SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet 测试条件 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电流 -icm) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 切换能量 门充电 TD (开/关) @ 25°C 电压 -故障( v br(br)GSS) 电流 -idss) @ vds(vgs = 0) 电压 -截止( -vgs Off) @ ID 当前 -收集器截止(最大) NTC热敏电阻 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT)) 电阻-RDS((在) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 (ID) - 最大
1N5224B Fairchild Semiconductor 1N5224B 2.4100
RFQ
ECAD 99 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 ±5% - 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5224 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 125 900 mv @ 200 ma 50 µA @ 1 V 2.8 v 30欧姆
BZX84C8V2 Fairchild Semiconductor BZX84C8V2 0.0200
RFQ
ECAD 47 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 ±2% - 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BZX84C8 300兆 SOT-23 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 900 mv @ 10 ma 700 na @ 5 V 8.2 v 15欧姆
MMBZ5245B Fairchild Semiconductor MMBZ5245B -
RFQ
ECAD 8224 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 ±5% - 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MMBZ52 300兆 SOT-23 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 900 mv @ 10 ma 100 na @ 11 V 15 v 16欧姆
FDP15N50 Fairchild Semiconductor FDP15N50 2.0600
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Fairchild半导体 - 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 MOSFET (金属 o化物) TO-220-3 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 400 n通道 500 v 15A(TC) 10V 380MOHM @ 7.5A,10V 4V @ 250µA 41 NC @ 10 V ±30V 1850 pf @ 25 V - 300W(TC)
FDMS015N04B Fairchild Semiconductor FDMS015N04B 1.0000
RFQ
ECAD 8411 0.00000000 Fairchild半导体 PowerTrench® 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET (金属 o化物) 8-pqfn(5x6) 下载 Ear99 8542.39.0001 1 n通道 40 V 31.3a(TA),100A(tc) 10V 1.5MOHM @ 50a,10V 4V @ 250µA 118 NC @ 10 V ±20V 8725 PF @ 20 V - 2.5W(ta),104W(tc)
SFM9110TF Fairchild Semiconductor SFM9110TF 0.4800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-261-4,TO-261AA MOSFET (金属 o化物) SOT-223-4 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 4,000 P通道 100 v 1A(1A) 10V 1.2OHM @ 500mA,10V 4V @ 250µA 10 NC @ 10 V ±30V 335 pf @ 25 V - 2.52W(TA)
SGL25N120RUFTU Fairchild Semiconductor SGL25N120RUFTU 1.0000
RFQ
ECAD 6403 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-264-3,TO-264AA SGL25N 标准 270 w 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 600V,25a,10ohm,15V - 1200 v 40 a 75 a 3V @ 15V,25a 1.6mj(在)上,1.63mj off) 165 NC 30NS/70NS
FJZ594JBTF Fairchild Semiconductor FJZ594JBTF 0.0200
RFQ
ECAD 687 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 表面安装 SOT-623F 100兆 SOT-623F 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 3.5pf @ 5V 20 v 150 µA @ 5 V 600 mV @ 1 µA 1 MA
KSC5019MTA Fairchild Semiconductor KSC5019MTA 0.0700
RFQ
ECAD 29 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) KSC5019 750兆w TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 0000.00.0000 1 10 v 2 a 100NA(ICBO) NPN 500mv @ 50mA,2a 140 @ 500mA,1V 150MHz
BC33716TA Fairchild Semiconductor BC33716TA 0.0400
RFQ
ECAD 532 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) 625兆 TO-92-3 下载 Ear99 8541.21.0075 8,103 45 v 800 MA 100NA NPN 700mv @ 50mA,500mA 100 @ 100mA,1V 100MHz
FDH50N50 Fairchild Semiconductor FDH50N50 10.3700
RFQ
ECAD 761 0.00000000 Fairchild半导体 Unifet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 MOSFET (金属 o化物) TO-247 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 500 v 48A(TC) 10V 105MOHM @ 24A,10V 5V @ 250µA 137 NC @ 10 V ±30V 6460 pf @ 25 V - 625W(TC)
FDP3672 Fairchild Semiconductor FDP3672 0.9200
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Fairchild半导体 PowerTrench® 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 MOSFET (金属 o化物) TO-220-3 下载 Ear99 8542.39.0001 344 n通道 105 v 5.9A(ta),41A(tc) 6V,10V 33MOHM @ 41A,10V 4V @ 250µA 37 NC @ 10 V ±20V 1670 pf @ 25 V - 135W(TC)
HUF75545S3ST_NL Fairchild Semiconductor HUF75545S3ST_NL -
RFQ
ECAD 9240 0.00000000 Fairchild半导体 Ultrafet® 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MOSFET (金属 o化物) TO-263AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 80 V 75A(TC) 10V 10mohm @ 75a,10v 4V @ 250µA 235 NC @ 20 V ±20V 3750 PF @ 25 V - 270W(TC)
FES16DT Fairchild Semiconductor FES16DT -
RFQ
ECAD 7731 0.00000000 Fairchild半导体 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 标准 TO-220-2 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 950 MV @ 8 A 35 ns 10 µA @ 200 V -65°C〜150°C 16a 170pf @ 4V,1MHz
BDX33C Fairchild Semiconductor BDX33C 0.3900
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 70 W TO-220AB 下载 供应商不确定 到达受影响 2156-BDX33C-600039 Ear99 0000.00.0000 842 100 v 10 a 500µA npn-达灵顿 2.5V @ 6mA,3a 750 @ 3a,3v -
KSE3055T Fairchild Semiconductor KSE3055T 1.0000
RFQ
ECAD 8145 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 600兆 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.21.0095 200 60 V 10 a 700µA NPN 8V @ 3.3a,10a 20 @ 4A,4V 2MHz
FQD12N20TF Fairchild Semiconductor FQD12N20TF 0.5300
RFQ
ECAD 6346 0.00000000 Fairchild半导体 QFET® 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 MOSFET (金属 o化物) TO-252,(-d-pak) 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 5 n通道 200 v 9A(TC) 10V 280MOHM @ 4.5A,10V 5V @ 250µA 23 NC @ 10 V ±30V 910 PF @ 25 V - 2.5W(TA),55W(tc)
U1898 Fairchild Semiconductor U1898 0.0600
RFQ
ECAD 9606 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) 625兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.21.0095 3,841 n通道 16pf @ 20V 40 V 15 ma @ 20 V 2 V @ 1 na 50欧姆
FQPF17N08 Fairchild Semiconductor FQPF17N08 0.3400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Fairchild半导体 QFET® 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 MOSFET (金属 o化物) TO-220F-3 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 80 V 11.2A(TC) 10V 115MOHM @ 5.6A,10V 4V @ 250µA 15 NC @ 10 V ±25V 450 pf @ 25 V - 30W(TC)
HUF76629D3STR4885 Fairchild Semiconductor HUF76629D3STR4885 0.3400
RFQ
ECAD 6775 0.00000000 Fairchild半导体 Ultrafet® 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 MOSFET (金属 o化物) TO-252,(-d-pak) 下载 Ear99 8541.29.0095 225 n通道 100 v 20A(TC) 4.5V,10V 52MOHM @ 20a,10v 3V @ 250µA 43 NC @ 10 V ±16V 1285 PF @ 25 V - 150W(TJ)
FQPF11P06 Fairchild Semiconductor FQPF11P06 0.6200
RFQ
ECAD 552 0.00000000 Fairchild半导体 QFET® 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 MOSFET (金属 o化物) TO-220F-3 下载 Ear99 8542.39.0001 552 P通道 60 V 8.6A(TC) 10V 175MOHM @ 4.3A,10V 4V @ 250µA 17 NC @ 10 V ±25V 550 pf @ 25 V - 30W(TC)
MM5Z18V Fairchild Semiconductor MM5Z18V 0.0200
RFQ
ECAD 74 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 ±6% -55°C〜150°C 表面安装 SC-79,SOD-523F 200兆 SOD-523F 下载 供应商不确定 到达不受影响 2156-MM5Z18V-600039 1 50 NA @ 12.6 V 18 V 45欧姆
FMKA140 Fairchild Semiconductor FMKA140 0.3700
RFQ
ECAD 62 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 过时的 表面安装 do-214ac,SMA 肖特基 DO-214AC(SMA) 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.10.0080 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 40 V 600 mV @ 1 A 1 mA @ 40 V -65°C〜125°C 1a -
RHRG1560-F085 Fairchild Semiconductor RHRG1560-F085 1.7100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Fairchild半导体 汽车,AEC-Q101 大部分 积极的 通过洞 TO-247-2 标准 TO-247-2 下载 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 2.3 V @ 15 A 55 ns 100 µA @ 1 V -55°C 〜175°C 15a -
FQU6N25TU Fairchild Semiconductor FQU6N25TU 0.5500
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Fairchild半导体 QFET® 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-251-3,IPAK,TO-251AA MOSFET (金属 o化物) 我帕克 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 70 n通道 250 v 4.4A(TC) 10V 1欧姆 @ 2.2A,10V 5V @ 250µA 8.5 NC @ 10 V ±30V 300 pf @ 25 V - 2.5W(ta),45W((((((((((
HGT1N30N60A4D Fairchild Semiconductor HGT1N30N60A4D 18.2300
RFQ
ECAD 844 0.00000000 Fairchild半导体 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 255 w 标准 SOT-227B 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 60 单身的 - 600 v 96 a 2.7V @ 15V,30a 250 µA
FGA30S120P Fairchild Semiconductor FGA30S120P -
RFQ
ECAD 8010 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-3P-3,SC-65-3 FGA30S120 标准 348 w to-3pn 下载 Ear99 8542.39.0001 1 - 沟渠场停止 1300 v 60 a 150 a 2.3V @ 15V,30a - 78 NC -
1N759A Fairchild Semiconductor 1N759A 1.9300
RFQ
ECAD 91 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 过时的 ±5% -65°C 〜200°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.10.0050 156 1.5 V @ 200 ma 100 na @ 1 V 12 v 30欧姆
SI3443DV Fairchild Semiconductor SI3443DV 0.1700
RFQ
ECAD 21 0.00000000 Fairchild半导体 Hexfet® 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-23-6薄,TSOT-23-6 MOSFET (金属 o化物) Micro6™tsop-6) 下载 Ear99 8541.29.0095 1,906 P通道 20 v 4.4a(ta) 2.5V,4.5V 65MOHM @ 4.4A,4.5V 1.5V @ 250µA 15 NC @ 4.5 V ±12V 1079 PF @ 10 V - 2W(TA)
MPSA10 Fairchild Semiconductor MPSA10 0.0200
RFQ
ECAD 7589 0.00000000 Fairchild半导体 - 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) 625兆 TO-92-3 下载 Rohs不合规 Ear99 8541.21.0095 1,660 40 V 100 ma 100NA(ICBO) NPN - 40 @ 5µA,10V 125MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库