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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	获得	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
FQI6N60CTU	0.7000	RFQ	1	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道					600 v	5.5A（TC）	10V	2ohm @ 2.75a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±30V	810 pf @ 25 V	-	125W（TC）
KSB1151YS	0.3600	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3				1.3 w	TO-126-3	下载						0000.00.0000	838																									60 V	5 a	10µA（ICBO）			PNP	300mv @ 200mA，2a	100 @ 2a，1V	-
FDB8442	1.6700	RFQ	10	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	800			n通道					40 V	28a（28a）（80A）（80a tc）	10V	2.9MOHM @ 80A，10V	4V @ 250µA	235 NC @ 10 V	±20V	12200 PF @ 25 V	-	254W（TC）
BC337	1.0000	RFQ	6122	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				625兆	TO-92（to-226）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,000																									45 v	800 MA	100NA			NPN	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	210MHz
FDH5500	1.5600	RFQ	3	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	300			n通道					55 v	75A（TC）	10V	7mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	268 NC @ 20 V	±30V	3565 pf @ 25 V	-	375W（TC）
FDMC7200	-	RFQ	9382	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn		FDMC72	MOSFET （金属 o化物）	700MW，900MW	8-Power33（3x3）	下载					Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）							30V	6a，8a		23.5MOHM @ 6A，10V	3V @ 250µA	10NC @ 10V		660pf @ 15V	逻辑级别门
IRFW530ATM	0.3000	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道					100 v	14A（TC）	10V	110MOHM @ 7A，10V	4V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±20V	790 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），55W（tc）
1N5263B	1.8600	RFQ	158	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±0.5％	-	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		1N5263		500兆	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	162																			900 mv @ 200 ma		100 na @ 41 V							56 v	150欧姆
FNA40860B2	12.9000	RFQ	211	Fairchild半导体	MOTIONSPM®45	大部分	积极的			通过洞	26-PowerDip 模块（1.024英寸，26.00mm）	IGBT					下载					Ear99	8542.39.0001	1	3期				8 a	600 v	2000vrms
FDMC6296	0.6000	RFQ	20	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn			MOSFET （金属 o化物）		8-mlp（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道					30 V	11.5A（TA）	4.5V，10V	10.5MOHM @ 11.5A，10V	3V @ 250µA	19 nc @ 5 V	±20V	2141 PF @ 15 V	-	900MW（TA），2.1W（TC）
FJNS3201RTA	0.0200	RFQ	301	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			通过洞	TO-226-3，TO-92-3		FJNS32		300兆	TO-92S	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	3,000																									50 V	100 ma	100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	20 @ 10mA，5v	250 MHz	4.7科姆斯	4.7科姆斯
SJD127T4G	0.3300	RFQ	32	Fairchild半导体	*	大部分	积极的										下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-SJD127T4G-600039	Ear99	8541.29.0095	998
FDN358P	-	RFQ	6844	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		FDN358	MOSFET （金属 o化物）		Supersot-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1			P通道					30 V	1.5A（TA）	4.5V，10V	125mohm @ 1.5A，10V	3V @ 250µA	5.6 NC @ 10 V	±20V	182 PF @ 15 V	-	500MW（TA）
SFI9510TU	0.7300	RFQ	950	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1			P通道					100 v	3.6A（TC）	10V	1.2OHM @ 1.8A，10V	4V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±30V	335 pf @ 25 V	-	3.8W（32W）（32W（tc）
FDMS3672	-	RFQ	7179	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn			MOSFET （金属 o化物）		8-MLP（5x6），Power56	下载	Rohs不合规		供应商不确定	2156-FDMS3672	Ear99	8541.29.0095	1			n通道					100 v	7.4A（TA），22a （TC）	6V，10V	23mohm @ 7.4a，10v	4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	2680 pf @ 50 V	-	2.5W（ta），78W（tc）
KSC1507YTU	0.3600	RFQ	30	Fairchild半导体	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				15 W	TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0075	50																									300 v	200 µA	100µA（ICBO）			NPN	2V @ 5mA，50mA	120 @ 10mA，10v	80MHz
RF1S50N06SM9A	0.8700	RFQ	9	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道					60 V	50A（TC）	10V	22mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	150 NC @ 20 V	±20V	2020 PF @ 25 V	-	131W（TC）
HUFA75652G3	3.3800	RFQ	1203	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247	-	rohs3符合条件			2156-HUFA75652G3-FS	Ear99	8541.29.0095	150			n通道					100 v	75A（TC）	10V	8mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	475 NC @ 20 V	±20V	7585 pf @ 25 V	-	515W（TC）
BC238A	0.0500	RFQ	16	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,000																									25 v	100 ma	15NA			NPN	600mv @ 5mA，100mA	120 @ 2mA，5V	250MHz
RGF1B	0.1300	RFQ	20	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	do-214ac，SMA			标准		DO-214AC（SMA）	下载					Ear99	8541.10.0080	2,392		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																100 v	1.3 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	1a	8.5pf @ 4V，1MHz
FDS8926	0.9400	RFQ	2	Fairchild半导体	*	大部分	积极的						FDS89	-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1																-
FQN1N60CBU	-	RFQ	2920	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			MOSFET （金属 o化物）		TO-92-3	-	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道					600 v	300mA（TC）	10V	11.5ohm @ 150mA，10v	4V @ 250µA	6.2 NC @ 10 V	±30V	170 pf @ 25 V	-	1W（TA），3W（tc）
ksc2669999999	0.0400	RFQ	9	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3				200兆	TO-92S	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	10,000																									30 V	30 ma	100NA（ICBO）			NPN	400mv @ 1mA，10mA	70 @ 2mA，12v	250MHz
BC856AMTF	0.0500	RFQ	7	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BC856		310 MW	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	3,000																									65 v	100 ma	15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	150MHz
Fes16dtr	1.0000	RFQ	3870	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-2			标准		TO-220-2	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																200 v	950 MV @ 8 A	35 ns	10 µA @ 200 V	-65°C〜150°C	16a	170pf @ 4V，1MHz
BC550	0.0400	RFQ	17	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,000																									45 v	100 ma	15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	300MHz
SS9018GBU	0.0300	RFQ	129	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		SS9018		400MW	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1				-																					15V	50mA				NPN		72 @ 1mA，5V	1.1GHz			-
FQU4P25TU	0.3400	RFQ	4481	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	23			P通道					250 v	3.1A（TC）	10V	2.1OHM @ 1.55A，10V	5V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±30V	420 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），45W（（（（（（（（（（
FDP8880	0.5200	RFQ	62	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载					Ear99	8542.39.0001	573			n通道					30 V	11a（11a），54a（tc）	4.5V，10V	11.6mohm @ 40a，10v	2.5V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	1240 pf @ 15 V	-	55W（TC）
FSB52006	4.7000	RFQ	3	Fairchild半导体	MOTIONSPM®5	大部分	积极的			通过洞	23-powersmd模块，鸥翼	MOSFET					下载	rohs3符合条件	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	450	3相逆变器				2.6 a		1500vrms

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²