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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
FDP6676	0.9800	RFQ	1	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	1			n通道		30 V	76A（ta）	4.5V，10V	6.5MOHM @ 38A，10V	3V @ 1mA	56 NC @ 5 V	±16V	4853 PF @ 15 V	-	70W（TC）
FDC6304P	0.2200	RFQ	7373	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	FDC6304		MOSFET （金属 o化物）	700MW		SuperSot™-6	下载				Ear99	8542.39.0001	2	2（p 通道（双）				25V	460mA		1.1OHM @ 500mA，4.5V	1.5V @ 250µA	1.5NC @ 4.5V		62pf @ 10V	逻辑级别门
SS8550BTA	0.0200	RFQ	3697	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				1 w		TO-92-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0075	2,000																							25 v	1.5 a								100NA（ICBO）					PNP	500mv @ 80mA，800mA	85 @ 100mA，1V	200MHz
KSD986YS	1.0000	RFQ	6085	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3				1 w		TO-126-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	2,000																							80 V	1.5 a								10µA（ICBO）					npn-达灵顿	1.5V @ 1mA，1a	8000 @ 1A，2V	-
FDP39N20	1.5900	RFQ	500	Fairchild半导体	Unifet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载				Ear99	8542.39.0001	1			n通道		200 v	39A（TC）	10V	66mohm @ 19.5a，10v	5V @ 250µA	49 NC @ 10 V	±30V	2130 PF @ 25 V	-	251W（TC）
FMS7G20US60S	17.3100	RFQ	28	Fairchild半导体	-	盒子	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	25 pm-aa				89 w	单相桥梁整流器	25 pm-aa	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	30	三期逆变器																					-	600 v	20 a		2.7V @ 15V，20A						250 µA	是的			1.277 NF @ 30 V
SS9014BTA	1.0000	RFQ	5715	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				450兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0075	2,000																							45 v	100 ma								50NA（iCBO）					NPN	300mv @ 5mA，100mA	100 @ 1mA，5V	270MHz
UF4003	0.1000	RFQ	104	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	UF400		标准			do-41	下载				Ear99	8541.10.0080	2,950		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													200 v	1 V @ 1 A	50 ns	5 µA @ 200 V	-50°C〜175°C	1a	-
kbu6k	-	RFQ	4104	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbu			标准			KBU	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.10.0080	200																1 V @ 6 A		10 µA @ 800 V		6 a										单相	800 v
FJY3014R	-	RFQ	5220	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			表面安装	SC-89，SOT-490	FJY301			200兆		SOT-523F	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0075	3,000																							50 V	100 ma								100NA（ICBO）					npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	250 MHz	4.7科姆斯	47科姆斯
FDS8958A	-	RFQ	9962	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的			表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS89		MOSFET （金属 o化物）	900MW		8-SOIC	下载				Ear99	8542.39.0001	1	n和p通道				30V	7a，5a		28mohm @ 7a，10v	3V @ 250µA	16NC @ 10V		575pf @ 15V	逻辑级别门
KSD1616GTA	-	RFQ	7609	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				750兆w		TO-92-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0075	4,000																							50 V	1 a								100NA（ICBO）					NPN	300mv @ 50mA，1a	200 @ 100mA，2V	160MHz
S1KFP	0.0700	RFQ	7976	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			表面安装	SOD-123H	S1K		标准			SOD-123HE	下载				Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													800 v	1.3 V @ 1.2 A	1.5 µs	5 µA @ 800 V	-55°C〜150°C	1.2a	18pf @ 0v，1MHz
Bay72Tr	0.0300	RFQ	110	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			标准			DO-35（do-204AH）	下载				Ear99	8541.10.0070	8,663		小信号= <200ma（io（io），任何速度													125 v	1 V @ 100 ma	50 ns	100 na @ 100 V	175°c （最大）	200mA	5pf @ 0v，1MHz
FGPF90N30	0.9600	RFQ	1	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		标准		56.8 w		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	1				-																		-	300 v		220 a	1.55V @ 15V，30a	-	93 NC	-
MMSZ5239B	1.0000	RFQ	7678	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	SOD-123	MMSZ52			500兆		SOD-123	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000																900 mv @ 10 ma		3 µA @ 7 V																9.1 v	8欧姆
kbu6d	0.5400	RFQ	5011	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbu			标准			KBU	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.10.0080	425																1 V @ 6 A		10 µA @ 200 V		6 a										单相	200 v
FDMS0300	-	RFQ	4511	Fairchild半导体	PoterTrench®，SyncFet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）			8-pqfn（5x6）	下载				Ear99	8542.39.0001	1			n通道		30 V	31a（31A），49A （TC）	4.5V，10V	1.8mohm @ 30a，10v	3V @ 1mA	133 NC @ 10 V	±20V	8705 pf @ 15 V	-	2.5W（ta），96w（tc）
FQP7P20	0.5900	RFQ	1	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	1,000			P通道		200 v	7.3A（TC）	10V	690MOHM @ 3.65A，10V	5V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±30V	770 pf @ 25 V	-	90W（TC）
BC640BU	0.0200	RFQ	33	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				1 w		TO-92-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0075	1,000																							80 V	1 a								100NA（ICBO）					PNP	500mv @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，2V	100MHz
1N458A	2.0000	RFQ	292	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			标准			DO-35（do-204AH）	下载				Ear99	8541.10.0070	8,535		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													150 v	1 V @ 100 ma		25 µA @ 125 V	175°c （最大）	500mA	-
SSS4N60BT	0.3100	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）			TO-220F-3	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1			n通道		600 v	4A（TJ）	10V	2.5OHM @ 2A，10V	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±30V	920 PF @ 25 V	-	33W（TC）
FQP9N15	0.2900	RFQ	2	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道		150 v	9A（TC）	10V	400MOHM @ 4.5A，10V	4V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±25V	410 pf @ 25 V	-	75W（TC）
ISL9V3036D3ST	1.9600	RFQ	19	Fairchild半导体	Ecospark®	大部分	过时的		-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		逻辑		150 w		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	2,500				300V，1KOHM，5V																		-	360 v	21 a		1.6V @ 4V，6A	-	17 NC	- /4.8µs
KAR00061A	3.7800	RFQ	49	Fairchild半导体	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	80
flz6v2b	0.0200	RFQ	49	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80				500兆		SOD-80	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.10.0050	2,500																1.2 V @ 200 ma		3.3 µA @ 3 V																6.1 v	8.5欧姆
FJP5304DTU	1.0000	RFQ	9133	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-	通过洞	TO-220-3				70 W		TO-220-3	下载				Ear99	8542.39.0001	1																							400 v	4 a								250mA					NPN	1.5V @ 500mA，2.5a	8 @ 2a，5v	-
KSA992PTA	-	RFQ	7772	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				500兆		TO-92-3	-	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0075	2,000																							120 v	50 mA								1µA					PNP	300mv @ 1mA，10mA	200 @ 1mA，6v	100MHz
BZX84C3V3	0.0200	RFQ	9022	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZX84C3			250兆		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	9,160																900 mv @ 10 ma		5 µA @ 1 V																3.3 v	95欧姆
KSC839CYTA	0.0200	RFQ	6430	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				250兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0075	1,957																							30 V	100 ma								100NA（ICBO）					NPN	400mv @ 1mA，10mA	120 @ 2mA，12v	200MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²