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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
IRFR310BTF	0.1200	RFQ	5782	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	2,215			n通道					400 v	1.7A（TC）	10V	3.4OHM @ 850mA，10V	4V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±30V	330 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），26W（tc）
BC80816MTF	0.0600	RFQ	14	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					310 MW	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0075	3,000																										25 v	800 MA											100NA				PNP	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
KSA733GBU	0.0200	RFQ	105	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		KSA733			250兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1																										50 V	150 ma											100NA（ICBO）				PNP	300mv @ 10mA，100mA	200 @ 1mA，6v	180MHz
1N4938	2.9200	RFQ	57	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				标准		DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.10.0070	112		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																200 v	1 V @ 100 ma	50 ns	100 na @ 75 V	175°c （最大）	500mA	5pf @ 0v，1MHz
1N978B	2.0200	RFQ	32	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向					500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.10.0050	162																					5 µA @ 38.8 V																		51 v	125欧姆
FFD04H60S	0.5900	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				标准		TO-252，（-d-pak）	下载				Ear99	8542.39.0001	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																600 v	2.1 V @ 4 A	60 ns	100 µA @ 600 V	-65°C〜150°C	4a	-
HGT1S3N60A4DS9A	1.6600	RFQ	4	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			标准		70 W	D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	50				390V，3A，50OHM，15V																29 ns					-	600 v	17 a	40 a	2.7V @ 15V，3A	（37µJ）（在），25µJ（25µJ）中	21 NC	6NS/73NS
RURP860	-	RFQ	7415	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	TO-220-2				标准		TO-220-2	下载				Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																600 v	1.5 V @ 8 A	70 ns	100 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	8a	-
FQL50N40	7.1600	RFQ	338	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA				MOSFET （金属 o化物）		HPM F2	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	375			n通道					400 v	50A（TC）	10V	75mohm @ 25a，10v	5V @ 250µA	210 NC @ 10 V	±30V	7500 PF @ 25 V	-	460W（TC）
NDS9410A	0.6800	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道					30 V	7.3a（ta）	4.5V，10V	28mohm @ 7.3a，10v	3V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	830 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
KSC2328AOTA	0.0800	RFQ	2998	Fairchild半导体	-	大部分	不适合新设计		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）					1 w	TO-92-3	下载				Ear99	8542.39.0001	574																										30 V	2 a											100NA（ICBO）				NPN	2V @ 30mA，1.5a	100 @ 500mA，2V	120MHz
FJP1943RTU	1.3400	RFQ	712	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3					80 W	TO-220-3	下载				Ear99	8541.29.0095	225																										230 v	15 a											5µA（ICBO）				PNP	3V @ 800mA，8a	55 @ 1A，5V	30MHz
MM3Z6V2B	0.0300	RFQ	18	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F					200兆	SOD-323F	下载				Ear99	8541.10.0050	1																			1 V @ 10 mA		2.7 µA @ 4 V																		6.2 v	9欧姆
gbu8ks	0.8900	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBU				标准		gbu	下载				Ear99	8541.10.0080	365																			1 V @ 8 A		5 µA @ 800 V		8 a										单相	800 v
MMBT3906	-	RFQ	9960	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MMBT			250兆	SOT-23-3（TO-236）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	3,000																										40 V	200 ma											50NA				PNP	400mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	250MHz
SGH40N60UFTU	3.7900	RFQ	900	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		SGH40N60	标准		160 w	to-3p	下载				Ear99	8541.29.0095	1				300V，20a，10ohm，15V																					-	600 v	40 a	160 a	2.6V @ 15V，20A	160µJ（在）上，200µJ（200µJ）	97 NC	15NS/65NS
KSC388YBU	0.0500	RFQ	60	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					300兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0075	1,000																										25 v	50 mA											100NA（ICBO）				NPN	200mv @ 1.5mA，15mA	20 @ 12.5mA，12.5V	300MHz
MMBF4092	-	RFQ	5834	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MMBF40			350兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	3,000			n通道												16pf @ 20V																				40 V	15 ma @ 20 V	2 V @ 1 na				50欧姆
FDMS3622S	-	RFQ	2375	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		FDMS3622		MOSFET （金属 o化物）	1W	Power56	下载				Ear99	8542.39.0001	1	2 n 通道（双）							25V	17.5a，34a		5mohm @ 17.5A，10V	2V @ 250µA	26NC @ 10V		1570pf @ 13V	逻辑级别门
flz8v2b	0.0200	RFQ	5084	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80					500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.10.0050	4,230																			1.2 V @ 200 ma		300 na @ 5 v																		8 V	6.6欧姆
FDZ372NZ	1.3600	RFQ	978	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-XFBGA，WLCSP				MOSFET （金属 o化物）		4-WLCSP（1x1）	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0095	5,000			n通道					20 v	4.7a（ta）		50MOHM @ 2A，4.5V	1V @ 250µA	9.8 NC @ 4.5 V		685 pf @ 10 V	-	1.7W（TA）
FQD4N20TM	0.2800	RFQ	3	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载				Ear99	8541.29.0095	1,086			n通道					200 v	3A（TC）	10V	1.4OHM @ 1.5A，10V	5V @ 250µA	6.5 NC @ 10 V	±30V	220 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），30W（tc）
FQPF6N70	0.9600	RFQ	5	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道					700 v	3.5A（TC）	10V	1.5OHM @ 1.75a，10V	5V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±30V	1400 pf @ 25 V	-	48W（TC）
BC560ABU	0.0200	RFQ	6659	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0075	13,975																										45 v	100 ma											15NA（icbo）				PNP	650mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	150MHz
KSC2330RTA	-	RFQ	1943年	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）					1 w	TO-92-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0075	2,000																										300 v	100 ma											100NA（ICBO）				NPN	500mv @ 1mA，10mA	40 @ 20mA，10v	50MHz
FSBM20SM60A	20.6100	RFQ	122	Fairchild半导体	SPM®	大部分	积极的			通过洞	32-PowerDip 模块（1.370英寸，34.80mm）	IGBT						下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	48	3期				20 a	600 v	2500vrms
FGP20N6S2D	-	RFQ	2535	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			标准		125 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	400				390V，7a，25ohm，15V																31 ns					-	600 v	28 a	40 a	2.7V @ 15V，7a	25µJ（在）（58µJ）（OFF）上）	30 NC	7.7NS/87NS
FQP3N60	0.5900	RFQ	45	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道					600 v	3A（TC）	10V	3.6OHM @ 1.5A，10V	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	450 pf @ 25 V	-	75W（TC）
1N4752ATR	0.0300	RFQ	9158	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向					1 w	DO-204AL（DO-41）	下载				Ear99	8541.10.0050	8,208																					5 µA @ 25.1 V																		33 V	45欧姆
FDZ208P	1.3400	RFQ	5	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	30-WFBGA				MOSFET （金属 o化物）		30-BGA （4x3.5）	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道					30 V	12.5A（TA）	4.5V，10V	10.5MOHM @ 12.5A，10V	3V @ 250µA	35 NC @ 5 V	±25V	2409 PF @ 15 V	-	2.2W（ta）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²