	2期			30 a	600 v	2500vrms
SI6963DQ	0.2300	RFQ	5	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）		SI6963	MOSFET （金属 o化物）	600MW（TA）	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	1	2（p 通道（双）						20V	3.8A（TA）		43mohm @ 3.8A，4.5V	1.5V @ 250µA	16nc @ 4.5V		1015pf @ 10V	-
BZX85C18	0.0300	RFQ	61	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向				1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																		1.2 V @ 200 ma		500 NA @ 12.5 V							18 V	20欧姆
BC32725	0.0600	RFQ	53	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,000																								45 v	800 MA	100NA			PNP	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	100MHz
FCPF190N60-F152	-	RFQ	5550	Fairchild半导体	SuperFet®II	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-FCPF190N60-F152	Ear99	8541.29.0095	1			n通道				600 v	20.2A（TC）	10V	199mohm @ 10a，10v	3.5V @ 250µA	74 NC @ 10 V	±20V	2950 pf @ 25 V	-	39W（TC）
FDP3205	1.1800	RFQ	2	Fairchild半导体	PowerTrench®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50			n通道				55 v	100A（TC）	10V	7.5MOHM @ 59A，10V	5.5V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	7730 PF @ 25 V	-	150W（TC）
2SD1111-AA	0.1200	RFQ	111	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				600兆	3-np	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1																								50 V	700 MA	100NA（ICBO）			npn-达灵顿	1.2V @ 100µA，100mA	5000 @ 50mA，2V	200MHz
KSB1151YS	0.3600	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3				1.3 w	TO-126-3	下载						0000.00.0000	838																								60 V	5 a	10µA（ICBO）			PNP	300mv @ 200mA，2a	100 @ 2a，1V	-
FDMS3602S	1.7100	RFQ	1	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		FDMS3602	MOSFET （金属 o化物）	1W	Power56	下载					Ear99	8542.39.0001	192	2 n 通道（双）						25V	15a，26a		5.6mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	27nc @ 10V		1680pf @ 13V	逻辑级别门
IRFP460C	-	RFQ	8134	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3			MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	30			n通道				500 v	20A（TC）	10V	240mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±30V	6000 pf @ 25 V	-	235W（TC）
FDN357N	0.1500	RFQ	3	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载					Ear99	8541.21.0095	1,976			n通道				30 V	1.9a（ta）	4.5V，10V	60mohm @ 2.2a，10v	2V @ 250µA	5.9 NC @ 5 V	±20V	235 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
FQAF7N90	1.4700	RFQ	877	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3			MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	360			n通道				900 v	5.2A（TC）	10V	1.55ohm @ 2.6a，10V	5V @ 250µA	59 NC @ 10 V	±30V	2280 pf @ 25 V	-	107W（TC）
FQPF10N20	0.4100	RFQ	3066	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	16			n通道				200 v	6.8A（TC）	10V	360MOHM @ 3.4A，10V	5V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±30V	670 pf @ 25 V	-	40W（TC）
FNF51060TD1	8.0900	RFQ	766	Fairchild半导体	MOTIONSPM®55	大部分	积极的			通过洞	20-PowerDip 模块（1.220英寸，31.00mm）	IGBT					下载	rohs3符合条件	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	1	3相逆变器			10 a	600 v	1500vrms
HUF75344P3_NL	1.1800	RFQ	312	Fairchild半导体	Ultrafet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道				55 v	75A（TC）	10V	8mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	210 NC @ 20 V	±20V	3200 PF @ 25 V	-	285W（TC）
SSS4N60BT	0.3100	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			n通道				600 v	4A（TJ）	10V	2.5OHM @ 2A，10V	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±30V	920 PF @ 25 V	-	33W（TC）
S3GB	-	RFQ	8955	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			表面安装	DO-214AA，SMB			标准		DO-214AA（SMB）	下载					Ear99	8541.10.0080	622		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）															400 v	1.15 V @ 3 A	1.5 µs	10 µA @ 400 V	-55°C〜150°C	3a	18pf @ 0v，1MHz
FFPF15U20STU	1.0000	RFQ	2855	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	TO-220-2完整包			标准		TO-220F-2L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）															200 v	1.2 V @ 15 A	40 ns	15 µA @ 200 V	-65°C〜150°C	15a	-
HUFA76409D3S	0.2500	RFQ	1	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,224			n通道				60 V	18A（TC）	4.5V，10V	63mohm @ 18a，10v	3V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±16V	485 pf @ 25 V	-	49W（TC）
BCX70J	0.0300	RFQ	7992	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				350兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	490																								45 v	200 ma	20NA			NPN	550mv @ 1.25mA，50mA	250 @ 2mA，5v	125MHz
FJY3015R	0.0200	RFQ	19	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			表面安装	SC-89，SOT-490		FJY301			SOT-523F	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	3,000																								50 V	100 ma	100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	33 @ 10mA，5V	250 MHz	2.2 kohms	10 kohms
FDU6676AS	0.2700	RFQ	1	Fairchild半导体	PowerTrench®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	75			n通道				30 V	90A（ta）	4.5V，10V	5.8mohm @ 16a，10v	3V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±20V	2470 pf @ 15 V	-	70W（TA）
1N5243B	0.0300	RFQ	55	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆	do-35	下载					Ear99	8541.10.0050	11,539																		900 mv @ 200 ma		500 NA @ 9.9 V							13 V	13欧姆
NDS9953A	0.5700	RFQ	282	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		NDS995	MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	2,500	2（p 通道（双）						30V	2.9a		130MOHM @ 1A，10V	2.8V @ 250µA	25nc @ 10V		350pf @ 10V	逻辑级别门
FQI4N25TU	0.1900	RFQ	8002	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,175			n通道				250 v	3.6A（TC）	10V	1.75OHM @ 1.8A，10V	5V @ 250µA	5.6 NC @ 10 V	±30V	200 pf @ 25 V	-	3.13W（ta），52W（（ta）
HUF75829D3	0.4900	RFQ	4	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,800			n通道				150 v	18A（TC）	10V	110MOHM @ 18A，10V	4V @ 250µA	70 NC @ 20 V	±20V	1080 pf @ 25 V	-	110W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²