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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
KST92MTF	-	RFQ	7917	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	KST92			250兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	2,000																																300 v	500 MA						250NA（ICBO）			PNP	500mv @ 2mA，20mA	25 @ 30mA，10v	50MHz
RFP8P05	1.0000	RFQ	1742年	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	50			P通道			50 V	8A（TC）		300mohm @ 8a，10v	4V @ 250µA	80 NC @ 20 V			-
FGH50N6S2D	10.6400	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		463 w	TO-247	下载					Ear99	8542.39.0001	29					390V，30a，3ohm，15V																					55 ns					-	600 v	75 a	240 a	2.7V @ 15V，30a	（260µJ）（在250µJ上）	70 NC	13ns/55ns
BAV19	0.0200	RFQ	43	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			标准		DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0070	2,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																					120 v		1.25 V @ 200 ma	50 ns	100 na @ 100 V	175°c （最大）	200mA	5pf @ 0v，1MHz
FQB7N30TM	0.7800	RFQ	10	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	800			n通道			300 v	7A（TC）	10V	700MOHM @ 3.5A，10V	5V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±30V	610 pf @ 25 V	-	3.13W（ta），85W（tc）
IRF634B-FP001	1.0000	RFQ	7420	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-IRF634B-FP001-600039			1			n通道			250 v	8.1A（TC）	10V	450MOHM @ 4.05A，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±30V	1000 pf @ 25 V	-	74W（TC）
1N5254BTR	-	RFQ	6698	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-1N5254BTR-600039			1																											100 na @ 21 V													27 V	41欧姆
FDS6676AS	0.5300	RFQ	5	Fairchild半导体	PoterTrench®，SyncFet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS66		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	614			n通道			30 V	14.5A（TA）	4.5V，10V	6mohm @ 14.5a，10v	3V @ 1mA	63 NC @ 10 V	±20V	2510 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
FFB20UP20DN	0.6300	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			标准		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	800		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																				1对普通阴极	200 v	10a	1.15 V @ 10 A	40 ns	10 µA @ 200 V	-55°C 〜175°C
FQPF13N50C	1.2000	RFQ	17	Fairchild半导体	QFET®	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF1		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1			n通道			500 v	13A（TC）	10V	480MOHM @ 6.5A，10V	4V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±30V	2055 PF @ 25 V	-	48W（TC）
FFPF10U60STU	0.2700	RFQ	174	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	TO-220-2完整包			标准		TO-220F-2L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	1,110		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																					600 v		2.2 V @ 10 A	90 ns	5 µA @ 600 V	-65°C〜150°C	10a	-
S310-G	0.2000	RFQ	15	Fairchild半导体	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	3,000
FDS8896	1.0000	RFQ	8481	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道			30 V	15A（TA）	4.5V，10V	6mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	67 NC @ 10 V	±20V	2525 PF @ 15 V	-	2.5W（TA）
MMBD1703A	1.0000	RFQ	1287	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			标准		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																				1对系列连接	30 V	50mA	1.1 V @ 50 mA	1 ns	50 na @ 20 V	150°C （最大）
FDPF10N50UT	0.8600	RFQ	1	Fairchild半导体	Unifet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载					Ear99	8542.39.0001	351			n通道			500 v	8A（TC）	10V	1.05OHM @ 4A，10V	5V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±30V	1130 PF @ 25 V	-	42W（TC）
RURD4120S9A	0.5700	RFQ	5574	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			标准		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	20		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																					1200 v		2.1 V @ 4 A	90 ns	100 µA @ 1200 V	-65°C〜175°C	4a	-
MMSZ5255B	1.0000	RFQ	1316	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	150°C（TJ）	表面安装	SOD-123				500兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																									900 mv @ 10 ma		100 na @ 21 V													28 V	44欧姆
FDZ661PZ	0.3200	RFQ	80	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-XFBGA，WLCSP			MOSFET （金属 o化物）		4-WLCSP（0.8x0.8）	下载					Ear99	8542.39.0001	952			P通道			20 v	2.6a（ta）	1.5V，4.5V	140MOHM @ 2A，4.5V	1.2V @ 250µA	8.8 NC @ 4.5 V	±8V	555 pf @ 10 V	-	1.3W（TA）
FQU2N60CTLTU	0.3400	RFQ	5705	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	5			n通道			600 v	1.9A（TC）	10V	4.7ohm @ 950mA，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±30V	235 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），44W（tc）
IRFS240B	0.7200	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道			200 v	12.8A（TC）	10V	180mohm @ 6.4a，10v	4V @ 250µA	58 NC @ 10 V	±30V	1700 PF @ 25 V	-	73W（TC）
FDD6670S	0.9800	RFQ	47	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜150°C	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道			30 V	64a（ta）	4.5V，10V	9mohm @ 13.8a，10v	3V @ 1mA	24 NC @ 10 V	±20V	2010 PF @ 15 V	-	1.3W（TA）
MMBD1705	0.3400	RFQ	42	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			标准		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																				1对公共阳极	30 V	50mA	1.1 V @ 50 mA	700 ps	50 na @ 20 V	150°C （最大）
FDFS2P102	0.4300	RFQ	14	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	2,500			P通道			20 v	3.3a（ta）	4.5V，10V	125mohm @ 3.3a，10v	2V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±20V	270 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	900MW（TA）
SS9014ABU-FS	0.0200	RFQ	20	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				450兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1																																45 v	100 ma						50NA（iCBO）			NPN	300mv @ 5mA，100mA	60 @ 1mA，5V	270MHz
BAV21	0.0200	RFQ	339	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	BAV21		标准		do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	10,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																					250 v		1.25 V @ 200 ma	50 ns	100 na @ 200 V	-50°C 200°C	250mA	5pf @ 0v，1MHz
FQI10N20CTU	0.4100	RFQ	1	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			200 v	9.5A（TC）	10V	360MOHM @ 4.75a，10V	4V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±30V	510 pf @ 25 V	-	72W（TC）
FKPF2N80	-	RFQ	1594年	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-	通过洞	TO-220-3完整包					TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.30.0080	50	单身的			10 MA												逻辑 -敏感门	800 v	2 a	1.5 v	9a，10a	10 MA
FFPF04U40DNTU	0.2000	RFQ	3	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3完整包			标准		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																				1对普通阴极	400 v	4a	1.4 V @ 4 A	45 ns	10 µA @ 400 V	-65°C〜150°C
KSA1281YTA	0.1400	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）				1 w	TO-92-3	下载					Ear99	8542.39.0001	2,213																																50 V	2 a						100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 50mA，1a	120 @ 500mA，2V	100MHz
NDP6020P	-	RFQ	1059	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	NDP602		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1			P通道			20 v	24A（TC）	4.5V	50mohm @ 12a，4.5V	1V @ 250µA	35 NC @ 5 V	±8V	1590 pf @ 10 V	-	60W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²