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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电流 -io（io）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
MMBT5401	-	RFQ	5571	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				350兆	SOT23-3（TO-236）	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-MMBT5401-600039			1																			150 v	600 MA											50NA（iCBO）				PNP	500mv @ 5mA，50mA	60 @ 10mA，5V	300MHz
KSC1393YTA	0.0200	RFQ	50	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				250MW	TO-92-3	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-KC1393YTA	Ear99	8541.21.0095	1				24dB															30V	20mA															NPN		90 @ 2mA，10v	700MHz	2DB @ 200MHz
FDMS3622S	-	RFQ	2375	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS3622		MOSFET （金属 o化物）	1W	Power56	下载					Ear99	8542.39.0001	1	2 n 通道（双）				25V	17.5a，34a		5mohm @ 17.5A，10V	2V @ 250µA	26NC @ 10V		1570pf @ 13V	逻辑级别门
ISL9N310AD3	0.4100	RFQ	3	Fairchild半导体	Ultrafet®	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK			MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道			30 V	35A（TC）	4.5V，10V	10ohm @ 35a，10a	3V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±20V	1800 pf @ 15 V	-	70W（TA）
KBU6M	-	RFQ	3266	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbu			标准		KBU	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	1															1 V @ 6 A	10 µA @ 1 V	6 a									单相	1 kV
1N5235B	0.0200	RFQ	561	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆	DO-35（do-204AH）	下载					Ear99	8541.10.0050	15,000															1.2 V @ 200 ma	3 µA @ 5 V																6.8 v	5欧姆
MMBF4092	-	RFQ	5834	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBF40			350兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000		n通道										16pf @ 20V																40 V	15 ma @ 20 V	2 V @ 1 na				50欧姆
gbu8ks	0.8900	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBU			标准		gbu	下载					Ear99	8541.10.0080	365															1 V @ 8 A	5 µA @ 800 V	8 a									单相	800 v
FDD5N53TM	0.4000	RFQ	1	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道			530 v	4A（TC）	10V	1.5OHM @ 2A，10V	5V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±30V	640 pf @ 25 V	-	40W（TC）
IRF614BFP001	1.0000	RFQ	7644	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1		n通道			250 v	2.8A（TC）		2ohm @ 1.4A，10V	4V @ 250µA	10.5 NC @ 10 V	±30V	275 pf @ 25 V	-	40W（TC）
MMBZ5248B	0.0200	RFQ	2130	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBZ52			300兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000															900 mv @ 10 ma	100 na @ 14 V																18 V	21欧姆
FQPF19N20T	0.6300	RFQ	2	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF1		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1		n通道			100 v	11.8A（TC）	10V	150MOHM @ 5.9A，10V	5V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±30V	1600 pf @ 25 V	-	50W（TC）
DF01M	0.2600	RFQ	10	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-Edip（0.300英寸，7.62mm）			标准		DFM	下载					Ear99	8541.10.0080	1,151															1.1 V @ 1 A	10 µA @ 100 V	1 a									单相	100 v
FDH047AN08A0	1.0000	RFQ	9498	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道			75 v	15A（TC）	6V，10V	4.7mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	138 NC @ 10 V	±20V	6600 PF @ 25 V	-	310W（TC）
FCH76N60NF	12.8900	RFQ	1	Fairchild半导体	Supremos™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载					Ear99	8541.29.0095	24		n通道			600 v	72.8A（TC）	10V	38mohm @ 38a，10v	5V @ 250µA	300 NC @ 10 V	±30V	11045 PF @ 100 V	-	543W（TC）
FDD6688	1.1100	RFQ	149	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道			30 V	84a（ta）	4.5V，10V	5mohm @ 18a，10v	3V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±20V	3845 pf @ 15 V	-	83w（ta）
FCPF22550N80Z	1.5100	RFQ	1	Fairchild半导体	SuperFet®II	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载					Ear99	8542.39.0001	216		n通道			800 v	2.6A（TC）	10V	2.25OHM @ 1.3A，10V	4.5V @ 260µA	14 NC @ 10 V	±20V	585 pf @ 100 V	-	21.9W（TC）
GBPC25005W	2.7900	RFQ	500	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，GBPC-W	GBPC25005		标准		GBPC-W	下载					Ear99	8541.10.0080	117															1.1 V @ 7.5 A	5 µA @ 50 V	25 a									单相	50 V
DFB2020	1.3600	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，TS-6P			标准		TS-6P	下载					Ear99	8541.10.0080	240															1.1 V @ 20 A	10 µA @ 200 V	20 a									单相	200 v
1N5245B	0.0300	RFQ	65	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆	do-35	下载					Ear99	8541.10.0050	11,539																100 na @ 11 V																15 v	16欧姆
FDMS86152	2.6400	RFQ	1	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载					Ear99	8542.39.0001	114		n通道			100 v	（14A）（TA），45A （TC）	6V，10V	6mohm @ 14a，10v	4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	3370 pf @ 50 V	-	2.7W（ta），125W（tc）
GBPC1210	1.0000	RFQ	8187	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	QC终端	4平方英尺，GBPC			标准		GBPC	下载					Ear99	8541.10.0080	1															1.1 V @ 6 A	5 µA @ 1 V	12 a									单相	1 kV
DF005S1	0.2100	RFQ	6	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼			标准		4-SDIP	下载					Ear99	8541.10.0080	1															1.1 V @ 1 A	3 µA @ 50 V	1 a									单相	50 V
FDS9435A	-	RFQ	8938	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	1		P通道			30 V	5.3a（ta）	4.5V，10V	50mohm @ 5.3a，10v	3V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±25V	528 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
FGH30N6S2	0.9500	RFQ	7	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		167 w	TO-247	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	150			390V，12a，10ohm，15V															-	600 v	45 a	108 a	2.5V @ 15V，12A	55µJ（在）上，100µJ（100µJ）	23 NC	6NS/40NS
kbu6j	0.7100	RFQ	5162	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbu			标准		KBU	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	84															1 V @ 6 A	10 µA @ 50 V	6 a									单相	600 v
HUFA76429D3S	0.6000	RFQ	3	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,800		n通道			60 V	20A（TC）	4.5V，10V	23mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±16V	1480 pf @ 25 V	-	110W（TC）
HUF76639S3S	-	RFQ	3617	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	188		n通道			100 v	51A（TC）	4.5V，10V	26mohm @ 51a，10v	3V @ 250µA	86 NC @ 10 V	±16V	2400 PF @ 25 V	-	180W（TC）
3N258	0.5200	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbpm			标准		kbpm	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	30															1.1 V @ 3.14 A	5 µA @ 800 V	2 a									单相	800 v
FQD6N50CTF	0.6000	RFQ	750	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道			500 v	4.5A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.25a，10V	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±30V	700 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），61W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²