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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 力量 -最大 | 输入 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 速度 | fet | 测试条件 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电流 -icm) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 切换能量 | 门充电 | TD (开/关) @ 25°C | 电压 -故障( v br(br)GSS) | 电流 -idss) @ vds(vgs = 0) | 电压 -截止( -vgs Off) @ ID | 当前 -收集器截止(最大) | NTC热敏电阻 | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 电阻-RDS((在) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | (ID) - 最大 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N5224B | 2.4100 | ![]() | 99 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | - | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N5224 | 500兆 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 125 | 900 mv @ 200 ma | 50 µA @ 1 V | 2.8 v | 30欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C8V2 | 0.0200 | ![]() | 47 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±2% | - | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BZX84C8 | 300兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 700 na @ 5 V | 8.2 v | 15欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBZ5245B | - | ![]() | 8224 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | - | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MMBZ52 | 300兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 11 V | 15 v | 16欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP15N50 | 2.0600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | n通道 | 500 v | 15A(TC) | 10V | 380MOHM @ 7.5A,10V | 4V @ 250µA | 41 NC @ 10 V | ±30V | 1850 pf @ 25 V | - | 300W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS015N04B | 1.0000 | ![]() | 8411 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | PowerTrench® | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | MOSFET (金属 o化物) | 8-pqfn(5x6) | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | n通道 | 40 V | 31.3a(TA),100A(tc) | 10V | 1.5MOHM @ 50a,10V | 4V @ 250µA | 118 NC @ 10 V | ±20V | 8725 PF @ 20 V | - | 2.5W(ta),104W(tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFM9110TF | 0.4800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-261-4,TO-261AA | MOSFET (金属 o化物) | SOT-223-4 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | P通道 | 100 v | 1A(1A) | 10V | 1.2OHM @ 500mA,10V | 4V @ 250µA | 10 NC @ 10 V | ±30V | 335 pf @ 25 V | - | 2.52W(TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SGL25N120RUFTU | 1.0000 | ![]() | 6403 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-264-3,TO-264AA | SGL25N | 标准 | 270 w | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 600V,25a,10ohm,15V | - | 1200 v | 40 a | 75 a | 3V @ 15V,25a | 1.6mj(在)上,1.63mj off) | 165 NC | 30NS/70NS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJZ594JBTF | 0.0200 | ![]() | 687 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-623F | 100兆 | SOT-623F | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 3.5pf @ 5V | 20 v | 150 µA @ 5 V | 600 mV @ 1 µA | 1 MA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSC5019MTA | 0.0700 | ![]() | 29 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) | KSC5019 | 750兆w | TO-92-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 10 v | 2 a | 100NA(ICBO) | NPN | 500mv @ 50mA,2a | 140 @ 500mA,1V | 150MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC33716TA | 0.0400 | ![]() | 532 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) | 625兆 | TO-92-3 | 下载 | Ear99 | 8541.21.0075 | 8,103 | 45 v | 800 MA | 100NA | NPN | 700mv @ 50mA,500mA | 100 @ 100mA,1V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDH50N50 | 10.3700 | ![]() | 761 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | Unifet™ | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 500 v | 48A(TC) | 10V | 105MOHM @ 24A,10V | 5V @ 250µA | 137 NC @ 10 V | ±30V | 6460 pf @ 25 V | - | 625W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP3672 | 0.9200 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | PowerTrench® | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220-3 | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 344 | n通道 | 105 v | 5.9A(ta),41A(tc) | 6V,10V | 33MOHM @ 41A,10V | 4V @ 250µA | 37 NC @ 10 V | ±20V | 1670 pf @ 25 V | - | 135W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75545S3ST_NL | - | ![]() | 9240 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | Ultrafet® | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MOSFET (金属 o化物) | TO-263AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 80 V | 75A(TC) | 10V | 10mohm @ 75a,10v | 4V @ 250µA | 235 NC @ 20 V | ±20V | 3750 PF @ 25 V | - | 270W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FES16DT | - | ![]() | 7731 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-2 | 标准 | TO-220-2 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 950 MV @ 8 A | 35 ns | 10 µA @ 200 V | -65°C〜150°C | 16a | 170pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BDX33C | 0.3900 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | 70 W | TO-220AB | 下载 | 供应商不确定 | 到达受影响 | 2156-BDX33C-600039 | Ear99 | 0000.00.0000 | 842 | 100 v | 10 a | 500µA | npn-达灵顿 | 2.5V @ 6mA,3a | 750 @ 3a,3v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSE3055T | 1.0000 | ![]() | 8145 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | 600兆 | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.21.0095 | 200 | 60 V | 10 a | 700µA | NPN | 8V @ 3.3a,10a | 20 @ 4A,4V | 2MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQD12N20TF | 0.5300 | ![]() | 6346 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | QFET® | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252,(-d-pak) | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5 | n通道 | 200 v | 9A(TC) | 10V | 280MOHM @ 4.5A,10V | 5V @ 250µA | 23 NC @ 10 V | ±30V | 910 PF @ 25 V | - | 2.5W(TA),55W(tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | U1898 | 0.0600 | ![]() | 9606 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | 625兆 | TO-92-3 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,841 | n通道 | 16pf @ 20V | 40 V | 15 ma @ 20 V | 2 V @ 1 na | 50欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF17N08 | 0.3400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | QFET® | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F-3 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 80 V | 11.2A(TC) | 10V | 115MOHM @ 5.6A,10V | 4V @ 250µA | 15 NC @ 10 V | ±25V | 450 pf @ 25 V | - | 30W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76629D3STR4885 | 0.3400 | ![]() | 6775 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | Ultrafet® | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252,(-d-pak) | 下载 | Ear99 | 8541.29.0095 | 225 | n通道 | 100 v | 20A(TC) | 4.5V,10V | 52MOHM @ 20a,10v | 3V @ 250µA | 43 NC @ 10 V | ±16V | 1285 PF @ 25 V | - | 150W(TJ) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF11P06 | 0.6200 | ![]() | 552 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | QFET® | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F-3 | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 552 | P通道 | 60 V | 8.6A(TC) | 10V | 175MOHM @ 4.3A,10V | 4V @ 250µA | 17 NC @ 10 V | ±25V | 550 pf @ 25 V | - | 30W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MM5Z18V | 0.0200 | ![]() | 74 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±6% | -55°C〜150°C | 表面安装 | SC-79,SOD-523F | 200兆 | SOD-523F | 下载 | 供应商不确定 | 到达不受影响 | 2156-MM5Z18V-600039 | 1 | 50 NA @ 12.6 V | 18 V | 45欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FMKA140 | 0.3700 | ![]() | 62 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 肖特基 | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 600 mV @ 1 A | 1 mA @ 40 V | -65°C〜125°C | 1a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RHRG1560-F085 | 1.7100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-2 | 标准 | TO-247-2 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 2.3 V @ 15 A | 55 ns | 100 µA @ 1 V | -55°C 〜175°C | 15a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQU6N25TU | 0.5500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | QFET® | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-251-3,IPAK,TO-251AA | MOSFET (金属 o化物) | 我帕克 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0095 | 70 | n通道 | 250 v | 4.4A(TC) | 10V | 1欧姆 @ 2.2A,10V | 5V @ 250µA | 8.5 NC @ 10 V | ±30V | 300 pf @ 25 V | - | 2.5W(ta),45W(((((((((( | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HGT1N30N60A4D | 18.2300 | ![]() | 844 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | 255 w | 标准 | SOT-227B | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0095 | 60 | 单身的 | - | 600 v | 96 a | 2.7V @ 15V,30a | 250 µA | 不 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGA30S120P | - | ![]() | 8010 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-3P-3,SC-65-3 | FGA30S120 | 标准 | 348 w | to-3pn | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | 沟渠场停止 | 1300 v | 60 a | 150 a | 2.3V @ 15V,30a | - | 78 NC | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N759A | 1.9300 | ![]() | 91 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 过时的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.10.0050 | 156 | 1.5 V @ 200 ma | 100 na @ 1 V | 12 v | 30欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SI3443DV | 0.1700 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | Hexfet® | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6薄,TSOT-23-6 | MOSFET (金属 o化物) | Micro6™tsop-6) | 下载 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,906 | P通道 | 20 v | 4.4a(ta) | 2.5V,4.5V | 65MOHM @ 4.4A,4.5V | 1.5V @ 250µA | 15 NC @ 4.5 V | ±12V | 1079 PF @ 10 V | - | 2W(TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPSA10 | 0.0200 | ![]() | 7589 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 管子 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | 625兆 | TO-92-3 | 下载 | Rohs不合规 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1,660 | 40 V | 100 ma | 100NA(ICBO) | NPN | - | 40 @ 5µA,10V | 125MHz |
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