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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
MMBTA56	0.0300	RFQ	12	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-90，SOD-323F	MMBTA56		250兆	SOD-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	9,616																							80 V	500 MA			100NA（ICBO）	PNP	250mv @ 10mA，100mA	100 @ 100mA，1V	50MHz
FDMA3028N	1.0000	RFQ	1705年	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-vdfn裸露的垫子	FDMA3028	MOSFET （金属 o化物）	700MW	6-microfet（2x2）	下载					Ear99	8542.39.0001	1	2 n 通道（双）			30V	3.8a		68mohm @ 3.8A，4.5V	1.5V @ 250µA	5.2nc @ 5V		375pf @ 15V	逻辑级别门
RF1K49156	0.7800	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			n通道	30 V	6.3a（ta）	5V	30mohm @ 6.3a，5v	2V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±10V	2030 pf @ 25 V	-	2W（TA）
2N5771	1.0000	RFQ	2770	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			350兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	1																							15 v	200 ma			10NA	PNP	600mv @ 5mA，50mA	50 @ 10mA，300mv	-
FDV302P	-	RFQ	8849	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	FDV30	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载						0000.00.0000	1			P通道	25 v	120mA（ta）	2.7V，4.5V	10ohm @ 200ma，4.5V	1.5V @ 250µA	0.31 NC @ 4.5 V	-8V	11000 PF @ 10 V	-	350MW（TA）
1N5395	-	RFQ	4623	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		通过洞	do-204ac，do-15，轴向		标准		do-15	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	8,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													400 v		1.4 V @ 1.5 A		5 µA @ 400 V	-55°C〜150°C	1.5a	25pf @ 4V，1MHz
FQU4N50TU	0.7000	RFQ	27	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	5,040			n通道	500 v	2.6A（TC）	10V	2.7OHM @ 1.3A，10V	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	460 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），45W（（（（（（（（（（
FQAF40N25	2.9800	RFQ	2	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3		MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	360			n通道	250 v	24A（TC）	10V	70mohm @ 12a，10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±30V	4000 pf @ 25 V	-	108W（TC）
kbu8k	0.5400	RFQ	7963	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbu		标准		KBU	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	20																	1 V @ 8 A		10 µA @ 800 V		8 a				单相	800 v
DF01S1	0.1900	RFQ	10	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼		标准		4-SDIP	下载					Ear99	8541.10.0080	1,700																	1.1 V @ 1 A		3 µA @ 100 V		1 a				单相	100 v
FDFMA2P859T	0.2700	RFQ	14	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫		MOSFET （金属 o化物）		Microfet 2x2薄	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道	20 v	3A（3A）	1.8V，4.5V	120MOHM @ 3A，4.5V	1.3V @ 250µA	6 NC @ 4.5 V	±8V	435 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	1.4W（TA）
HUF75309D3S	0.2900	RFQ	1	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	1,800			n通道	55 v	19a（tc）		70mohm @ 19a，10v	4V @ 250µA	24 NC @ 20 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	55W（TC）
2N3905TFR	0.0200	RFQ	6136	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	4,373																							40 V	200 ma			-	PNP	400mv @ 5mA，50mA	50 @ 10mA，1V	-
MBR4050PT	-	RFQ	2430	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		通过洞	TO-247-3	MBR4050	肖特基		TO-247AD（TO-3P）	下载					Ear99	8541.10.0080	190		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	50 V	40a	720 mv @ 20 a		1 ma @ 50 V	-65°C〜150°C
MPSA55	-	RFQ	7335	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			625兆	TO-92（to-226）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	2,000																							60 V	500 MA			100NA	PNP	250mv @ 10mA，100mA	100 @ 100mA，1V	50MHz
FQPF6N40CF	0.6400	RFQ	1	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50			n通道	400 v	6A（TC）	10V	1欧姆 @ 3A，10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±30V	625 pf @ 25 V	-	38W（TC）
EGP20KTA	0.1500	RFQ	34	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		通过洞	do-204ac，do-15，轴向	EGP20	标准		do-15	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	4,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													800 v		1.7 V @ 2 A	75 ns	5 µA @ 800 V	-65°C〜150°C	2a	45pf @ 4V，1MHz
MMBT2907AK	1.0000	RFQ	1193	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			350兆	SOT-23-3	-	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	3,000																							60 V	600 MA			10NA（ICBO）	PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	200MHz
HUF76407D3S	0.2100	RFQ	19	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,800			n通道	60 V	12A（TC）	4.5V，10V	92MOHM @ 13A，10V	3V @ 250µA	11.3 NC @ 10 V	±16V	350 pf @ 25 V	-	38W（TC）
MMBD1701A	0.1000	RFQ	966	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		标准		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度													30 V		1.1 V @ 50 mA	1 ns	50 na @ 20 V	150°C （最大）	50mA	1pf @ 0v，1MHz
FJAF6810AYDTBTU	0.5100	RFQ	4819	Fairchild半导体	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3			60 W	to-3pf	-	rohs3符合条件			2156-FJAF6810AYDTBTU-FS	Ear99	8541.29.0095	30																							750 v	10 a			1ma	NPN	3V @ 1.5a，6a	5 @ 6a，5v	-
FQD3N30TF	0.2900	RFQ	1	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道	300 v	2.4A（TC）	10V	2.2OHM @ 1.2A，10V	5V @ 250µA	7 NC @ 10 V	±30V	230 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），30W（tc）
RFD16N05NL	0.5100	RFQ	776	Fairchild半导体	PSPICE®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			n通道	50 V	16A（TC）	10V	47mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	80 NC @ 20 V	±20V	900 pf @ 25 V	-	72W（TC）
FQAF19N20L	1.0900	RFQ	1	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3		MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	360			n通道	200 v	16A（TC）	5V，10V	140MOHM @ 8A，10V	2V @ 250µA	35 NC @ 5 V	±20V	2200 PF @ 25 V	-	85W（TC）
FDD8424H-F085A	-	RFQ	8930	Fairchild半导体	PowerTrench®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-5，DPAK（ + 4 +选项卡，TO-252AD	FDD8424	MOSFET （金属 o化物）	1.3W	TO-252-4	下载	不适用				Ear99	8541.29.0095	50	n和p通道			40V	9a，6.5a		24mohm @ 9a，10v	3V @ 250µA	20NC @ 10V		1000pf @ 20V	逻辑级别门
KSD471AGTA	-	RFQ	7357	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			800兆	TO-92-3	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-KSD471AGTA-600039			1																							30 V	1 a			100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 100mA，1a	200 @ 100mA，1V	130MHz
2N5551	-	RFQ	4074	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			625兆	TO-92（to-226）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	5,000																							160 v	600 MA			50NA（iCBO）	NPN	200mv @ 5mA，50mA	80 @ 10mA，5V	300MHz
FDMS3669S	0.8500	RFQ	1	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS3669	MOSFET （金属 o化物）	1W（ta），2.2W（2.2W（tc），1W（1W（ta），2.5W（ta（TC）（TC）	8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	352	2 n 通道（双）			30V	（13a）（24a t tc）（18a ta），60a tc（60a tc）（TC）		10mohm @ 13a，10v，5mohm @ 18a，10v	2.7V @ 250µA，2.5V @ 1mA	24nc @ 10v，34nc @ 10V		1605pf @ 15V，2060pf @ 15V	逻辑级别门
FQH35N40	5.3400	RFQ	846	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			n通道	400 v	35A（TC）	10V	105MOHM @ 17.5A，10V	5V @ 250µA	140 NC @ 10 V	±30V	5600 pf @ 25 V	-	310W（TC）
FQPF33N10	-	RFQ	6086	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道	100 v	18A（TC）	10V	52MOHM @ 9A，10V	4V @ 250µA	51 NC @ 10 V	±25V	1500 pf @ 25 V	-	41W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²