RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）
MMBT2484	-	RFQ	7247	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBT2484		350兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000																				60 V	100 ma				10NA（ICBO）				NPN	350mv @ 100µA，1mA	100 @ 10µA，5V	-
FJY4011R	0.0200	RFQ	9581	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			表面安装	SC-89，SOT-490	FJY401		200兆	SOT-523F	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	3,000																				40 V	100 ma				100NA（ICBO）				pnp-预先偏见	300mv @ 1mA，10mA	100 @ 1mA，5V	200 MHz	22 KOHMS
MBRS130	-	RFQ	4855	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	DO-214AA，SMB		肖特基		SMB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	929	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												30 V	550 mv @ 1 a		1 ma @ 30 V	-65°C〜125°C	1a	-
FQAF16N50	2.7900	RFQ	8	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3		MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载					Ear99	8542.39.0001	108		n通道	500 v	11.3A（TC）	10V	320MOHM @ 5.65a，10V	5V @ 250µA	75 NC @ 10 V	±30V	3000 pf @ 25 V	-	110W（TC）
FDD6530A	1.0000	RFQ	9011	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道	20 v	21a（21a）	2.5V，4.5V	32MOHM @ 8A，4.5V	1.2V @ 250µA	9 NC @ 4.5 V	±8V	710 pf @ 10 V	-	3.3W（TA），33W（tc）
J112-D27Z	-	RFQ	1960年	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			625兆	TO-92-3	下载						0000.00.0000	1		n通道								-												35 v	5 ma @ 15 V	1 V @ 1 µA				50欧姆
RFD14N05L_NL	0.5200	RFQ	8832	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	408		n通道	50 V	14A（TC）	5V	100mohm @ 14a，5v	2V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±10V	670 pf @ 25 V	-	48W（TC）
BC33725TFR	0.0400	RFQ	59	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			625兆	TO-92-3	下载					Ear99	8541.21.0075	7,071																				45 v	800 MA				100NA				NPN	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	100MHz
FDMC6680AZ	0.2000	RFQ	18	Fairchild半导体	*	大部分	积极的					FDMC6680	-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	3,000											-
BCW68G	0.0500	RFQ	224	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			350兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000																				45 v	800 MA				20NA				PNP	1.5V @ 30mA，300mA	160 @ 100mA，1V	100MHz
FCD600N60Z	-	RFQ	6401	Fairchild半导体	*	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-FCD600N60Z	Ear99	8541.29.0095	1		n通道	600 v	7.4A（TC）	10V	600MOHM @ 3.7A，10V	3.5V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±20V	1120 PF @ 25 V	-	89W（TC）
MMSZ5257B	1.0000	RFQ	5408	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	SOD-123	MMSZ52		500兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000														900 mv @ 10 ma		100 na @ 25 V										5.1 v	41欧姆
flz8v2b	0.0200	RFQ	5084	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	4,230														1.2 V @ 200 ma		300 na @ 5 v										8 V	6.6欧姆
KSA1015GRBU	-	RFQ	8313	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			400兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	7,820																				50 V	150 ma				100NA（ICBO）				PNP	300mv @ 10mA，100mA	200 @ 2mA，6v	80MHz
2N6076	0.0200	RFQ	36	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	2,000																				25 v	500 MA				100NA				PNP	250mv @ 1mA，10mA	100 @ 10mA，1V	-
1N916A	1.0000	RFQ	1634年	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N916	标准		do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度												100 v	1 V @ 20 ma	4 ns	5 µA @ 75 V	-65°C〜175°C	200mA	2pf @ 0v，1MHz
FDMC7660DC	-	RFQ	9332	Fairchild半导体	Dual Cool™，PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		Dual Cool™33	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-FDMC7660DC-600039			1		n通道	30 V	30a（30a），40a （TC）	4.5V，10V	2.2MOHM @ 22A，10V	2.5V @ 250µA	76 NC @ 10 V	±20V	5170 pf @ 15 V	-	（3W）（78W ta）（TC）
MMBT5401	-	RFQ	5571	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			350兆	SOT23-3（TO-236）	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-MMBT5401-600039			1																				150 v	600 MA				50NA（iCBO）				PNP	500mv @ 5mA，50mA	60 @ 10mA，5V	300MHz
BC32725	0.0600	RFQ	53	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,000																				45 v	800 MA				100NA				PNP	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	100MHz
HUFA76429D3ST	0.9200	RFQ	38	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	20A（TC）	4.5V，10V	23mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±16V	1480 pf @ 25 V	-	110W（TC）
1N5986B	1.8400	RFQ	10	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	163														1.2 V @ 200 ma		75 µA @ 1 V										2.7 v	100欧姆
FDMS8558SDC	-	RFQ	2392	Fairchild半导体	PoterTrench®，SyncFet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000		n通道	25 v	38A（TA），90A （TC）		1.5MOHM @ 38A，10V	2.2V @ 1mA	81 NC @ 10 V	±12V	5118 pf @ 13 V	-	3.3W（TA），89w（tc）
FQB70N08TM	1.2000	RFQ	1	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	800		n通道	80 V	70A（TC）	10V	17mohm @ 35a，10v	4V @ 250µA	98 NC @ 10 V	±25V	2700 PF @ 25 V	-	3.75W（ta），155W（tc）
FDP55N06	-	RFQ	6365	Fairchild半导体	Unifet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道	60 V	55A（TC）	10V	22mohm @ 27.5a，10v	4V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±25V	1510 PF @ 25 V	-	114W（TC）
NDB6030PL	0.9000	RFQ	14	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NDB603	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263ab）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	8,000		P通道	30 V	30A（TC）	4.5V，10V	25mohm @ 19a，10v	2V @ 250µA	36 NC @ 5 V	±16V	1570 pf @ 15 V	-	75W（TC）
FQA13N50C	2.0800	RFQ	9	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	450		n通道	500 v	13.5A（TC）	10V	480MOHM @ 6.75a，10V	4V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±30V	2055 PF @ 25 V	-	218W（TC）
FDD6770A	0.7100	RFQ	4	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD677	MOSFET （金属 o化物）		D-pak（TO-252）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道	25 v	（24A）（TA），50A （TC）	4.5V，10V	4MOHM @ 24A，10V	3V @ 250µA	47 NC @ 10 V	±20V	2405 pf @ 13 V	-	3.7W（3），65W（TC）
FQB19N20TM	0.8800	RFQ	4720	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载					Ear99	8542.39.0001	254		n通道	200 v	19.4a（TC）	10V	150MOHM @ 9.7A，10V	5V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±30V	1600 pf @ 25 V	-	3.13W（TA），140W（tc）
1N5989B	1.8400	RFQ	9	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	163														1.2 V @ 200 ma		15 µA @ 1 V										3.6 v	90欧姆
BC549BBU	-	RFQ	7555	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	1,000																				30 V	100 ma				15NA（icbo）				NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V	300MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²