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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
MMBF5484	-	RFQ	6373	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		25 v		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		400MHz	JFET		SOT-23-3	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道			5mA	-	-											4DB												15 v
KSB1116ALTA	1.0000	RFQ	5833	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				750兆w	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,000																											60 V	1 a		100NA（ICBO）			PNP	300mv @ 50mA，1a	300 @ 100mA，2V	120MHz
NDH8304P	0.7000	RFQ	78	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tsop （0.130英寸，3.30mm）	NDH8304		MOSFET （金属 o化物）	800MW	Supersot™-8	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）						20V	2.7a		70MOHM @ 2.7a，4.5V	1V @ 250µA	23nc @ 4.5V		865pf @ 10V	逻辑级别门
KSC2756YMTF	0.0200	RFQ	6280	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				150MW	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,295						15DB〜23DB																					20V	30mA					NPN		120 @ 5mA，10v	850MHz	6.5db @ 200MHz
KSD362R	0.2000	RFQ	4647	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				40 W	TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,170																											70 v	5 a		20µA（ICBO）			NPN	1V @ 500mA，5a	40 @ 5A，5V	10MHz
BSR15	-	RFQ	1370	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BSR15			350兆	SOT-23-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000																											40 V	800 MA		20NA（ICBO）			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	200MHz
FDA16N50LDTU	1.5800	RFQ	26	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3（（SC-65-3））			MOSFET （金属 o化物）		to-3pn（l形成）	下载					Ear99	8542.39.0001	190			n通道				500 v	16.5A（TC）	10V	380MOHM @ 8.3A，10V	5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±30V	1945 pf @ 25 V	-	205W（TC）
MM5Z3V6	1.0000	RFQ	2573	Fairchild半导体	*	大部分	积极的											下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-MM5Z3V6-600039			1
ES1J	-	RFQ	6490	Fairchild半导体	-	大部分	积极的				表面安装	do-214ac，SMA	ES1		标准		DO-214AC（SMA）	下载					Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	600 v		1.7 V @ 1 A	35 ns	5 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	1a	8pf @ 4V，1MHz
KSD471AYBU	0.0500	RFQ	85	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				800兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1																											30 V	1 a		100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 100mA，1a	120 @ 100mA，1V	130MHz
1N5226B	0.0300	RFQ	10	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％		-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆	DO-35（do-204AH）	下载					Ear99	8541.10.0050	10,486																					1.5 V @ 200 ma		25 µA @ 1 V								3.3 v	28欧姆
FYV0203SMTF	0.2000	RFQ	7	Fairchild半导体	-	大部分	过时的				表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			肖特基		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																	30 V		1 V @ 200 MA	5 ns	2 µA @ 30 V	150°C （最大）	200mA	10pf @ 1V，1MHz
EGP10F	0.1300	RFQ	97	Fairchild半导体	-	大部分	积极的				通过洞	do-204al，do-41，轴向			标准		do-41	下载		供应商不确定	供应商不确定	2156-EGP10F-600039			2,332		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	300 v		1.25 V @ 1 A	50 ns	5 µA @ 300 V	-65°C〜150°C	1a	-
1N4750ATR	0.0300	RFQ	338	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％		-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向				1 w	DO-204AL（DO-41）	下载					Ear99	8541.10.0050	11,053																							5 µA @ 20.6 V								27 V	35欧姆
2N5210TFR	0.0200	RFQ	7068	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				625兆	TO-92-3	-	不适用				Ear99	8541.21.0095	2,000																											50 V	100 ma		50NA（iCBO）			NPN	700mv @ 1mA，10mA	200 @ 100µA，5V	30MHz
TIP121	-	RFQ	1846年	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TIP121			2 w	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																											80 V	5 a		500µA			npn-达灵顿	4V @ 20mA，5a	1000 @ 3a，3v	-
NDS9410A	0.6800	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道				30 V	7.3a（ta）	4.5V，10V	28mohm @ 7.3a，10v	3V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	830 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
BD241CTU	0.3200	RFQ	6	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	BD241			40 W	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1																											100 v	3 a		300µA			NPN	1.2V @ 600mA，3a	25 @ 1A，4V	-
BZX55C12	0.0600	RFQ	33	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％		-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	1,000																					1.3 V @ 100 mA		100 na @ 9 V								12 v	20欧姆
1N5400G	-	RFQ	1476	Fairchild半导体	-	大部分	积极的				通过洞	DO-201 AD，轴向	1N5400		标准		Do-201 AD	下载					Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																	50 V		980 mv @ 3 a		500 NA @ 50 V	-55°C〜150°C	3a	30pf @ 4V，1MHz
2N5771	1.0000	RFQ	2770	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				350兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	1																											15 v	200 ma		10NA			PNP	600mv @ 5mA，50mA	50 @ 10mA，300mv	-
FQI9N25CTU	1.1200	RFQ	2	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50			n通道				250 v	8.8A（TC）	10V	430MOHM @ 4.4A，10V	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±30V	710 PF @ 25 V	-	3.13W（TA），74W（tc）
FDV305N	-	RFQ	6963	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道				20 v	900mA（ta）	2.5V，4.5V	220MOHM @ 900mA，4.5V	1.5V @ 250µA	1.5 NC @ 4.5 V	±12V	109 pf @ 10 V	-	350MW（TA）
SBAS16DXV6T1G	0.0900	RFQ	107	Fairchild半导体	*	大部分	积极的											下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-SBAS16DXV6T1G-600039	Ear99	8541.10.0070	3,410
FCH041N65EF	8.3400	RFQ	110	Fairchild半导体	*	大部分	积极的						FCH041		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1															-
FFA20U20DNTU	0.8500	RFQ	3	Fairchild半导体	-	管子	过时的				通过洞	TO-3P-3，SC-65-3			标准		to-3p	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	30		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																1对普通阴极	200 v	20a	1.2 V @ 20 A	40 ns	20 µA @ 200 V	-65°C〜150°C
FDS8962C	1.0000	RFQ	8273	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS89		MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	2,500	n和p通道						30V	7a，5a		30mohm @ 7a，10v	3V @ 250µA	26NC @ 10V		575pf @ 15V	逻辑级别门
TN6714A	0.2400	RFQ	22	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				1 w	TO-226-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	1,500																											30 V	2 a		100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 100mA，1a	50 @ 1a，1V	-
1N5996B	2.0000	RFQ	19	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％		-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	163																					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 5.2 V								6.8 v	8欧姆
HUF75343S3S	1.1200	RFQ	4055	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	200			n通道				55 v	75A（TC）	10V	9mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	205 NC @ 20 V	±20V	3000 pf @ 25 V	-	270W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²