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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
HUFA76429D3S	0.6000	RFQ	3	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）			TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件		Ear99	8541.29.0095	1,800			n通道					60 V	20A（TC）	4.5V，10V	23mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±16V	1480 pf @ 25 V	-	110W（TC）
1N746A	1.9200	RFQ	74	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向					500兆		DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		Ear99	8541.10.0050	156																					1.5 V @ 200 ma		10 µA @ 1 V														3.3 v	28欧姆
IRFS634B_FP001	0.5000	RFQ	6	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）			TO-220F-3	下载	rohs3符合条件		Ear99	8541.29.0095	50			n通道					250 v	8.1A（TC）	10V	450MOHM @ 4.05A，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±30V	1000 pf @ 25 V	-	38W（TC）
HUFA75337S3ST	0.7700	RFQ	10	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件		Ear99	8541.29.0095	392			n通道					55 v	75A（TC）	10V	14mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	109 NC @ 20 V	±20V	1775 PF @ 25 V	-	175W（TC）
KSH340TF	0.2700	RFQ	16	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63					1.56 w		TO-252-3（DPAK）	下载	不适用		Ear99	8541.29.0095	2,000																												300 v	500 MA						100µA				NPN	-	30 @ 50mA，10v	-
SGU15N40LTU	0.8000	RFQ	11	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		SGU15	标准		45 W		我帕克	下载	rohs3符合条件		Ear99	8541.29.0095	70				-																							沟	400 v		130 a	8V @ 4.5V，130a	-		-
SGW23N60UFDTM	0.8300	RFQ	48	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		SGW23	标准		100 W		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件		Ear99	8541.29.0095	800				300V，12a，23ohm，15V																		60 ns					-	600 v	23 a	92 a	2.6V @ 15V，12a	（115µJ）（在），135µJ（（（（）	49 NC	17NS/60NS
SS9015ABU	0.0200	RFQ	3817	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					450兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	2156-SS9015ABU-FS	Ear99	8541.21.0075	1,000																												45 v	100 ma						50NA（iCBO）				PNP	700mv @ 5mA，100mA	60 @ 1mA，5V	190MHz
FSBB30CH60B	26.0300	RFQ	19	Fairchild半导体	Motion-SPM®	管子	过时的			通过洞	27-PowerDip 模块（1.205英寸，30.60mm）	IGBT							下载	rohs3符合条件		Ear99	8542.39.0001	10	3期				30 a	600 v	2500vrms
FQPF13N10	0.6100	RFQ	146	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）			TO-220F-3	下载	rohs3符合条件		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道					100 v	8.7A（TC）	10V	180MOHM @ 4.35a，10V	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±25V	450 pf @ 25 V	-	30W（TC）
FFA20U20DNTU	0.8500	RFQ	3	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-3P-3，SC-65-3				标准			to-3p	下载	rohs3符合条件		Ear99	8541.10.0080	30		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																1对普通阴极	200 v	20a	1.2 V @ 20 A	40 ns	20 µA @ 200 V	-65°C〜150°C
KSA1242YTU	0.1800	RFQ	5	Fairchild半导体	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA					10 W		我帕克	下载	rohs3符合条件		Ear99	8541.29.0075	5,040																												20 v	5 a						100µA（ICBO）				PNP	1V @ 100mA，4a	160 @ 500mA，2V	180MHz
FPAB50PH60	17.0600	RFQ	347	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	27-PowerDip 模块（1.205英寸，30.60mm）	IGBT							下载	rohs3符合条件		Ear99	8542.39.0001	10	2期				30 a	600 v	2500vrms
FDW2503N	0.4400	RFQ	6	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）		FDW25		MOSFET （金属 o化物）	600MW		8-tssop	下载	rohs3符合条件		Ear99	8541.21.0095	2,500	2 n 通道（双）							20V	5.5a		21MOHM @ 5.5A，4.5V	1.5V @ 250µA	17nc @ 4.5V		1082pf @ 10V	逻辑级别门
PN222222anlbu	1.0000	RFQ	3032	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					625兆		TO-92-3	-	rohs3符合条件		Ear99	8541.21.0095	10,000																												40 V	1 a						10NA（ICBO）				NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	300MHz
TN6714A	0.2400	RFQ	22	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					1 w		TO-226-3	下载	rohs3符合条件		Ear99	8541.21.0095	1,500																												30 V	2 a						100NA（ICBO）				NPN	500mv @ 100mA，1a	50 @ 1a，1V	-
KSD1616ALBU	0.0700	RFQ	490	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					750兆w		TO-92-3	下载	rohs3符合条件		Ear99	8541.21.0075	10,000																												60 V	1 a						100NA（ICBO）				NPN	300mv @ 50mA，1a	300 @ 100mA，2V	160MHz
FDS7060N7	1.6000	RFQ	4	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	rohs3符合条件		Ear99	8541.29.0095	188			n通道					30 V	（19a ta）	4.5V，10V	5mohm @ 19a，10v	3V @ 250µA	56 NC @ 5 V	±20V	3274 PF @ 15 V	-	（3W）（TA）
FDMS0308CS	1.5000	RFQ	14	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN				MOSFET （金属 o化物）			8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道					30 V	22a（22a）		3mohm @ 21a，10v	3V @ 1mA	66 NC @ 10 V		4225 pf @ 15 V	-	2.5W（TA），65W（tc）
FQB2P25TM	-	RFQ	8715	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件		Ear99	8541.29.0095	800			P通道					250 v	2.3a（TC）	10V	4ohm @ 1.15a，10v	5V @ 250µA	8.5 NC @ 10 V	±30V	250 pf @ 25 V	-	3.13W（ta），52W（（ta）
FFAF10U120DNTU	1.4800	RFQ	360	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-3P-3				标准			to-3pf	下载	rohs3符合条件		Ear99	8541.10.0080	30		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																1对普通阴极	1200 v	10a	3.5 V @ 10 A	100 ns	10 µA @ 1200 V	-65°C〜150°C
HGT1N30N60A4D	18.2300	RFQ	844	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克					255 w	标准	SOT-227B	下载	rohs3符合条件		Ear99	8541.29.0095	60	单身的																										-	600 v	96 a		2.7V @ 15V，30a				250 µA	不
FGA15N120FTDTU	-	RFQ	3612	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		FGA15N120	标准		220 w		to-3p	下载	rohs3符合条件		Ear99	8541.29.0095	30				-																		575 ns					沟渠场停止	1200 v	30 a	45 a	2V @ 15V，15a	-	100 NC	-
FDI33N25TU	1.0000	RFQ	7880	Fairchild半导体	Unifet™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA				MOSFET （金属 o化物）			i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件		Ear99	8541.29.0095	50			n通道					250 v	33A（TC）	10V	94mohm @ 16.5A，10V	5V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±30V	2135 PF @ 25 V	-	235W（TC）
FES16DT	-	RFQ	7731	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-2				标准			TO-220-2	下载	rohs3符合条件		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	200 v		950 MV @ 8 A	35 ns	10 µA @ 200 V	-65°C〜150°C	16a	170pf @ 4V，1MHz
FDS7064N7	1.0000	RFQ	8665	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	rohs3符合条件		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道					30 V	16.5A（TA）	4.5V	7mohm @ 16.5a，4.5V	2V @ 250µA	48 NC @ 4.5 V	±12V	3355 pf @ 15 V	-	（3W）（TA）
FQPF3N80CYDTU	0.6600	RFQ	1	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，形成的线索				MOSFET （金属 o化物）			TO-220F-3（Y Y形成）	下载	rohs3符合条件		Ear99	8541.29.0095	50			n通道					800 v	3A（TC）	10V	4.8OHM @ 1.5A，10V	5V @ 250µA	16.5 NC @ 10 V	±30V	705 pf @ 25 V	-	39W（TC）
NDC632P	1.0000	RFQ	2348	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6				MOSFET （金属 o化物）			SuperSot™-6	下载	rohs3符合条件		Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道					20 v	2.7a（ta）	2.7V，4.5V	140MOHM @ 2.7A，4.5V	1V @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	-8V	550 pf @ 10 V	-	1.6W（TA）
2N4400TF	0.0200	RFQ	20	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）					625兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件		Ear99	8541.21.0095	2,000																												40 V	600 MA						-				NPN	750mv @ 50mA，500mA	50 @ 150mA，1V	-
HUFA753093	0.2500	RFQ	13	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件		Ear99	8541.29.0095	400			n通道					55 v	19a（tc）	10V	70mohm @ 19a，10v	4V @ 250µA	24 NC @ 20 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	55W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²