SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 fet (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 电压-收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 当前 -收集器截止(最大) 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT)) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 电阻 -底座( -r1) 电阻 -发射极底座( r2)
HUF75631S3S Fairchild Semiconductor HUF75631S3S 0.7000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Fairchild半导体 Ultrafet™ 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB HUF75 MOSFET (金属 o化物) d²pak(to-263ab) - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 100 v 33A(TC) 10V 40mohm @ 33a,10v 4V @ 250µA 79 NC @ 20 V ±20V 1220 pf @ 25 V - 120W(TC)
MBRP1545NTU Fairchild Semiconductor MBRP1545NTU 0.5300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 通过洞 TO-220-3 肖特基 TO-220-3 下载 Ear99 8541.10.0080 570 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 15a 800 mv @ 15 A 1 mA @ 45 V -65°C〜150°C
HUF75343S3 Fairchild Semiconductor HUF75343S3 1.0000
RFQ
ECAD 540 0.00000000 Fairchild半导体 Ultrafet™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA MOSFET (金属 o化物) i2pak((TO-262) 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 400 n通道 55 v 75A(TC) 10V 9mohm @ 75a,10v 4V @ 250µA 205 NC @ 20 V ±20V 3000 pf @ 25 V - 270W(TC)
ISL9K860P3 Fairchild Semiconductor ISL9K860P3 -
RFQ
ECAD 8630 0.00000000 Fairchild半导体 Stealth™ 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 标准 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.10.0080 400 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 600 v 8a 2.4 V @ 8 A 30 ns 100 µA @ 600 V -55°C 〜175°C
ISL9K1560G3 Fairchild Semiconductor ISL9K1560G3 1.3300
RFQ
ECAD 1008 0.00000000 Fairchild半导体 * 大部分 积极的 下载 供应商不确定 到达不受影响 2156-ISL9K1560G3-600039 1
EGP20G Fairchild Semiconductor EGP20G 0.2800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 通过洞 do-204ac,do-15,轴向 标准 do-15 下载 Ear99 8541.10.0080 1,158 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.25 V @ 2 A 50 ns 5 µA @ 400 V -65°C〜150°C 2a 45pf @ 4V,1MHz
BAT42XV2 Fairchild Semiconductor BAT42XV2 -
RFQ
ECAD 7273 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 过时的 表面安装 SC-79,SOD-523 BAT42 肖特基 SOD-523F 下载 Ear99 8541.10.0070 1 小信号= <200ma(io(io),任何速度 30 V 1 V @ 200 MA 5 ns 500 na @ 25 V 125°c (最大) 200mA 7pf @ 1V,1MHz
FFB20UP20DN-SB82195 Fairchild Semiconductor FFB20UP20DN-SB82195 0.7700
RFQ
ECAD 100 0.00000000 Fairchild半导体 * 大部分 积极的 - 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 800
S1G Fairchild Semiconductor S1G 0.0500
RFQ
ECAD 186 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 表面安装 do-214ac,SMA 标准 do-214ac,SMA 下载 Ear99 8541.10.0080 6,217 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1.1 V @ 1 A 1.5 µs 5 µA @ 400 V -50°C〜150°C 1a -
RGP10K Fairchild Semiconductor RGP10K 0.0600
RFQ
ECAD 60 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 标准 do-41 下载 供应商不确定 供应商不确定 2156-RGP10K-600039 4,800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 800 v 1.3 V @ 1 A 500 ns 5 µA @ 800 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
FQD20N06TM Fairchild Semiconductor FQD20N06TM -
RFQ
ECAD 4146 0.00000000 Fairchild半导体 QFET® 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 MOSFET (金属 o化物) TO-252,(-d-pak) 下载 0000.00.0000 1 n通道 60 V 16.8A(TC) 10V 63mohm @ 8.4a,10v 4V @ 250µA 15 NC @ 10 V ±25V 590 pf @ 25 V - 2.5W(ta),38W(tc)
FJD3076TM Fairchild Semiconductor FJD3076TM 0.2400
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 FJD3076 1 w D-pak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 0000.00.0000 1,268 32 v 2 a 1µA(ICBO) NPN 800mv @ 200mA,2a 130 @ 500mA,3v 100MHz
FQU9N25TU Fairchild Semiconductor FQU9N25TU 0.5600
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Fairchild半导体 QFET® 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-251-3,IPAK,TO-251AA MOSFET (金属 o化物) 我帕克 下载 Ear99 8542.39.0001 538 n通道 250 v 7.4A(TC) 10V 420MOHM @ 3.7A,10V 5V @ 250µA 20 nc @ 10 V ±30V 700 pf @ 25 V - 2.5W(TA),55W(tc)
FLZ10VB Fairchild Semiconductor flz10vb 0.0200
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 过时的 ±3% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 500兆 SOD-80 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.10.0050 15,000 1.2 V @ 200 ma 110 na @ 7 V 9.7 v 6.6欧姆
BSR17A Fairchild Semiconductor BSR17A -
RFQ
ECAD 5551 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 350兆 SOT-23-3 下载 Ear99 8541.21.0075 1 40 V 200 ma 5µA(ICBO) NPN 300mv @ 5mA,50mA 100 @ 10mA,1V 300MHz
1N916B Fairchild Semiconductor 1N916B 0.0300
RFQ
ECAD 259 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 标准 DO-35(do-204AH) 下载 Ear99 8541.10.0070 11,539 小信号= <200ma(io(io),任何速度 100 v 1 V @ 20 ma 4 ns 5 µA @ 75 V -65°C〜175°C 200mA 2pf @ 0v,1MHz
1N4933GP Fairchild Semiconductor 1N4933GP 0.1900
RFQ
ECAD 44 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.10.0080 25,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 1.2 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 50 V -65°C〜175°C 1a 12pf @ 4V,1MHz
FJN3310RTA Fairchild Semiconductor FJN3310RTA 0.0200
RFQ
ECAD 290 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 过时的 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) FJN331 300兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.21.0075 2,000 40 V 100 ma 100NA(ICBO) npn-预先偏见 300mv @ 1mA,10mA 100 @ 1mA,5V 250 MHz 10 kohms
RS1KFA Fairchild Semiconductor RS1KFA -
RFQ
ECAD 7709 0.00000000 Fairchild半导体 汽车,AEC-Q101 大部分 积极的 表面安装 SOD-123W RS1K 标准 SOD-123FA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 800 v 1.3 V @ 800 mA 500 ns 5 µA @ 800 V -55°C〜150°C 800mA 10pf @ 4V,1MHz
BC32740BU Fairchild Semiconductor BC32740BU -
RFQ
ECAD 3513 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) 625兆 TO-92-3 下载 Ear99 8541.21.0075 52 45 v 800 MA 100NA PNP 700mv @ 50mA,500mA 250 @ 100mA,1V 100MHz
IRFW630BTM_FP001 Fairchild Semiconductor IRFW630BTM_FP001 0.4300
RFQ
ECAD 800 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MOSFET (金属 o化物) D2PAK(TO-263) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 200 v 9A(TC) 10V 400MOHM @ 4.5A,10V 4V @ 250µA 29 NC @ 10 V ±30V 720 PF @ 25 V - 3.13W(ta),72W(tc)
FDD8780 Fairchild Semiconductor FDD8780 0.4100
RFQ
ECAD 999 0.00000000 Fairchild半导体 PowerTrench® 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 MOSFET (金属 o化物) TO-252,(-d-pak) 下载 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 25 v 35A(TC) 4.5V,10V 8.5MOHM @ 35A,10V 2.5V @ 250µA 29 NC @ 10 V ±20V 1440 pf @ 13 V - 50W(TC)
FMKA130L Fairchild Semiconductor FMKA130L -
RFQ
ECAD 1927年 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 过时的 表面安装 do-214ac,SMA 肖特基 DO-214AC(SMA) 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.10.0080 4,121 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 30 V 410 MV @ 1 A 1 ma @ 30 V -65°C〜125°C 1a -
ISL9N306AS3ST Fairchild Semiconductor ISL9N306AS3ST 0.3700
RFQ
ECAD 33 0.00000000 Fairchild半导体 Ultrafet® 大部分 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MOSFET (金属 o化物) TO-263AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 30 V 75A(TC) 4.5V,10V 6mohm @ 75a,10v 3V @ 250µA 90 NC @ 10 V ±20V 3400 PF @ 15 V - 125W(TA)
SS25 Fairchild Semiconductor SS25 0.1600
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 表面安装 DO-214AA,SMB 肖特基 DO-214AA(SMB) 下载 Ear99 8541.10.0080 1,876 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 700 mv @ 2 a 400 µA @ 50 V -65°C〜125°C 2a -
FJX3003RTF Fairchild Semiconductor FJX3003RTF 0.0200
RFQ
ECAD 27 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 过时的 表面安装 SC-70,SOT-323 FJX300 200兆 SC-70-3(SOT323) 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 100NA(ICBO) npn-预先偏见 300mv @ 500µA,10mA 56 @ 5mA,5V 250 MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
MMSZ5253B Fairchild Semiconductor MMSZ5253B 1.0000
RFQ
ECAD 1744年 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 ±5% 150°C(TJ) 表面安装 SOD-123 500兆 SOD-123 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 900 mv @ 10 ma 100 na @ 19 V 25 v 35欧姆
FQPF13N50 Fairchild Semiconductor FQPF13N50 1.2500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Fairchild半导体 QFET® 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 MOSFET (金属 o化物) TO-220F-3 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 500 v 12.5A(TC) 10V 430mohm @ 6.25a,10V 5V @ 250µA 60 NC @ 10 V ±30V 2300 PF @ 25 V - 56W(TC)
MM5Z3V3 Fairchild Semiconductor MM5Z3V3 1.0000
RFQ
ECAD 4066 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 ±6.06% -55°C〜150°C 表面安装 SC-79,SOD-523 200兆 SOD-523F 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 8,000 5 µA @ 1 V 3.3 v 95欧姆
FDMC0202S Fairchild Semiconductor FDMC0202S 0.2300
RFQ
ECAD 16 0.00000000 Fairchild半导体 PowerTrench® 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET (金属 o化物) 8-pqfn(3.3x3.3) 下载 Ear99 8542.29.0095 1 n通道 25 v 22.5a(TA),40a tc) 4.5V,10V 3.15MOHM @ 22.5A,10V 3V @ 1mA 44 NC @ 10 V ±20V 2705 pf @ 13 V - 2.3W(TA),52W(TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库