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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
FDMC7692S-F126	-	RFQ	9784	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-mlp（3.3x3.3）	-				2156-FDMC7692S-F126			1		n通道	30 V	12.5A（ta），18a tc）	4.5V，10V	9.3MOHM @ 12.5A，10V	3V @ 1mA	23 NC @ 10 V	±20V	1385 pf @ 15 V	-	2.3W（27W），27W（TC）
tip41ctu	-	RFQ	4398	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			2 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																						100 v	6 a	700µA			NPN	1.5V @ 600mA，6a	30 @ 300mA，4V	3MHz
MM3Z20VB	-	RFQ	2679	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F			200兆	SOD-323F	下载					Ear99	8541.10.0050	1																1 V @ 10 mA		45 na @ 14 V							20 v	51欧姆
FQU4N50TU	0.7000	RFQ	27	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	5,040		n通道	500 v	2.6A（TC）	10V	2.7OHM @ 1.3A，10V	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	460 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），45W（（（（（（（（（（
FQI17N08TU	0.5100	RFQ	1	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	80 V	16.5A（TC）	10V	115MOHM @ 8.25a，10V	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±25V	450 pf @ 25 V	-	3.13W（ta），65W（tc）
BZX55C33	0.0600	RFQ	20	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±6％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	1,000																1.3 V @ 100 mA		100 na @ 24 V							33 V	80欧姆
irfi630btu	0.2300	RFQ	3	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	200 v	9A（TC）	10V	400MOHM @ 4.5A，10V	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±30V	720 PF @ 25 V	-	3.13W（ta），72W（tc）
ISL9K3060G3	1.6300	RFQ	17	Fairchild半导体	Stealth™	大部分	积极的			通过洞	TO-247-3		雪崩		TO-247	下载					Ear99	8541.10.0070	184	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	600 v	30a	2.4 V @ 30 A	45 ns	100 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C
BZX55C5V6	0.0400	RFQ	149	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±7％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	1,000																1.3 V @ 100 mA		100 na @ 1 V							5.6 v	25欧姆
MM5Z3V9	0.0900	RFQ	4	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523F			200兆	SOD-523F	-		供应商不确定	供应商不确定	2156-MM5Z3V9-600039			1																		3 µA @ 1 V							3.9 v	90欧姆
BC80816MTF	0.0600	RFQ	14	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			310 MW	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	3,000																						25 v	800 MA	100NA			PNP	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
FQA10N60C	1.9700	RFQ	44	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	30		n通道	600 v	10A（TC）	10V	730MOHM @ 5A，10V	4V @ 250µA	57 NC @ 10 V	±30V	2040 pf @ 25 V	-	192W（TC）
GF1B	-	RFQ	3807	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	do-214ac，SMA		标准		DO-214AC（SMA）	下载					Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													100 v		1 V @ 1 A	2 µs	5 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
BZX84C30	-	RFQ	5468	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZX84C30		300兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																900 mv @ 10 ma		100 na @ 21 V							30 V	80欧姆
NDS351N	-	RFQ	6227	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	NDS351	MOSFET （金属 o化物）		Supersot-3	下载					Ear99	8541.21.0095	1		n通道	30 V	1.1A（TA）	4.5V，10V	160MOHM @ 1.4A，10V	2V @ 250µA	3.5 NC @ 5 V	±20V	140 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
FQP6N60C	0.8500	RFQ	20	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载					Ear99	8542.39.0001	353		n通道	600 v	5.5A（TC）	10V	2ohm @ 2.75a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±30V	810 pf @ 25 V	-	125W（TC）
MPSW56	0.1200	RFQ	11	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			1 w	TO-226-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0075	1,500																						80 V	1 a	500NA			PNP	500mv @ 10mA，250mA	50 @ 250mA，1V	50MHz
FDP3205	1.1800	RFQ	2	Fairchild半导体	PowerTrench®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50		n通道	55 v	100A（TC）	10V	7.5MOHM @ 59A，10V	5.5V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	7730 PF @ 25 V	-	150W（TC）
FJNS4202RTA	0.0200	RFQ	477	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			通过洞	TO-226-3，TO-92-3	FJNS42		300兆	TO-92S	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	3,000																						50 V	100 ma	100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	200 MHz	10 kohms	10 kohms
2SA1943RTU	2.7700	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA			150 w	HPM F2	下载					Ear99	8541.29.0075	109																						250 v	17 a	5µA（ICBO）			PNP	3V @ 800mA，8a	55 @ 1A，5V	30MHz
1N916	1.0000	RFQ	2109	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		DO-35（do-204AH）	下载					Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度													100 v		1 V @ 10 mA	4 ns	5 µA @ 75 V	-65°C〜175°C	200mA	2pf @ 0v，1MHz
FDS7082N3	0.5300	RFQ	13	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	17.5A（TA）	4.5V，10V	6mohm @ 17.5a，10v	3V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±20V	2271 PF @ 15 V	-	（3W）（TA）
HUF761393	0.9500	RFQ	12	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	30 V	75A（TC）	4.5V，10V	7.5MOHM @ 75A，10V	3V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±20V	2700 PF @ 25 V	-	165W（TC）
TIP120TU-F129	-	RFQ	9032	Fairchild半导体	*	大部分	积极的									-					Ear99	8541.29.0095	1
FJN3304RTA	0.0200	RFQ	4788	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	FJN330		300兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,000																						50 V	100 ma	100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	250 MHz	47科姆斯	47科姆斯
MMBT3906	-	RFQ	9960	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBT		250兆	SOT-23-3（TO-236）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000																						40 V	200 ma	50NA			PNP	400mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	250MHz
BD13616STU	0.2500	RFQ	5	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3			1.25 w	TO-126-3	下载					Ear99	8541.29.0095	1,222																						45 v	1.5 a	100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	-
FDMS8692	0.5000	RFQ	65	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	12a（12a），28a （TC）	4.5V，10V	9mohm @ 12a，10v	3V @ 250µA	21 NC @ 10 V	±20V	1265 pf @ 15 V	-	2.5W（TA），41W（TC）
SSU2N60BTU	0.3200	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	600 v	1.8A（TC）	10V	5ohm @ 900mA，10v	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±30V	490 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），44W（tc）
MM3Z3V3B	1.0000	RFQ	5106	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F	MM3Z3V3		200兆	SOD-323F	下载					Ear99	8541.10.0050	1																1 V @ 10 mA		4.5 µA @ 1 V							3.3 v	89欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²