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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	获得	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
PN222222TA	-	RFQ	3577	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）					625兆		TO-92-3	下载					Ear99	8541.21.0075	1																											30 V	600 MA									10NA（ICBO）					NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10mv	300MHz
1N5234CTR	0.0200	RFQ	55	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±2％	200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向					500兆		DO-35（do-204AH）	下载					Ear99	8541.10.0050	1																				1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 4 V																	6.2 v	7欧姆
KSC1675CYBU	0.0500	RFQ	112	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					250兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	1,000																											30 V	50 mA									100NA（ICBO）					NPN	300mv @ 1mA，10mA	120 @ 1mA，6v	300MHz
FJP5021OTU	-	RFQ	2764	Fairchild半导体	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3					50 W		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000																											500 v	5 a									10µA（ICBO）					NPN	1V @ 600mA，3a	20 @ 600mA，5V	18MHz
sgp5n60ruftu	0.5100	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		SGP6N	标准		60 W		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1				300V，5A，40OHM，15V																						-	600 v	8 a	15 a	2.8V @ 15V，5A		24 NC	13ns/34ns
HUF753453	-	RFQ	6800	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-HUF75345P3-600039			1			n通道						55 v	75A（TC）	10V	7mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	275 NC @ 20 V	±20V	4000 pf @ 25 V	-	325W（TC）
RURP860	-	RFQ	7415	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	TO-220-2				标准			TO-220-2	下载					Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	600 v	1.5 V @ 8 A	70 ns	100 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	8a	-
1N978B	2.0200	RFQ	32	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向					500兆		DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	162																						5 µA @ 38.8 V																	51 v	125欧姆
FJP1943RTU	1.3400	RFQ	712	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3					80 W		TO-220-3	下载					Ear99	8541.29.0095	225																											230 v	15 a									5µA（ICBO）					PNP	3V @ 800mA，8a	55 @ 1A，5V	30MHz
NDH8502P	0.5900	RFQ	53	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tsop （0.130英寸，3.30mm）		NDH8502		MOSFET （金属 o化物）	800MW（TA）		Supersot™-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）								30V	2.2A（ta）		110MOHM @ 2.2a，10V	3V @ 250µA	14.5nc @ 10V		340pf @ 15V	-
SGU15N40LTU	0.8000	RFQ	11	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		SGU15	标准		45 W		我帕克	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	70				-																						沟	400 v		130 a	8V @ 4.5V，130a	-		-
FGA40T65SHDF	1.0000	RFQ	8593	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3			标准		268 w		to-3pn	下载					Ear99	8542.39.0001	1				400V，40a，6ohm，15V																	101 ns					沟渠场停止	650 v	80 a	120 a	1.81V @ 15V，40a	1.22MJ（在）上，440µJ off）	68 NC	18NS/64NS
FDS6679Z	-	RFQ	1993	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）			8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道						30 V	13A（TA）	4.5V，10V	9MOHM @ 13A，10V	3V @ 250µA	94 NC @ 10 V	+20V，-25V	3803 PF @ 15 V	-	2.5W（TA）
UF4006	0.0800	RFQ	78	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		UF400		标准			do-41	下载					Ear99	8541.10.0080	3,643		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	800 v	1.7 V @ 1 A	75 ns	5 µA @ 800 V	-50°C〜175°C	1a	-
FCH25N60N	3.7500	RFQ	7	Fairchild半导体	Supremos™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3				MOSFET （金属 o化物）			TO-247	下载					Ear99	8542.39.0001	80			n通道						600 v	25A（TC）	10V	126mohm @ 12.5a，10v	4V @ 250µA	74 NC @ 10 V	±30V	3352 PF @ 100 V	-	216W（TC）
FJN3304RTA	0.0200	RFQ	4788	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		FJN330			300兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,000																											50 V	100 ma									100NA（ICBO）					npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	250 MHz	47科姆斯	47科姆斯
FPAB30PH60	14.6200	RFQ	275	Fairchild半导体	SPM®	管子	过时的			通过洞	27-PowerDip 模块（1.205英寸，30.60mm）	IGBT							下载	rohs3符合条件				Ear99	8542.39.0001	10	2期					20 a	600 v	2500vrms
FDMA6023PZT	0.3800	RFQ	369	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫		FDMA6023		MOSFET （金属 o化物）	700MW		6-microfet（2x2）	下载					Ear99	8542.39.0001	792	2（p 通道（双）								20V	3.6a		60mohm @ 3.6A，4.5V	1.5V @ 250µA	17nc @ 4.5V		885pf @ 10V	逻辑级别门
FGPF4565	1.2000	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			标准		30 W		TO-220F-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1				400V，30a，5ohm，15V																						沟渠场停止	650 v		170 a	1.88V @ 15V，30a	-	40.3 NC	11.2NS/40.8NS
SS9018HBU-FS	0.0200	RFQ	384	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					400MW		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1					-																						15V	50mA														NPN		28 @ 1mA，5v	1.1GHz			-
FCP170N60	3.5600	RFQ	1	Fairchild半导体	SuperFet®II	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载					Ear99	8542.39.0001	92			n通道						600 v	22a（TC）	10V	170mohm @ 11a，10v	3.5V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±20V	2860 PF @ 380 V	-	227W（TC）
MMBF4392	-	RFQ	1075	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					350兆		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1			n通道													14pf @ 20V																		30 V	25 ma @ 20 V	2 V @ 1 na					60欧姆
FDMS3606AS	1.0900	RFQ	7	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		FDMS3606		MOSFET （金属 o化物）	1W		8-pqfn（5x6）	下载					Ear99	8542.39.0001	1	2 n 通道（双）								30V	13a，27a		8mohm @ 13a，10v	2.7V @ 250µA	29nc @ 10V		1695pf @ 15V	逻辑级别门
FQPF5N50C	1.0000	RFQ	5408	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）			TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50			n通道						500 v	5A（TC）	10V	1.4OHM @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±30V	625 pf @ 25 V	-	38W（TC）
1N5232B	0.0300	RFQ	37	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞						500兆			下载					Ear99	8541.10.0050	11,539																						5 µA @ 3 V																	5.6 v	11欧姆
BZX79C6V2-T50R	0.0200	RFQ	810	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		BZX79C6			500兆		do-35	下载					Ear99	8541.10.0050	1																				1.5 V @ 100 ma		3 µA @ 4 V																	6.2 v	10欧姆
FQPF1N50	-	RFQ	1398	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）			TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50			n通道						500 v	900mA（TC）	10V	9ohm @ 450mA，10v	5V @ 250µA	5.5 NC @ 10 V	±30V	150 pf @ 25 V	-	16W（TC）
FMG2G75US120	55.8100	RFQ	45	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	7 pm-ga		FMG2			445 w	标准	7 pm-ga	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	半桥																									-	1200 v	75 a		3V @ 15V，75a							3 ma	不
FQU2N60TU	0.6700	RFQ	10	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA				MOSFET （金属 o化物）			我帕克	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	5,040			n通道						600 v	2A（TC）	10V	4.7ohm @ 1A，10V	5V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±30V	350 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），45W（（（（（（（（（（
FDLL4151	0.0200	RFQ	24	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80				标准			SOD-80	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0070	15,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																	75 v	1 V @ 50 mA	4 ns	50 na @ 50 V	-65°C 〜200°C	200mA	4pf @ 0v，1MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²