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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压-收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 电阻 -底座( -r1) | 电阻 -发射极底座( r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | HUF75631S3S | 0.7000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | Ultrafet™ | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | HUF75 | MOSFET (金属 o化物) | d²pak(to-263ab) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 100 v | 33A(TC) | 10V | 40mohm @ 33a,10v | 4V @ 250µA | 79 NC @ 20 V | ±20V | 1220 pf @ 25 V | - | 120W(TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRP1545NTU | 0.5300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | 肖特基 | TO-220-3 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0080 | 570 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 15a | 800 mv @ 15 A | 1 mA @ 45 V | -65°C〜150°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75343S3 | 1.0000 | ![]() | 540 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | Ultrafet™ | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | MOSFET (金属 o化物) | i2pak((TO-262) | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | n通道 | 55 v | 75A(TC) | 10V | 9mohm @ 75a,10v | 4V @ 250µA | 205 NC @ 20 V | ±20V | 3000 pf @ 25 V | - | 270W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ISL9K860P3 | - | ![]() | 8630 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | Stealth™ | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-3 | 标准 | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.10.0080 | 400 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 600 v | 8a | 2.4 V @ 8 A | 30 ns | 100 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ISL9K1560G3 | 1.3300 | ![]() | 1008 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 供应商不确定 | 到达不受影响 | 2156-ISL9K1560G3-600039 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EGP20G | 0.2800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | do-204ac,do-15,轴向 | 标准 | do-15 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,158 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.25 V @ 2 A | 50 ns | 5 µA @ 400 V | -65°C〜150°C | 2a | 45pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT42XV2 | - | ![]() | 7273 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | SC-79,SOD-523 | BAT42 | 肖特基 | SOD-523F | 下载 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 30 V | 1 V @ 200 MA | 5 ns | 500 na @ 25 V | 125°c (最大) | 200mA | 7pf @ 1V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FFB20UP20DN-SB82195 | 0.7700 | ![]() | 100 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 800 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S1G | 0.0500 | ![]() | 186 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 标准 | do-214ac,SMA | 下载 | Ear99 | 8541.10.0080 | 6,217 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.1 V @ 1 A | 1.5 µs | 5 µA @ 400 V | -50°C〜150°C | 1a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGP10K | 0.0600 | ![]() | 60 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 标准 | do-41 | 下载 | 供应商不确定 | 供应商不确定 | 2156-RGP10K-600039 | 4,800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 800 v | 1.3 V @ 1 A | 500 ns | 5 µA @ 800 V | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQD20N06TM | - | ![]() | 4146 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | QFET® | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252,(-d-pak) | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | n通道 | 60 V | 16.8A(TC) | 10V | 63mohm @ 8.4a,10v | 4V @ 250µA | 15 NC @ 10 V | ±25V | 590 pf @ 25 V | - | 2.5W(ta),38W(tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJD3076TM | 0.2400 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | FJD3076 | 1 w | D-pak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1,268 | 32 v | 2 a | 1µA(ICBO) | NPN | 800mv @ 200mA,2a | 130 @ 500mA,3v | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQU9N25TU | 0.5600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | QFET® | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-251-3,IPAK,TO-251AA | MOSFET (金属 o化物) | 我帕克 | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 538 | n通道 | 250 v | 7.4A(TC) | 10V | 420MOHM @ 3.7A,10V | 5V @ 250µA | 20 nc @ 10 V | ±30V | 700 pf @ 25 V | - | 2.5W(TA),55W(tc) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | flz10vb | 0.0200 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 过时的 | ±3% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | 500兆 | SOD-80 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1.2 V @ 200 ma | 110 na @ 7 V | 9.7 v | 6.6欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSR17A | - | ![]() | 5551 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 350兆 | SOT-23-3 | 下载 | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 40 V | 200 ma | 5µA(ICBO) | NPN | 300mv @ 5mA,50mA | 100 @ 10mA,1V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N916B | 0.0300 | ![]() | 259 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 标准 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Ear99 | 8541.10.0070 | 11,539 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 100 v | 1 V @ 20 ma | 4 ns | 5 µA @ 75 V | -65°C〜175°C | 200mA | 2pf @ 0v,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4933GP | 0.1900 | ![]() | 44 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.10.0080 | 25,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 1.2 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 1a | 12pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJN3310RTA | 0.0200 | ![]() | 290 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) | FJN331 | 300兆 | TO-92-3 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 40 V | 100 ma | 100NA(ICBO) | npn-预先偏见 | 300mv @ 1mA,10mA | 100 @ 1mA,5V | 250 MHz | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RS1KFA | - | ![]() | 7709 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SOD-123W | RS1K | 标准 | SOD-123FA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 800 v | 1.3 V @ 800 mA | 500 ns | 5 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 800mA | 10pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC32740BU | - | ![]() | 3513 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | 625兆 | TO-92-3 | 下载 | Ear99 | 8541.21.0075 | 52 | 45 v | 800 MA | 100NA | PNP | 700mv @ 50mA,500mA | 250 @ 100mA,1V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFW630BTM_FP001 | 0.4300 | ![]() | 800 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MOSFET (金属 o化物) | D2PAK(TO-263) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 200 v | 9A(TC) | 10V | 400MOHM @ 4.5A,10V | 4V @ 250µA | 29 NC @ 10 V | ±30V | 720 PF @ 25 V | - | 3.13W(ta),72W(tc) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD8780 | 0.4100 | ![]() | 999 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | PowerTrench® | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252,(-d-pak) | 下载 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 25 v | 35A(TC) | 4.5V,10V | 8.5MOHM @ 35A,10V | 2.5V @ 250µA | 29 NC @ 10 V | ±20V | 1440 pf @ 13 V | - | 50W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FMKA130L | - | ![]() | 1927年 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 肖特基 | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.10.0080 | 4,121 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 410 MV @ 1 A | 1 ma @ 30 V | -65°C〜125°C | 1a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ISL9N306AS3ST | 0.3700 | ![]() | 33 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | Ultrafet® | 大部分 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MOSFET (金属 o化物) | TO-263AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 30 V | 75A(TC) | 4.5V,10V | 6mohm @ 75a,10v | 3V @ 250µA | 90 NC @ 10 V | ±20V | 3400 PF @ 15 V | - | 125W(TA) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | SS25 | 0.1600 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | 肖特基 | DO-214AA(SMB) | 下载 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,876 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 700 mv @ 2 a | 400 µA @ 50 V | -65°C〜125°C | 2a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJX3003RTF | 0.0200 | ![]() | 27 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | FJX300 | 200兆 | SC-70-3(SOT323) | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 100NA(ICBO) | npn-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 56 @ 5mA,5V | 250 MHz | 22 KOHMS | 22 KOHMS | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5253B | 1.0000 | ![]() | 1744年 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123 | 500兆 | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 19 V | 25 v | 35欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF13N50 | 1.2500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | QFET® | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F-3 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 500 v | 12.5A(TC) | 10V | 430mohm @ 6.25a,10V | 5V @ 250µA | 60 NC @ 10 V | ±30V | 2300 PF @ 25 V | - | 56W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MM5Z3V3 | 1.0000 | ![]() | 4066 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±6.06% | -55°C〜150°C | 表面安装 | SC-79,SOD-523 | 200兆 | SOD-523F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 5 µA @ 1 V | 3.3 v | 95欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMC0202S | 0.2300 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | PowerTrench® | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | MOSFET (金属 o化物) | 8-pqfn(3.3x3.3) | 下载 | Ear99 | 8542.29.0095 | 1 | n通道 | 25 v | 22.5a(TA),40a tc) | 4.5V,10V | 3.15MOHM @ 22.5A,10V | 3V @ 1mA | 44 NC @ 10 V | ±20V | 2705 pf @ 13 V | - | 2.3W(TA),52W(TC) |
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