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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
FDS6892A	0.5600	RFQ	66	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		FDS68		MOSFET （金属 o化物）	900MW		8-SOIC	下载					Ear99	8541.21.0095	1	2 n 通道（双）							20V	7.5a		18mohm @ 7.5a，4.5V	1.5V @ 250µA	17nc @ 4.5V		1333pf @ 10V	逻辑级别门
FFPF60SB60DSTU	0.3400	RFQ	946	Fairchild半导体	Stealth™	管子	过时的			通过洞	TO-220-3完整包				标准			TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	946		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																1对系列连接	600 v	4a	2.6 V @ 4 A	25 ns	100 µA @ 600 V	-65°C〜150°C
FMKA140	0.3700	RFQ	62	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			表面安装	do-214ac，SMA				肖特基			DO-214AC（SMA）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	5,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	40 V		600 mV @ 1 A		1 mA @ 40 V	-65°C〜125°C	1a	-
FQA32N20C	1.3100	RFQ	1	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3				MOSFET （金属 o化物）			to-3pn	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道					200 v	32A（TC）	10V	82MOHM @ 16a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±30V	2220 PF @ 25 V	-	204W（TC）
FQPF8N80CYDTU	1.2100	RFQ	417	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，形成的线索				MOSFET （金属 o化物）			TO-220F-3（Y Y形成）	下载					Ear99	8542.39.0001	249			n通道					800 v	8A（TC）	10V	1.55OHM @ 4A，10V	5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±30V	2050 pf @ 25 V	-	59W（TC）
MPSA10	0.0200	RFQ	7589	Fairchild半导体	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					625兆		TO-92-3	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.21.0095	1,660																												40 V	100 ma									100NA（ICBO）					NPN	-	40 @ 5µA，10V	125MHz
BDW94C	1.0000	RFQ	8958	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3					80 W		TO-220-3	下载					Ear99	8541.29.0095	1																												100 v	12 a									1ma					pnp-达灵顿	3V @ 100mA，10a	750 @ 5A，3V	-
FQD12N20TF	0.5300	RFQ	6346	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）			TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	5			n通道					200 v	9A（TC）	10V	280MOHM @ 4.5A，10V	5V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±30V	910 PF @ 25 V	-	2.5W（TA），55W（tc）
KSE3055T	1.0000	RFQ	8145	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3					600兆		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	200																												60 V	10 a									700µA					NPN	8V @ 3.3a，10a	20 @ 4A，4V	2MHz
FQPF17N08	0.3400	RFQ	2	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）			TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50			n通道					80 V	11.2A（TC）	10V	115MOHM @ 5.6A，10V	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±25V	450 pf @ 25 V	-	30W（TC）
HUF76629D3STR4885	0.3400	RFQ	6775	Fairchild半导体	Ultrafet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）			TO-252，（-d-pak）	下载					Ear99	8541.29.0095	225			n通道					100 v	20A（TC）	4.5V，10V	52MOHM @ 20a，10v	3V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±16V	1285 PF @ 25 V	-	150W（TJ）
RHRG1560-F085	1.7100	RFQ	1	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			通过洞	TO-247-2				标准			TO-247-2	下载					Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	600 v		2.3 V @ 15 A	55 ns	100 µA @ 1 V	-55°C 〜175°C	15a	-
SI3443DV	0.1700	RFQ	21	Fairchild半导体	Hexfet®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6				MOSFET （金属 o化物）			Micro6™tsop-6）	下载					Ear99	8541.29.0095	1,906			P通道					20 v	4.4a（ta）	2.5V，4.5V	65MOHM @ 4.4A，4.5V	1.5V @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±12V	1079 PF @ 10 V	-	2W（TA）
U1898	0.0600	RFQ	9606	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					625兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	3,841			n通道												16pf @ 20V																				40 V	15 ma @ 20 V	2 V @ 1 na					50欧姆
FQU6N25TU	0.5500	RFQ	6	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA				MOSFET （金属 o化物）			我帕克	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	70			n通道					250 v	4.4A（TC）	10V	1欧姆 @ 2.2A，10V	5V @ 250µA	8.5 NC @ 10 V	±30V	300 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），45W（（（（（（（（（（
FQPF11P06	0.6200	RFQ	552	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）			TO-220F-3	下载					Ear99	8542.39.0001	552			P通道					60 V	8.6A（TC）	10V	175MOHM @ 4.3A，10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±25V	550 pf @ 25 V	-	30W（TC）
MM5Z18V	0.0200	RFQ	74	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±6％	-55°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523F					200兆		SOD-523F	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-MM5Z18V-600039			1																							50 NA @ 12.6 V																	18 V	45欧姆
1N4728A	0.0300	RFQ	67	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜20°C	通过洞	轴向					1 w		轴向	下载					Ear99	8541.10.0050	9,779																							100 µA @ 1 V																	3.3 v	10欧姆
RGF1K	0.1200	RFQ	6089	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	do-214ac，SMA		RGF1		标准			SMA（do-214ac）	下载					Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	800 v		1.3 V @ 1 A	500 ns	5 µA @ 800 V	-65°C〜175°C	1a	8.5pf @ 4V，1MHz
FSBS3CH60	11.9400	RFQ	25	Fairchild半导体	motionspm®3	大部分	积极的			通过洞	27-PowerDip 模块（1.205英寸，30.60mm）	IGBT	FSBS3						下载	rohs3符合条件	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	1	3期				3 a	600 v	2500vrms
HGT1N30N60A4D	18.2300	RFQ	844	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克					255 w	标准	SOT-227B	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	60	单身的																										-	600 v	96 a		2.7V @ 15V，30a							250 µA	不
FGA30S120P	-	RFQ	8010	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		FGA30S120	标准		348 w		to-3pn	下载					Ear99	8542.39.0001	1				-																							沟渠场停止	1300 v	60 a	150 a	2.3V @ 15V，30a	-	78 NC	-
1N759A	1.9300	RFQ	91	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向					500兆		DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	156																					1.5 V @ 200 ma		100 na @ 1 V																	12 v	30欧姆
SS33	0.2200	RFQ	26	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	DO-214AB，SMC				肖特基			SMC（do-214ab）	下载					Ear99	8541.10.0080	1,350		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	30 V		500 mv @ 3 a		500 µA @ 30 V	-55°C〜150°C	3a	-
HUFA75329S3ST	0.4400	RFQ	5	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	800			n通道					55 v	49A（TC）	10V	24mohm @ 49a，10v	4V @ 250µA	75 NC @ 20 V	±20V	1060 pf @ 25 V	-	128W（TC）
NDB6060L	1.0000	RFQ	1081	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			d²pak（to-263）	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道					60 V	48A（TC）	5V，10V	20mohm @ 24a，10v	2V @ 250µA	60 NC @ 5 V	±16V	2000 pf @ 25 V	-	100W（TC）
KSP55TA	-	RFQ	9254	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）					625兆		TO-92-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1																												60 V	500 MA									100NA					PNP	250mv @ 10mA，100mA	50 @ 100mA，1V	50MHz
FJY3015R	0.0200	RFQ	19	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			表面安装	SC-89，SOT-490		FJY301					SOT-523F	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	3,000																												50 V	100 ma									100NA（ICBO）					npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	33 @ 10mA，5V	250 MHz	2.2 kohms	10 kohms
FSB50450UD	6.0600	RFQ	489	Fairchild半导体	MOTIONSPM®5	大部分	积极的			通过洞	23-PowerDip 模块（ 0.551英寸，14.00mm）	MOSFET	FSB50450						下载	rohs3符合条件	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	1	3期				1.5 a	500 v	1500vrms
2N6517CTA	1.0000	RFQ	3450	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）					625兆		TO-92-3	-						0000.00.0000	1																												400 v	500 MA									50NA（iCBO）					NPN	1V @ 5mA，50mA	20 @ 50mA，10v	200MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²