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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电流 -io（io）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
FCH041N65F-F085	9.5400	RFQ	163	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101，SuperFet®II	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载					Ear99	8541.29.0095	35		n通道					650 v	76A（TC）	10V	41mohm @ 38a，10v	5V @ 250µA	304 NC @ 10 V	±20V	13566 pf @ 25 V	-	595W（TC）
FQB9N25CTM	0.6100	RFQ	3	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	800		n通道					250 v	8.8A（TC）	10V	430MOHM @ 4.4A，10V	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±30V	710 PF @ 25 V	-	3.13W（TA），74W（tc）
1N755ATR	0.0200	RFQ	65	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向					500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	5,000																	1.5 V @ 200 ma		100 na @ 1 V													7.5 v	6欧姆
FQU3N50CTU	-	RFQ	8814	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA				MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道					500 v	2.5A（TC）	10V	2.5OHM @ 1.25A，10V	4V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	365 pf @ 25 V	-	35W（TC）
FDS6685	1.3900	RFQ	19	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道					30 V	8.8a（ta）	4.5V，10V	20mohm @ 8.8a，10v	3V @ 250µA	24 NC @ 5 V	±25V	1604 PF @ 15 V	-	2.5W（TA）
FQPF4N90CT	1.0000	RFQ	3092	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道					900 v	4A（TC）	10V	4.2OHM @ 2A，10V	5V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±30V	960 pf @ 25 V	-	47W（TC）
KSC1623YMTF	0.0200	RFQ	939	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		KSC1623			200兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000																						50 V	100 ma								100NA（ICBO）			NPN	300mv @ 10mA，100mA	135 @ 1mA，6v	250MHz
FDMS5361L	0.4600	RFQ	5	Fairchild半导体	*	大部分	积极的						FDMS5361		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	3,000															-
FQI7N10LTU	0.3200	RFQ	4	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA				MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50		n通道					100 v	7.3A（TC）	5V，10V	350MOHM @ 3.65a，10V	2V @ 250µA	6 NC @ 5 V	±20V	290 pf @ 25 V	-	3.75W（ta），40W（TC）
FQU12N20TU	-	RFQ	5171	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA				MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道					200 v	9A（TC）	10V	280MOHM @ 4.5A，10V	5V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±30V	910 PF @ 25 V	-	2.5W（TA），55W（tc）
FDC655N	0.1900	RFQ	78	Fairchild半导体	*	大部分	积极的						FDC655		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	3,000															-
SFM9110TF	0.4800	RFQ	4	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA				MOSFET （金属 o化物）		SOT-223-4	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	4,000		P通道					100 v	1A（1A）	10V	1.2OHM @ 500mA，10V	4V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±30V	335 pf @ 25 V	-	2.52W（TA）
HGTG11N120CND	-	RFQ	3823	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			标准		298 w	TO-247	下载					Ear99	8542.39.0001	1			960V，11A，10欧姆，15V															70 ns			npt	1200 v	43 a	80 a	2.4V @ 15V，11a	（950µJ）（在），1.3MJ（（）	100 NC	23ns/180ns
FDMS7698	-	RFQ	7709	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		FDMS76		MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道					30 V	13.5A（TA），22a （TC）	4.5V，10V	10mohm @ 13.5a，10v	3V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±20V	1605 PF @ 15 V	-	2.5W（TA），29W（tc）
HGTG40N60B3-FS	-	RFQ	5349	Fairchild半导体	*	大部分	积极的											-	rohs3符合条件	3（168））	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1
DFB2080	1.3600	RFQ	11	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，TS-6P				标准		TS-6P	下载					Ear99	8541.10.0080	222																	1.1 V @ 20 A		10 µA @ 800 V	20 a									单相	800 v
FGB40N6S2T	3.4400	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			标准		290 w	D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	800			390V，20a，3ohm，15v																		-	600 v	75 a	180 a	2.7V @ 15V，20A	（115µJ）（在195µJ of）上（OFF）	35 NC	8NS/35NS
FGA40T65UQDF	1.9000	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3			标准		231 w	to-3pn	下载					Ear99	8542.39.0001	1			400V，40a，6ohm，15V															89 ns			npt	650 v	80 a	120 a	1.67V @ 15V，40a	（989µJ）（在310µJ上）	306 NC	32NS/271NS
KSH31CTM	0.2000	RFQ	7502	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63					1.56 w	TO-252-3（DPAK）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	450																						100 v	3 a								50µA			NPN	1.2V @ 375mA，3a	10 @ 3A，4V	3MHz
FQI19N20TU	0.6700	RFQ	11	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA				MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					200 v	19.4a（TC）	10V	150MOHM @ 9.7A，10V	5V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±30V	1600 pf @ 25 V	-	3.13W（TA），140W（tc）
1N4746A_NL	0.0400	RFQ	5615	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向					1 w	do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000																			5 µA @ 13.7 V													18 V	20欧姆
BC638TA	0.0500	RFQ	12	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）					1 w	TO-92-3	下载					Ear99	8541.29.0075	5,912																						60 V	1 a								100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，2V	100MHz
BZX85C5V1TR5K	0.0600	RFQ	50	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向					1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	不适用				Ear99	8541.10.0050	5,000																	1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 2 V													5.1 v	10欧姆
GBPC2506W	-	RFQ	6685	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，GBPC-W				标准		GBPC-W	下载						0000.00.0000	1																	1.1 V @ 12.5 A		5 µA @ 600 V	25 a									单相	600 v
BC33716TA	0.0400	RFQ	532	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）					625兆	TO-92-3	下载					Ear99	8541.21.0075	8,103																						45 v	800 MA								100NA			NPN	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
FSB50250AB	5.2300	RFQ	180	Fairchild半导体	SPM®	大部分	积极的			通过洞	23-PowerDip 模块（0.644英寸，16.35毫米）	MOSFET						下载					Ear99	8542.39.0001	1	3期			1.2 a	500 v	1500vrms
NDS355AN-NB9L007A	-	RFQ	3585	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156S35555AN-NB9L007A-600039			1		n通道					30 V	1.7A（TA）	4.5V，10V	85MOHM @ 1.9A，10V	2V @ 250µA	5 nc @ 5 V	±20V	195 pf @ 15 V	-	500MW（TA）
FSBF15CH60CT	21.6800	RFQ	56	Fairchild半导体	Motion-SPM®	管子	过时的			通过洞	27-PowerDip 模块（1.205英寸，30.60mm）	-						下载	不适用				Ear99	8542.39.0001	10	-					-
FPAB30PH60	14.6200	RFQ	275	Fairchild半导体	SPM®	管子	过时的			通过洞	27-PowerDip 模块（1.205英寸，30.60mm）	IGBT						下载	rohs3符合条件				Ear99	8542.39.0001	10	2期			20 a	600 v	2500vrms
MPSH17-D26Z	0.0700	RFQ	10	Fairchild半导体	*	大部分	积极的											-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	2,000

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²