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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）
FDD3672-F085	-	RFQ	7875	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101，Ultrafet™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-FD3672-F085-600039			1		n通道	100 v	44A（TC）	6V，10V	47mohm @ 21a，6v	4V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±20V	1635 PF @ 25 V	-	144W（TC）
EGP20A	0.2200	RFQ	27	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	do-204ac，do-15，轴向		标准		do-15	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-EGP20A-600039			1,348	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												50 V	950 mv @ 2 a	50 ns	5 µA @ 50 V	-65°C〜150°C	2a	70pf @ 4V，1MHz
FDPF13N50FT	1.0200	RFQ	27	Fairchild半导体	Unifet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载					Ear99	8542.39.0001	293		n通道	500 v	12A（TC）	10V	540MOHM @ 6A，10V	5V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±30V	1930 pf @ 25 V	-	42W（TC）
FQPF3N90	1.2300	RFQ	53	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50		n通道	900 v	2.1A（TC）	10V	4.25OHM @ 1.05a，10V	5V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±30V	910 PF @ 25 V	-	43W（TC）
FDP6035AL	1.3600	RFQ	106	Fairchild半导体	PowerTrench®	管子	过时的		-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50		n通道	30 V	48a（ta）	4.5V，10V	12mohm @ 24a，10v	3V @ 250µA	18 nc @ 5 V	±20V	1250 pf @ 15 V	-	52W（TC）
FQP5N20L	0.2900	RFQ	5	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	200 v	4.5A（TC）	5V，10V	1.2OHM @ 2.25a，10V	2V @ 250µA	6.2 NC @ 5 V	±20V	325 pf @ 25 V	-	52W（TC）
1n914tr	0.0300	RFQ	30	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		do-35	下载					Ear99	8541.10.0070	11,539	小信号= <200ma（io（io），任何速度												100 v	1 V @ 10 mA	4 ns	5 µA @ 75 V	-65°C〜175°C	200mA	4pf @ 0v，1MHz
BZX84C5V6-FS	0.0200	RFQ	3013	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZX84C5		250兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,003														900 mv @ 10 ma		1 µA @ 2 V										5.6 v	10欧姆
HUF75345S3S	1.0000	RFQ	1906年	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	400		n通道	55 v	75A（TC）	10V	7mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	275 NC @ 20 V	±20V	4000 pf @ 25 V	-	325W（TC）
FQP4N50	0.2700	RFQ	2	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载		不适用	到达不受影响	2156-FQP4N50-600039			1		n通道	500 v	3.4A（TC）	10V	2.7OHM @ 1.7A，10V	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	460 pf @ 25 V	-	70W（TC）
FDB8870	1.0300	RFQ	1	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道	30 V	（23A）（TA），160a （TC）	4.5V，10V	3.9mohm @ 35a，10v	2.5V @ 250µA	132 NC @ 10 V	±20V	5200 PF @ 15 V	-	160W（TC）
2N4400TFR	0.0200	RFQ	41	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	2,000																				40 V	600 MA				-				NPN	750mv @ 50mA，500mA	50 @ 150mA，1V	-
BZX84C5V1	-	RFQ	5914	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZX84C5		300兆	SOT23-3（TO-236）	-						0000.00.0000	1																2 µA @ 2 V										5.1 v	60欧姆
2N3904TA	1.0000	RFQ	8415	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			625兆	TO-92-3	下载					Ear99	8541.21.0075	1																				40 V	200 ma				-				NPN	300mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	300MHz
FDS86267P	1.0000	RFQ	3306	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	1		P通道	150 v	2.2A（ta）	6V，10V	255mohm @ 2.2a，10v	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±25V	1130 PF @ 75 V	-	1W（ta）
KSB834YTU	0.4500	RFQ	57	Fairchild半导体	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			1.5 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50																				60 V	3 a				100µA（ICBO）				PNP	1V @ 300mA，3a	100 @ 500mA，5V	9MHz
FDPF10N50FT	0.8700	RFQ	1	Fairchild半导体	Unifet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载					Ear99	8542.39.0001	347		n通道	500 v	9A（TC）	10V	850MOHM @ 4.5A，10V	5V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±30V	1170 pf @ 25 V	-	42W（TC）
MMBT2484	-	RFQ	7247	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBT2484		350兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000																				60 V	100 ma				10NA（ICBO）				NPN	350mv @ 100µA，1mA	100 @ 10µA，5V	-
FDD16AN08A0_NL	-	RFQ	7944	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	75 v	（9a）（50A），50A （TC）	6V，10V	16mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	47 NC @ 10 V	±20V	1874 PF @ 25 V	-	135W（TC）
FJY4011R	0.0200	RFQ	9581	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			表面安装	SC-89，SOT-490	FJY401		200兆	SOT-523F	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	3,000																				40 V	100 ma				100NA（ICBO）				pnp-预先偏见	300mv @ 1mA，10mA	100 @ 1mA，5V	200 MHz	22 KOHMS
MBRS130	-	RFQ	4855	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	DO-214AA，SMB		肖特基		SMB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	929	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												30 V	550 mv @ 1 a		1 ma @ 30 V	-65°C〜125°C	1a	-
RFD14N05L_NL	0.5200	RFQ	8832	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	408		n通道	50 V	14A（TC）	5V	100mohm @ 14a，5v	2V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±10V	670 pf @ 25 V	-	48W（TC）
FQAF16N50	2.7900	RFQ	8	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3		MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载					Ear99	8542.39.0001	108		n通道	500 v	11.3A（TC）	10V	320MOHM @ 5.65a，10V	5V @ 250µA	75 NC @ 10 V	±30V	3000 pf @ 25 V	-	110W（TC）
J112-D27Z	-	RFQ	1960年	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			625兆	TO-92-3	下载						0000.00.0000	1		n通道								-												35 v	5 ma @ 15 V	1 V @ 1 µA				50欧姆
BCW68G	0.0500	RFQ	224	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			350兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000																				45 v	800 MA				20NA				PNP	1.5V @ 30mA，300mA	160 @ 100mA，1V	100MHz
BC33725TFR	0.0400	RFQ	59	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			625兆	TO-92-3	下载					Ear99	8541.21.0075	7,071																				45 v	800 MA				100NA				NPN	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	100MHz
FDMC6680AZ	0.2000	RFQ	18	Fairchild半导体	*	大部分	积极的					FDMC6680	-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	3,000											-
FCD600N60Z	-	RFQ	6401	Fairchild半导体	*	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-FCD600N60Z	Ear99	8541.29.0095	1		n通道	600 v	7.4A（TC）	10V	600MOHM @ 3.7A，10V	3.5V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±20V	1120 PF @ 25 V	-	89W（TC）
MMSZ5257B	1.0000	RFQ	5408	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	SOD-123	MMSZ52		500兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000														900 mv @ 10 ma		100 na @ 25 V										5.1 v	41欧姆
FFB20U60STM	0.2700	RFQ	4634	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	5	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												600 v	2.2 V @ 20 A	90 ns	10 µA @ 600 V	-65°C〜150°C	20a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²