RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
FQAF15N70	2.7500	RFQ	295	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3				MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	360			n通道					700 v	9.5A（TC）	10V	560MOHM @ 4.8A，10V	5V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±30V	3600 PF @ 25 V	-	120W（TC）
HUFA76429P3	-	RFQ	2376	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	437			n通道					60 V	47A（TC）	4.5V，10V	22mohm @ 47a，10v	3V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±16V	1480 pf @ 25 V	-	110W（TC）
NDS9435A	-	RFQ	7896	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道					30 V	5.3a（ta）	4.5V，10V	50mohm @ 5.3a，10v	3V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±25V	528 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
HUF75344A3	1.3700	RFQ	616	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3				MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	30			n通道					55 v	75A（TC）	10V	8mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	208 NC @ 20 V	±20V	4855 pf @ 25 V	-	288.5W（TC）
FDS7764A	0.9900	RFQ	75	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道					30 V	15A（TA）		7.5MOHM @ 15a，4.5V	2V @ 250µA	40 NC @ 4.5 V		3451 PF @ 15 V	-	-
FSB50450T	4.3800	RFQ	29	Fairchild半导体	SPM®	管子	过时的			通过洞	23-PowerDip 模块（ 0.748“，19.00mm）	MOSFET						下载	rohs3符合条件	Ear99	8542.39.0001	15	3期				1.5 a	500 v	1500vrms
FFB05U120STM	0.3000	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				标准		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.10.0080	800		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	1200 v		3.5 V @ 5 A	100 ns	5 µA @ 1200 V	-65°C〜150°C	5a	-
FDS6572A	1.7300	RFQ	373	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道					20 v	16A（TA）	2.5V，4.5V	6mohm @ 16a，4.5V	1.5V @ 250µA	80 NC @ 4.5 V	±12V	5914 pf @ 10 V	-	2.5W（TA）
FQAF40N25	2.9800	RFQ	2	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3				MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	360			n通道					250 v	24A（TC）	10V	70mohm @ 12a，10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±30V	4000 pf @ 25 V	-	108W（TC）
SGP13N60UFTU	0.2300	RFQ	2	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		SGP13N60	标准		60 W	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	1,000				300V，6.5a，50ohm，15V																							-	600 v	13 a	52 a	2.6V @ 15V，6.5a	（85µJ）（在），95µJ（95µJ）中	25 NC	20N/70NS
1N976B	1.8400	RFQ	33	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向					500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.10.0050	163																							5 µA @ 32.7 V															43 V	93欧姆
FQD16N15TM	0.5300	RFQ	1	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道					150 v	11.8A（TC）	10V	160MOHM @ 5.9A，10V	4V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±25V	910 PF @ 25 V	-	2.5W（TA），55W（tc）
FQA6N80	1.0900	RFQ	1	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3				MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	30			n通道					800 v	6.3a（TC）	10V	1.95OHM @ 3.15A，10V	5V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±30V	1500 pf @ 25 V	-	185W（TC）
FDD6780	0.2500	RFQ	12	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道					25 v	16.5A（TA），30a （TC）	4.5V，10V	8.5MOHM @ 16.5A，10V	3V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	1590 pf @ 13 V	-	3.7W（TA），32.6W（TC）
SFP9634	0.4100	RFQ	11	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	1,000			P通道					250 v	5A（TC）	10V	1.3OHM @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±30V	975 PF @ 25 V	-	70W（TC）
HUFA75645P3	1.1800	RFQ	5354	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	2			n通道					100 v	75A（TC）	10V	14mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	238 NC @ 20 V	±20V	3790 pf @ 25 V	-	310W（TC）
kse13003th2atu	0.4600	RFQ	900	Fairchild半导体	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3					20 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	50																												400 v	1.5 a								-			NPN	3V @ 500mA，1.5a	14 @ 500mA，2V	4MHz
FQU3N40TU	0.5300	RFQ	2	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA				MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	70			n通道					400 v	2A（TC）	10V	3.4OHM @ 1A，10V	5V @ 250µA	7.5 NC @ 10 V	±30V	230 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），30W（tc）
FQAF9P25	1.1300	RFQ	590	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3				MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	360			P通道					250 v	7.1A（TC）	10V	620MOHM @ 3.55A，10V	5V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±30V	1180 pf @ 25 V	-	70W（TC）
FQP2P25	-	RFQ	3576	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	750			P通道					250 v	2.3a（TC）	10V	4ohm @ 1.15a，10v	5V @ 250µA	8.5 NC @ 10 V	±30V	250 pf @ 25 V	-	52W（TC）
1N753ATR	0.0400	RFQ	79	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向					500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.10.0050	5,000																					1.5 V @ 200 ma		100 na @ 1 V															6.2 v	7欧姆
kbu4b	1.0000	RFQ	4810	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbu				标准		KBU	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.10.0080	200																					1 V @ 4 A		5 µA @ 50 V		4 a										单相	100 v
1n961b	3.0600	RFQ	62	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向					500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.10.0050	99																							10 µA @ 7.6 V															10 v	8.5欧姆
MBRA3045NTU	-	RFQ	4216	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-3P-3，SC-65-3				肖特基		to-3p	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.10.0080	760		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																1对普通阴极	45 v	30a	800 mv @ 30 a		1 mA @ 45 V	-65°C〜150°C
FJPF1943RTU	0.7200	RFQ	621	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包					50 W	TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0075	50																												230 v	15 a								5µA（ICBO）			PNP	3V @ 800mA，8a	55 @ 1A，5V	30MHz
FDS4935	1.0000	RFQ	6688	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		FDS49		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.21.0095	2,500	2（p 通道（双）							30V	7a		23mohm @ 7a，10v	3V @ 250µA	21nc @ 5V		1233pf @ 15V	逻辑级别门
HUF76639S3S	-	RFQ	3617	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	188			n通道					100 v	51A（TC）	4.5V，10V	26mohm @ 51a，10v	3V @ 250µA	86 NC @ 10 V	±16V	2400 PF @ 25 V	-	180W（TC）
TIP41BTU	0.4100	RFQ	1	Fairchild半导体	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3					2 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	1,000																												80 V	6 a								700µA			NPN	1.5V @ 600mA，6a	15 @ 3a，4V	3MHz
FQP44N08	0.6100	RFQ	1	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道					80 V	44A（TC）	10V	34mohm @ 22a，10v	4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±25V	1430 pf @ 25 V	-	127W（TC）
FQP16N15	0.6400	RFQ	4	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道					150 v	16.4a（TC）	10V	160MOHM @ 8.2a，10V	4V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±25V	910 PF @ 25 V	-	108W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²