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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	获得	当前的	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
FDMS3672	-	RFQ	7179	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn				MOSFET （金属 o化物）		8-MLP（5x6），Power56	下载	Rohs不合规		供应商不确定	2156-FDMS3672	Ear99	8541.29.0095	1			n通道					100 v	7.4A（TA），22a （TC）	6V，10V	23mohm @ 7.4a，10v	4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	2680 pf @ 50 V	-	2.5W（ta），78W（tc）
RF1S50N06SM9A	0.8700	RFQ	9	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		TO-263AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道					60 V	50A（TC）	10V	22mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	150 NC @ 20 V	±20V	2020 PF @ 25 V	-	131W（TC）
BC550	0.0400	RFQ	17	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,000																										45 v	100 ma						15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	300MHz
Fes16dtr	1.0000	RFQ	3870	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-2				标准		TO-220-2	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																200 v	950 MV @ 8 A	35 ns	10 µA @ 200 V	-65°C〜150°C	16a	170pf @ 4V，1MHz
HUFA75652G3	3.3800	RFQ	1203	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-247	-	rohs3符合条件			2156-HUFA75652G3-FS	Ear99	8541.29.0095	150			n通道					100 v	75A（TC）	10V	8mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	475 NC @ 20 V	±20V	7585 pf @ 25 V	-	515W（TC）
BC856AMTF	0.0500	RFQ	7	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BC856			310 MW	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	3,000																										65 v	100 ma						15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	150MHz
BC238A	0.0500	RFQ	16	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,000																										25 v	100 ma						15NA			NPN	600mv @ 5mA，100mA	120 @ 2mA，5V	250MHz
FJN3303BU	-	RFQ	6963	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					1.1 w	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000																										400 v	1.5 a						10µA（ICBO）			NPN	3V @ 500mA，1.5a	14 @ 500mA，2V	4MHz
SI3447DV	-	RFQ	8313	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6				MOSFET （金属 o化物）		SuperSot™-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道					20 v	5.5A（ta）	1.8V，4.5V	33mohm @ 5.5A，4.5V	1.5V @ 250µA	30 NC @ 4.5 V	±8V	1926 pf @ 10 V	-	800MW（TA）
FDP8880	0.5200	RFQ	62	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载					Ear99	8542.39.0001	573			n通道					30 V	11a（11a），54a（tc）	4.5V，10V	11.6mohm @ 40a，10v	2.5V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	1240 pf @ 15 V	-	55W（TC）
FSB52006	4.7000	RFQ	3	Fairchild半导体	MOTIONSPM®5	大部分	积极的			通过洞	23-powersmd模块，鸥翼	MOSFET						下载	rohs3符合条件	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	450	3相逆变器					2.6 a	1500vrms
FDMS7608	0.5100	RFQ	1	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn		FDMS7608		MOSFET （金属 o化物）	1W	Power56	下载					Ear99	8542.39.0001	589	2 n 通道（双）							30V	12a，15a		10mohm @ 12a，10v	3V @ 250µA	24NC @ 10V		1510pf @ 15V	逻辑级别门
SS9018GBU	0.0300	RFQ	129	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		SS9018			400MW	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1					-																					15V	50mA									NPN		72 @ 1mA，5V	1.1GHz	-
FQU4P25TU	0.3400	RFQ	4481	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA				MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	23			P通道					250 v	3.1A（TC）	10V	2.1OHM @ 1.55A，10V	5V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±30V	420 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），45W（（（（（（（（（（
FQN1N60CBU	-	RFQ	2920	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				MOSFET （金属 o化物）		TO-92-3	-	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道					600 v	300mA（TC）	10V	11.5ohm @ 150mA，10v	4V @ 250µA	6.2 NC @ 10 V	±30V	170 pf @ 25 V	-	1W（TA），3W（tc）
ksc2669999999	0.0400	RFQ	9	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3					200兆	TO-92S	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	10,000																										30 V	30 ma						100NA（ICBO）			NPN	400mv @ 1mA，10mA	70 @ 2mA，12v	250MHz
RGF1B	0.1300	RFQ	20	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	do-214ac，SMA				标准		DO-214AC（SMA）	下载					Ear99	8541.10.0080	2,392		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																100 v	1.3 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	1a	8.5pf @ 4V，1MHz
FDS8926	0.9400	RFQ	2	Fairchild半导体	*	大部分	积极的						FDS89		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1																-
RURD620	0.7100	RFQ	4	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA				标准		我帕克	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																200 v	1 V @ 6 A	30 ns	100 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	6a	-
KSD471AYTA	-	RFQ	2204	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		KSD471			800兆	TO-92-3	下载					Ear99	8542.39.0001	897																										30 V	1 a						100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 100mA，1a	120 @ 100mA，1V	130MHz
BC546	0.0400	RFQ	114	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,000																										65 v	100 ma						15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	300MHz
BSS138L	-	RFQ	1985	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载					Ear99	8541.21.0095	1			n通道					50 V	200ma（ta）	2.75V，5V	3.5OHM @ 200mA，5V	1.5V @ 1mA	2.4 NC @ 10 V	±20V	50 pf @ 25 V	-	350MW（TA）
FGL35N120FTDTU	6.0600	RFQ	15	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA			标准		368 w	HPM F2	下载					Ear99	8542.39.0001	50				600V，35A，10欧姆，15V																337 ns					沟渠场停止	1200 v	70 a	105 a	2.2V @ 15V，35a	2.5MJ（在）上，1.7MJ off）	210 NC	34NS/172NS
1N4938	2.9200	RFQ	57	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				标准		DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0070	112		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																200 v	1 V @ 100 ma	50 ns	100 na @ 75 V	175°c （最大）	500mA	5pf @ 0v，1MHz
NDH8304P	0.7000	RFQ	78	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tsop （0.130英寸，3.30mm）		NDH8304		MOSFET （金属 o化物）	800MW	Supersot™-8	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）							20V	2.7a		70MOHM @ 2.7a，4.5V	1V @ 250µA	23nc @ 4.5V		865pf @ 10V	逻辑级别门
FQU1N50TU	0.1700	RFQ	2	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA				MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	5,040			n通道					500 v	1.1A（TC）	10V	9ohm @ 550mA，10v	5V @ 250µA	5.5 NC @ 10 V	±30V	150 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
FDB8445-F085	1.0000	RFQ	7636	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	不适用				Ear99	8541.29.0095	800			n通道					40 V	70A（TC）	10V	9MOHM @ 70A，10V	4V @ 250µA	62 NC @ 10 V	±20V	3805 PF @ 25 V	-	92W（TC）
1N976B	1.8400	RFQ	33	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向					500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	163																					5 µA @ 32.7 V													43 V	93欧姆
HUFA76619D3ST	0.3600	RFQ	1	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道					100 v	18A（TC）	4.5V，10V	85mohm @ 18a，10v	3V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±16V	767 PF @ 25 V	-	75W（TC）
BC560ABU	0.0200	RFQ	6659	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	13,975																										45 v	100 ma						15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	150MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²