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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	测试条件	功率 -输出	获得	当前的	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
1N5249B_NL	0.0200	RFQ	66	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向						500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																								1.2 V @ 200 ma		100 na @ 14 V														19 v	23欧姆
FDP15N50	2.0600	RFQ	4	Fairchild半导体	-	管子	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3					MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	400			n通道							500 v	15A（TC）	10V	380MOHM @ 7.5A，10V	4V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±30V	1850 pf @ 25 V	-	300W（TC）
1N5224B	2.4100	RFQ	99	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％		-	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		1N5224				500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	125																								900 mv @ 200 ma		50 µA @ 1 V														2.8 v	30欧姆
HUFA75842S3S	0.9000	RFQ	542	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB					MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	400			n通道							150 v	43A（TC）	10V	42MOHM @ 43A，10V	4V @ 250µA	175 NC @ 20 V	±20V	2730 PF @ 25 V	-	230W（TC）
HUFA76432S3ST	0.5100	RFQ	2	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB					MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	800			n通道							60 V	59A（TC）	4.5V，10V	17mohm @ 59a，10v	3V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±16V	1765 PF @ 25 V	-	130W（TC）
FQB5N50CFTM	-	RFQ	3311	Fairchild半导体	FRFET®	大部分	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB					MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	58			n通道							500 v	5A（TC）	10V	1.55ohm @ 2.5a，10v	4V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±30V	625 pf @ 25 V	-	96W（TC）
FFAF20U120DNTU	2.6400	RFQ	558	Fairchild半导体	-	管子	过时的				通过洞	TO-3P-3					标准		to-3pf	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	30		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																			1对普通阴极	1200 v	20a	3.5 V @ 20 A	120 ns	20 µA @ 1200 V	-65°C〜150°C
GF1G	-	RFQ	4274	Fairchild半导体	-	大部分	积极的				表面安装	do-214ac，SMA					标准		DO-214AC（SMA）	下载					Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																				400 v		1 V @ 1 A	2 µs	5 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
FQD3N30TF	0.2900	RFQ	1	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63					MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道							300 v	2.4A（TC）	10V	2.2OHM @ 1.2A，10V	5V @ 250µA	7 NC @ 10 V	±30V	230 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），30W（tc）
FSB70625	4.8000	RFQ	12	Fairchild半导体	MOTIONSPM®7	大部分	积极的				表面安装	27-Powerlqfn模块	MOSFET							下载	rohs3符合条件	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	3相逆变器							6.9 a	1500vrms
FDD13AN06A0_NL	-	RFQ	6377	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63					MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道							60 V	9.9a（ta），50a （TC）	6V，10V	13.5MOHM @ 50a，10v	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	1350 pf @ 25 V	-	115W（TC）
BZX84C3V6	0.0200	RFQ	131	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BZX84C3				250兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																								900 mv @ 10 ma		5 µA @ 1 V														3.6 v	90欧姆
MMSD459A	-	RFQ	5817	Fairchild半导体	-	大部分	积极的				表面安装	SOD-123		MMSD45			标准		SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																									150°C （最大）	-	-
fjp3307dh2tu	0.1700	RFQ	3	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3						80 W	TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	200																															400 v	8 a							-			NPN	3V @ 2a，8a	26 @ 2a，5v	-
FQN1N60CTA	0.1900	RFQ	88	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）					MOSFET （金属 o化物）		TO-92-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道							600 v	300mA（TC）	10V	11.5ohm @ 150mA，10v	4V @ 250µA	6.2 NC @ 10 V	±30V	170 pf @ 25 V	-	1W（TA），3W（tc）
FDP032N08B	-	RFQ	2431	Fairchild半导体	*	大部分	积极的													下载		供应商不确定	供应商不确定	2156-FDP032N08B-600039			1
FGA40T65UQDF	1.9000	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3			标准			231 w	to-3pn	下载					Ear99	8542.39.0001	1					400V，40a，6ohm，15V																				89 ns					npt	650 v	80 a	120 a	1.67V @ 15V，40a	（989µJ）（在310µJ上）	306 NC	32NS/271NS
IRF820B	1.0000	RFQ	7283	Fairchild半导体	*	大部分	积极的													-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
FCPF380N60	1.4800	RFQ	2	Fairchild半导体	SuperFet®II	大部分	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包					MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载					Ear99	8541.29.0095	204			n通道							600 v	10.2A（TC）	10V	380MOHM @ 5A，10V	3.5V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±20V	1665 PF @ 25 V	-	31W（TC）
RFD16N05NL	0.5100	RFQ	776	Fairchild半导体	PSPICE®	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA					MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			n通道							50 V	16A（TC）	10V	47mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	80 NC @ 20 V	±20V	900 pf @ 25 V	-	72W（TC）
FDBL9406	-	RFQ	8611	Fairchild半导体	*	大部分	积极的							FDBL940			-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	2,000																		-
FQAF8N80	1.6700	RFQ	557	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3					MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	360			n通道							800 v	5.9a（TC）	10V	1.2OHM @ 2.95a，10V	5V @ 250µA	57 NC @ 10 V	±30V	2350 pf @ 25 V	-	107W（TC）
KSA940H2TU	-	RFQ	1692年	Fairchild半导体	-	管子	过时的			150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3						1.5 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50																															150 v	1.5 a							10µA（ICBO）			PNP	1.5V @ 50mA，500mA	40 @ 500mA，10V	4MHz
BZX85C3V3-FS	0.0300	RFQ	71	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±6.06％		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向						1 w	do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																								1.2 V @ 200 ma		60 µA @ 1 V														3.3 v	20欧姆
2SC5242RTU	1.5000	RFQ	498	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3						130 w	to-3p	下载					Ear99	8541.29.0075	1																															250 v	17 a							5µA（ICBO）			NPN	3V @ 800mA，8a	55 @ 1A，5V	30MHz
MMBF5484	-	RFQ	6373	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		25 v		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				400MHz	JFET		SOT-23-3	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道			5mA		-	-													4DB																		15 v
1N5229BTR	0.0300	RFQ	155	Fairchild半导体	-	大部分	积极的				通过洞							500兆		下载					Ear99	8541.10.0050	11,539																										5 µA @ 1 V														4.3 v	22欧姆
BD14010S	1.0000	RFQ	6439	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3						1.25 w	TO-126-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	250																															80 V	1.5 a							100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 50mA，500mA	63 @ 150mA，2V	-
FQAF19N20L	1.0900	RFQ	1	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3					MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	360			n通道							200 v	16A（TC）	5V，10V	140MOHM @ 8A，10V	2V @ 250µA	35 NC @ 5 V	±20V	2200 PF @ 25 V	-	85W（TC）
1N4746A_NL	0.0400	RFQ	5615	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向						1 w	do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000																										5 µA @ 13.7 V														18 V	20欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²