RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻-RDS（（在）	电阻 @ if，f	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	（QG））（最大） @ vgs	（ciss））（最大） @ vds
FQP8N60C	1.2200	RFQ	4	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载					Ear99	8542.39.0001	247		n通道			7.5A（TC）	10V	1.2OHM @ 3.75A，10V	4V @ 250µA	36	±30V	1255	-	147W（TC）																																10	25
FDP13AN06A0_NL	-	RFQ	4876	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		60 V	10.9a（ta），62a（tc）	6V，10V	13.5Mohm @ 62a，10v	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	1350 pf @ 25 V	-	115W（TC）
FQPF3N90	1.2300	RFQ	53	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50		n通道		900 v	2.1A（TC）	10V	4.25OHM @ 1.05a，10V	5V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±30V	910 PF @ 25 V	-	43W（TC）
1n914tr	0.0300	RFQ	30	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			标准		do-35	下载					Ear99	8541.10.0070	11,539	小信号= <200ma（io（io），任何速度														100 v		1 V @ 10 mA	4 ns	5 µA @ 75 V	-65°C〜175°C	200mA	4pf @ 0v，1MHz
HUF75345S3S	1.0000	RFQ	1906年	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	400		n通道		55 v	75A（TC）	10V	7mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	275 NC @ 20 V	±20V	4000 pf @ 25 V	-	325W（TC）
J112-D27Z	-	RFQ	1960年	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				625兆	TO-92-3	下载						0000.00.0000	1		n通道									-																						35 v	5 ma @ 15 V	1 V @ 1 µA				50欧姆
BZX55C11	0.0500	RFQ	9821	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	1,000																	1.3 V @ 100 mA		100 na @ 8.5 V																		11 V	20欧姆
J176_D74Z	0.0700	RFQ	2241	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				350兆	TO-92-3	下载					Ear99	8541.21.0095	333		P通道									-																						30 V	2 ma @ 15 V	1 V @ 10 na				250欧姆
1N746ATR	0.0200	RFQ	48	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆	DO-35（do-204AH）	下载	不适用				Ear99	8541.10.0050	5,000																	1.5 V @ 200 ma		10 µA @ 1 V																		3.3 v	28欧姆
FGB30N6S2T	1.0000	RFQ	1724年	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		167 w	D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	800			390V，12a，10ohm，15V																				-	600 v	45 a	108 a	2.5V @ 15V，12A	（55µJ）（在），110µJ（110µJ）中	23 NC	6NS/40NS
1N5996B	2.0000	RFQ	19	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	163																	1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 5.2 V																		6.8 v	8欧姆
MMBD701	0.0600	RFQ	18	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜125°C		TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000													280兆									1pf @ 20V，1MHz									肖特基 -单身	70V								-
FDMC0202S	0.2300	RFQ	16	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（3.3x3.3）	下载					Ear99	8542.29.0095	1		n通道		25 v	22.5a（TA），40a tc）	4.5V，10V	3.15MOHM @ 22.5A，10V	3V @ 1mA	44 NC @ 10 V	±20V	2705 pf @ 13 V	-	2.3W（TA），52W（TC）
BAV19	0.0200	RFQ	43	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			标准		DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0070	2,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度														120 v		1.25 V @ 200 ma	50 ns	100 na @ 100 V	175°c （最大）	200mA	5pf @ 0v，1MHz
1N5255B	-	RFQ	2887	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±0.5％	-	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5255			500兆	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																	900 mv @ 200 ma		100 na @ 21 V																		28 V	44欧姆
RF1K4915796	0.8200	RFQ	25	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	6.3a（ta）	4.5V，10V	30mohm @ 6.3a，10v	3V @ 250µA	88 NC @ 20 V	±20V	1575 PF @ 25 V	-	2W（TA）
FQPF12N60C	-	RFQ	4076	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-FQPF12N60C-600039			1		n通道		600 v	12A（TC）	10V	650MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±30V	2290 pf @ 25 V	-	51W（TC）
FQD2P40TF	0.4400	RFQ	9757	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	195		P通道		400 v	1.56A（TC）	10V	6.5OHM @ 780mA，10V	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	350 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），38W（tc）
FDD5N50TM	0.3000	RFQ	2	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道		500 v	4A（TC）	10V	1.4OHM @ 2A，10V	5V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±30V	640 pf @ 25 V	-	40W（TC）
HUFA75332S3ST	0.4700	RFQ	44	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	800		n通道		55 v	60a（TC）	10V	19mohm @ 60a，10v	4V @ 250µA	85 NC @ 20 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	145W（TC）
FQAF16N50	2.7900	RFQ	8	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3			MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载					Ear99	8542.39.0001	108		n通道		500 v	11.3A（TC）	10V	320MOHM @ 5.65a，10V	5V @ 250µA	75 NC @ 10 V	±30V	3000 pf @ 25 V	-	110W（TC）
SS28	-	RFQ	9924	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	DO-214AA，SMB			肖特基		DO-214AA（SMB）	下载					Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														80 V		850 mv @ 2 a		400 µA @ 80 V	-65°C〜125°C	2a	-
FDMS5361L-F085	0.5000	RFQ	2	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn			MOSFET （金属 o化物）		Power56	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-FDMS5361L-F085-600039			1		n通道		60 V	35A（TC）	4.5V，10V	15mohm @ 16.5a，10v	3V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	1980 pf @ 25 V	-	75W（TC）
BZX79C12	0.0300	RFQ	87	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆	DO-35（do-204AH）	下载					Ear99	8541.10.0050	11,539																	1.5 V @ 100 ma		100 na @ 8 V																		12 v	25欧姆
MBR4035PT	1.4100	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	TO-3P-3，SC-65-3			肖特基		to-3p	下载					Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1对普通阴极	35 v	40a	700 mv @ 20 a		1 mA @ 35 V	-65°C〜150°C
KSD1408OTU	1.0000	RFQ	9824	Fairchild半导体	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				25 w	TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50																								80 V	4 a											30µA（ICBO）					NPN	1.5V @ 300mA，3a	70 @ 500mA，5V	8MHz
FDP8443	1.2300	RFQ	12	Fairchild半导体	PowerTrench®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	400		n通道		40 V	20A（20A），80a tc（TC）	10V	3.5mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	185 NC @ 10 V	±20V	9310 PF @ 25 V	-	188W（TC）
FEP16BTA	0.6100	RFQ	6792	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3			标准		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	346	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1对公共阳极	100 v	16a	950 MV @ 8 A	35 ns	10 µA @ 100 V	-55°C〜150°C
FDV302P	-	RFQ	8849	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	FDV30		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载						0000.00.0000	1		P通道		25 v	120mA（ta）	2.7V，4.5V	10ohm @ 200ma，4.5V	1.5V @ 250µA	0.31 NC @ 4.5 V	-8V	11000 PF @ 10 V	-	350MW（TA）
FQU4N50TU	0.7000	RFQ	27	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	5,040		n通道		500 v	2.6A（TC）	10V	2.7OHM @ 1.3A，10V	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	460 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），45W（（（（（（（（（（

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²