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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	获得	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
SSU2N60BTU	0.3200	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA				MOSFET （金属 o化物）			我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道						600 v	1.8A（TC）	10V	5ohm @ 900mA，10v	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±30V	490 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），44W（tc）
HUF761213	0.4000	RFQ	26	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道						30 V	47A（TC）	4.5V，10V	21mohm @ 47a，10v	3V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	850 pf @ 25 V	-	75W（TC）
FQI5N20TU	0.3100	RFQ	4	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA				MOSFET （金属 o化物）			i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道						200 v	4.5A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.25a，10V	5V @ 250µA	7.5 NC @ 10 V	±30V	270 pf @ 25 V	-	3.13W（ta），52W（（ta）
FQP11N50CF	1.7700	RFQ	2	Fairchild半导体	FRFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	50			n通道						500 v	11A（TC）	10V	550MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±30V	2055 PF @ 25 V	-	（195W）（TC）
FMC7G15US60	-	RFQ	4427	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块					45 W	三相桥梁整流器	-	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	4	三期逆变器																											-	600 v	15 a		2.8V @ 15V，15a						250 µA	不			948 PF @ 30 V
flz10vb	0.0200	RFQ	15	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80					500兆		SOD-80	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	15,000																						1.2 V @ 200 ma		110 na @ 7 V																9.7 v	6.6欧姆
SGS6N60UFDTU	1.0000	RFQ	9771	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		SGS6N	标准		22 W		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50				300V，3A，80OHM，15V																			52 ns					-	600 v	6 a	25 a	2.6V @ 15V，3A	（57µJ）（在），25µJ（25µJ）中	15 NC	15NS/60NS
RURD620	0.7100	RFQ	4	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA				标准			我帕克	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																		200 v		1 V @ 6 A	30 ns	100 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	6a	-
FDS2070N7	2.0100	RFQ	15	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道						150 v	4.1a（ta）	6V，10V	78MOHM @ 4.1A，10V	4V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±20V	1884 PF @ 75 V	-	（3W）（TA）
FSBM15SH60A	18.5600	RFQ	119	Fairchild半导体	SPM®	大部分	积极的			通过洞	32-PowerDip 模块（1.370英寸，34.80mm）	IGBT							下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	48	3期					15 a	600 v	2500vrms
FGA70N30TTU	2.3200	RFQ	1	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3			标准		201 w		to-3pn	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	30				-																								沟	300 v		160 a	1.5V @ 15V，20A	-	125 NC	-
BC857CMTF	0.0200	RFQ	105	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BC857			310 MW		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000																													45 v	100 ma								15NA（icbo）					PNP	650mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	150MHz
MMBTA92	-	RFQ	3884	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					350兆		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																													300 v	500 MA								250NA（ICBO）					PNP	500mv @ 2mA，20mA	40 @ 10mA，10v	50MHz
MMBD1705	0.3400	RFQ	42	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				标准			SOT-23-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																	1对公共阳极	30 V	50mA	1.1 V @ 50 mA	700 ps	50 na @ 20 V	150°C （最大）
TIP32BTU	0.5900	RFQ	8	Fairchild半导体	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3					2 w		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000																													80 V	3 a								200µA					PNP	1.2V @ 375mA，3a	10 @ 3A，4V	3MHz
BC549BBU	-	RFQ	7555	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					500兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	1,000																													30 V	100 ma								15NA（icbo）					NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	300MHz
FDC796N	0.6400	RFQ	988	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-SSOT平高，Supersot™-6 FLMP				MOSFET （金属 o化物）			supersot™-6 flmp	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道						30 V	12.5A（TA）	4.5V，10V	9MOHM @ 12.5a，10V	3V @ 250µA	20 nc @ 5 V	±20V	1444 pf @ 15 V	-	2W（TA）
BZX79C47	0.0200	RFQ	79	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		BZX79C47			500兆		do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																						1.5 V @ 100 ma		50 NA @ 32.9 V																47 V	170欧姆
DFB2510	1.6400	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，TS-6P		DFB25		标准			TS-6P	下载					Ear99	8541.10.0080	199																						1.1 V @ 25 A		10 µA @ 100 V		25 a										单相	100 v
KSC1730YBU	0.0200	RFQ	584	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					250MW		TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	1,000					-																								15V	50mA													NPN		120 @ 5mA，10v	1.1GHz	-
KSC1393BU	0.0200	RFQ	3503	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					250MW		TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	3,035					20db〜24dB																								30V	20mA													NPN		60 @ 2mA，10v	700MHz	2db〜3dB @ 200MHz
HRF3205	1.5800	RFQ	82	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	400			n通道						55 v	100A（TC）		8mohm @ 59a，10v	4V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±20V	4000 pf @ 25 V	-	175W（TC）
BZX55C7V5_NL	0.0200	RFQ	8115	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向					500兆		DO-35（do-204AH）	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0050	1,000																						1.3 V @ 100 mA		100 na @ 5 V																7.5 v	7欧姆
TIP42CTU-T	0.3000	RFQ	422	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3					2 w		TO-220-3	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-TIP42CTU-T-600039			1																													100 v	6 a								700µA					PNP	1.5V @ 600mA，6a	15 @ 3a，4V	3MHz
KSC1674OBU	0.0200	RFQ	146	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					250MW		TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	1,000					-																								20V	20mA													NPN		70 @ 1mA，6v	600MHz	3DB〜5DB @ 100MHz
FQU9N25TU	0.5600	RFQ	6	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA				MOSFET （金属 o化物）			我帕克	下载					Ear99	8542.39.0001	538			n通道						250 v	7.4A（TC）	10V	420MOHM @ 3.7A，10V	5V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±30V	700 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），55W（tc）
1N6004B	1.8400	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向					500兆		DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	163																						1.2 V @ 200 ma		100 na @ 11 V																15 v	32欧姆
FDD16AN08A0_NF054	1.0000	RFQ	3965	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）			TO-252，（-d-pak）	下载	不适用				Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道						75 v	（9a）（50A），50A （TC）	6V，10V	16mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	47 NC @ 10 V	±20V	1874 PF @ 25 V	-	135W（TC）
FSB50550US	5.0500	RFQ	1	Fairchild半导体	MOTIONSPM®5	大部分	积极的			表面安装	23-powersmd模块，鸥翼	MOSFET	FSB50550						下载	rohs3符合条件	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	65	3期					2 a	500 v	1500vrms
BCW68G	0.0500	RFQ	224	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					350兆		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000																													45 v	800 MA								20NA					PNP	1.5V @ 30mA，300mA	160 @ 100mA，1V	100MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²