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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）
FGPF4536	0.7300	RFQ	104	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	TO-220-3完整包			标准		28.4 w	TO-220F-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1				-																					沟	360 v		220 a	1.8V @ 15V，50a	-	47 NC	-
FQP4N50	0.2700	RFQ	2	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载		不适用	到达不受影响	2156-FQP4N50-600039			1			n通道					500 v	3.4A（TC）	10V	2.7OHM @ 1.7A，10V	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	460 pf @ 25 V	-	70W（TC）
BC549BBU	-	RFQ	7555	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	1,000																										30 V	100 ma						15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	300MHz
FSBM15SH60A	18.5600	RFQ	119	Fairchild半导体	SPM®	大部分	积极的			通过洞	32-PowerDip 模块（1.370英寸，34.80mm）	IGBT						下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	48	3期				15 a	600 v	2500vrms
FDC796N	0.6400	RFQ	988	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-SSOT平高，Supersot™-6 FLMP				MOSFET （金属 o化物）		supersot™-6 flmp	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道					30 V	12.5A（TA）	4.5V，10V	9MOHM @ 12.5a，10V	3V @ 250µA	20 nc @ 5 V	±20V	1444 pf @ 15 V	-	2W（TA）
FMB2227A	-	RFQ	4991	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6		FMB2227			700MW	SuperSot™-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-FMB2227A-600039			1																										30V	500mA						30na（icbo）			NPN，PNP	1.4V @ 30mA，300mA	30 @ 300mA，10v	250MHz
FDP7030BL	0.6900	RFQ	72	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载					Ear99	8542.39.0001	436			n通道					30 V	60a（ta）	4.5V，10V	9mohm @ 30a，10v	3V @ 250µA	24 NC @ 5 V	±20V	1760 pf @ 15 V	-	60W（TC）
MMBD1705	0.3400	RFQ	42	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				标准		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																1对公共阳极	30 V	50mA	1.1 V @ 50 mA	700 ps	50 na @ 20 V	150°C （最大）
MMBTA92	-	RFQ	3884	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					350兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																										300 v	500 MA						250NA（ICBO）			PNP	500mv @ 2mA，20mA	40 @ 10mA，10v	50MHz
TIP32BTU	0.5900	RFQ	8	Fairchild半导体	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3					2 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000																										80 V	3 a						200µA			PNP	1.2V @ 375mA，3a	10 @ 3A，4V	3MHz
FDS2070N7	2.0100	RFQ	15	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道					150 v	4.1a（ta）	6V，10V	78MOHM @ 4.1A，10V	4V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±20V	1884 PF @ 75 V	-	（3W）（TA）
BC857CMTF	0.0200	RFQ	105	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BC857			310 MW	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000																										45 v	100 ma						15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	150MHz
ISL9N306AD3	0.8700	RFQ	8	Fairchild半导体	Ultrafet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA				MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道					30 V	50A（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 50a，10v	3V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±20V	3400 PF @ 15 V	-	125W（TA）
BC856BMTF	-	RFQ	3208	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BC856			310 MW	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000																										65 v	100 ma						15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	150MHz
FGA70N30TTU	2.3200	RFQ	1	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3			标准		201 w	to-3pn	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	30				-																					沟	300 v		160 a	1.5V @ 15V，20A	-	125 NC	-
TIP41B	-	RFQ	1628年	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3					2 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																										80 V	6 a						700µA			NPN	1.5V @ 600mA，6a	30 @ 300mA，4V	3MHz
BZX85C22	0.0300	RFQ	41	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	通过洞	do-204al，do-41，轴向		BZX85C22			1.3 w	do-41g	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																					1.2 V @ 200 ma		500 NA @ 16 V											22 v	25欧姆
FQI4N20	-	RFQ	4903	Fairchild半导体	QFET™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA				MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	950			n通道					200 v	3.6A（TC）	10V	1.4OHM @ 1.8A，10V	5V @ 250µA	6.5 NC @ 10 V	±30V	220 pf @ 25 V	-	3.13W（TA），45W（（（（（（（（（（
BZX79C18-T50A	0.0300	RFQ	45	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向					500兆	DO-35（do-204AH）	下载					Ear99	8541.10.0050	11,539																					1.5 V @ 100 ma		50 NA @ 12.6 V											18 V	45欧姆
FQAF15N70	2.7500	RFQ	295	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3				MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	360			n通道					700 v	9.5A（TC）	10V	560MOHM @ 4.8A，10V	5V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±30V	3600 PF @ 25 V	-	120W（TC）
HUFA753073	0.2000	RFQ	10	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	400			n通道					55 v	15A（TC）	10V	90mohm @ 15a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 20 V	±20V	250 pf @ 25 V	-	45W（TC）
FJY3009R	1.0000	RFQ	8646	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			表面安装	SC-89，SOT-490		FJY300			200兆	SOT-523F	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	3,000																										40 V	100 ma						100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 1mA，10mA	100 @ 1mA，5V	250 MHz	4.7科姆斯
FDS6572A	1.7300	RFQ	373	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道					20 v	16A（TA）	2.5V，4.5V	6mohm @ 16a，4.5V	1.5V @ 250µA	80 NC @ 4.5 V	±12V	5914 pf @ 10 V	-	2.5W（TA）
FD6M043N08	6.6400	RFQ	1	Fairchild半导体	Power-SPM™	管子	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	EPM15		FD6M043		MOSFET （金属 o化物）	-	EPM15	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	19	2 n 通道（双）							75V	65a		4.3mohm @ 40a，10v	4V @ 250µA	148nc @ 10V		6180pf @ 25V	-
SSW4N60BTM	-	RFQ	2800	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道					600 v	4A（TC）	10V	2.5OHM @ 2A，10V	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±30V	920 PF @ 25 V	-	3.13W（TA），100W（（（（（（（（（（
BC32840TA	0.0200	RFQ	6097	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）					625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	14,000																										25 v	800 MA						100NA			PNP	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，1V	100MHz
MBRP1545NTU	0.5300	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	TO-220-3				肖特基		TO-220-3	下载					Ear99	8541.10.0080	570		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																1对普通阴极	45 v	15a	800 mv @ 15 A		1 mA @ 45 V	-65°C〜150°C
FDB86102LZ	0.8700	RFQ	11	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载					Ear99	8542.39.0001	345			n通道					100 v	8.3a（ta），30a （TC）	4.5V，10V	24mohm @ 8.3a，10v	3V @ 250µA	21 NC @ 10 V	±20V	1275 PF @ 50 V	-	3.1W（TA）
BD241CTU	0.3200	RFQ	6	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		BD241			40 W	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1																										100 v	3 a						300µA			NPN	1.2V @ 600mA，3a	25 @ 1A，4V	-
FDMC6683	-	RFQ	2901	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn				MOSFET （金属 o化物）		8-mlp（3.3x3.3）	下载						0000.00.0000	1			P通道					20 v	12a（12A），18A （TC）	1.8V，5V	8.3mohm @ 12a，4.5V	1V @ 250µA	114 NC @ 4.5 V	±8V	7835 pf @ 10 V	-	2.3W（TA），41W（（（（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²