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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电流 -io（io）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	（ID） - 最大
2N4400TF	0.0200	RFQ	20	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.21.0095	2,000																			40 V	600 MA											-			NPN	750mv @ 50mA，500mA	50 @ 150mA，1V	-
HUFA753093	0.2500	RFQ	13	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	400		n通道		55 v	19a（tc）	10V	70mohm @ 19a，10v	4V @ 250µA	24 NC @ 20 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	55W（TC）
FQN1N60CBU	-	RFQ	2920	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			MOSFET （金属 o化物）		TO-92-3	-	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		600 v	300mA（TC）	10V	11.5ohm @ 150mA，10v	4V @ 250µA	6.2 NC @ 10 V	±30V	170 pf @ 25 V	-	1W（TA），3W（tc）
FGH30N6S2	0.9500	RFQ	7	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		167 w	TO-247	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	150			390V，12a，10ohm，15V															-	600 v	45 a	108 a	2.5V @ 15V，12A	55µJ（在）上，100µJ（100µJ）	23 NC	6NS/40NS
FQPF9N50T	0.9600	RFQ	11	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		500 v	5.3A（TC）	10V	730MOHM @ 2.65a，10V	5V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±30V	1450 pf @ 25 V	-	50W（TC）
FQD3N40TF	0.3700	RFQ	26	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道		400 v	2A（TC）	10V	3.4OHM @ 1A，10V	5V @ 250µA	7.5 NC @ 10 V	±30V	230 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），30W（tc）
HUFA75343G3	1.0200	RFQ	821	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	150		n通道		55 v	75A（TC）	10V	9mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	205 NC @ 20 V	±20V	3000 pf @ 25 V	-	270W（TC）
FDS9933	0.3600	RFQ	20	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS99		MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.21.0095	2,500	2（p 通道（双）			20V	5a		55mohm @ 3.2A，4.5V	1.2V @ 250µA	20NC @ 4.5V		825pf @ 10V	逻辑级别门
HUFA75332S3ST	0.4700	RFQ	44	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		55 v	60a（TC）	10V	19mohm @ 60a，10v	4V @ 250µA	85 NC @ 20 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	145W（TC）
ISL9V303333	1.4100	RFQ	3	Fairchild半导体	Ecospark®	管子	过时的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		逻辑		150 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	400			300V，1KOHM，5V															-	360 v	21 a		1.6V @ 4V，6A	-	17 NC	- /4.8µs
KSD227YBU	0.0200	RFQ	69	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				400兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.21.0095	10,000																			25 v	300 MA											100NA（ICBO）			NPN	400mv @ 30mA，300mA	120 @ 50mA，1V	-
FDD6680	1.4100	RFQ	199	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	12a（12A），46A（tc）	4.5V，10V	10mohm @ 12a，10v	3V @ 250µA	18 nc @ 5 V	±20V	1230 pf @ 15 V	-	3.3W（TA），56w（tc）
FQNL2N50BBU	-	RFQ	4931	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）			MOSFET （金属 o化物）		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	6,000		n通道		500 v	350mA（TC）	10V	5.3OHM @ 175mA，10V	3.7V @ 250µA	8 nc @ 10 V	±30V	230 pf @ 25 V	-	1.5W（TC）
KSC2330RTA	-	RFQ	1943年	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）				1 w	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0075	2,000																			300 v	100 ma											100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 1mA，10mA	40 @ 20mA，10v	50MHz
FJZ594JBTF	0.0200	RFQ	687	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-623F				100兆	SOT-623F	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道									3.5pf @ 5V																	20 v	150 µA @ 5 V	600 mV @ 1 µA								1 MA
FQPF10N20	0.4100	RFQ	3066	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	16		n通道		200 v	6.8A（TC）	10V	360MOHM @ 3.4A，10V	5V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±30V	670 pf @ 25 V	-	40W（TC）
1N5258B	2.0200	RFQ	15	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.10.0050	162														1.2 V @ 200 ma		100 na @ 27 V																36 V	70欧姆
FQA10N80C	-	RFQ	6988	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3			MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		800 v	10A（TC）	10V	1.1OHM @ 5A，10V	5V @ 250µA	58 NC @ 10 V	±30V	2800 PF @ 25 V	-	240W（TC）
FGA120N30DTU	1.4000	RFQ	364	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FGA120N30	标准		290 w	to-3p	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	30			-												21 ns			-	300 v	120 a	300 a	1.4V @ 15V，25a	-	120 NC	-
FLZ16VB	0.0200	RFQ	21	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80				500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.10.0050	15,000														1.2 V @ 200 ma		133 na @ 12 V																15.7 v	15.2欧姆
kbu8d	-	RFQ	4108	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbu			标准		KBU	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.10.0080	200														1 V @ 8 A		10 µA @ 200 V	8 a									单相	200 v
FGA25S125P	-	RFQ	6471	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FGA25S125	标准		250 w	to-3pn	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	30			-															沟渠场停止	1250 v	50 a	75 a	2.35V @ 15V，25a	-	204 NC	-
NDH8304P	0.7000	RFQ	78	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tsop （0.130英寸，3.30mm）	NDH8304		MOSFET （金属 o化物）	800MW	Supersot™-8	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）			20V	2.7a		70MOHM @ 2.7a，4.5V	1V @ 250µA	23nc @ 4.5V		865pf @ 10V	逻辑级别门
FGS15N40LTF	0.5100	RFQ	161	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		标准		2 w	8-SOIC	下载	Rohs不合规	Ear99	8541.29.0095	3,000			-															沟	400 v		130 a	8V @ 4V，130a	-		-
FDZ208P	1.3400	RFQ	5	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	30-WFBGA			MOSFET （金属 o化物）		30-BGA （4x3.5）	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		30 V	12.5A（TA）	4.5V，10V	10.5MOHM @ 12.5A，10V	3V @ 250µA	35 NC @ 5 V	±25V	2409 PF @ 15 V	-	2.2W（ta）
FQP3N60	0.5900	RFQ	45	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		600 v	3A（TC）	10V	3.6OHM @ 1.5A，10V	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	450 pf @ 25 V	-	75W（TC）
FQPF9N25CT	0.5700	RFQ	1	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		250 v	8.8A（TC）	10V	430MOHM @ 4.4A，10V	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±30V	710 PF @ 25 V	-	38W（TC）
FJN3303BU	-	RFQ	6963	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				1.1 w	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	1,000																			400 v	1.5 a											10µA（ICBO）			NPN	3V @ 500mA，1.5a	14 @ 500mA，2V	4MHz
FDJ1028N	0.2900	RFQ	14	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-75-6 FLMP	FDJ1028		MOSFET （金属 o化物）	1.5W	SC75-6 FLMP	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）			20V	3.2a		90MOHM @ 3.2A，4.5V	1.5V @ 250µA	3NC @ 4.5V		200pf @ 10V	逻辑级别门
HUF75637S3ST	1.4800	RFQ	1	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		100 v	44A（TC）	10V	30mohm @ 44a，10v	4V @ 250µA	108 NC @ 20 V	±20V	1700 PF @ 25 V	-	155W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²