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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
FJP2145TU	1.0000	RFQ	4498	Fairchild半导体	ESBC™	大部分	积极的		-55°C〜125°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		FJP214			120 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1																										800 v	5 a									10µA（ICBO）				NPN	2V @ 300mA，1.5a	20 @ 200ma，5V	15MHz
MMBZ5246BNL	0.7700	RFQ	594	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					250兆	SOT-23-3	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																			900 mv @ 10 ma		100 na @ 12 V																16 V	17欧姆
FDS9431	-	RFQ	7646	Fairchild半导体	*	大部分	积极的						FDS99		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				1																-
BC550	0.0400	RFQ	17	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,000																										45 v	100 ma									15NA（icbo）				NPN	600mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	300MHz
KSC5030FRTU	0.9000	RFQ	7247	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-	通过洞	TO-3P-3					60 W	to-3pf	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	300																										800 v	6 a									10µA（ICBO）				NPN	2V @ 600mA，3a	10 @ 600mA，5V	-
BZX55C5V1	0.0400	RFQ	140	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±6％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向					500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	1,000																			1.3 V @ 100 mA		100 na @ 1 V																5.1 v	35欧姆
NDS9936	0.5400	RFQ	40	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		NDS993		MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	2,500	2 n 通道（双）							30V	5a		50mohm @ 5a，10v	3V @ 250µA	35nc @ 10V		525pf @ 15V	逻辑级别门
FCPF190N60-F152	-	RFQ	5550	Fairchild半导体	SuperFet®II	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-FCPF190N60-F152	Ear99	8541.29.0095	1			n通道					600 v	20.2A（TC）	10V	199mohm @ 10a，10v	3.5V @ 250µA	74 NC @ 10 V	±20V	2950 pf @ 25 V	-	39W（TC）
FDFMJ2P023Z	0.3300	RFQ	29	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WFDFN暴露垫				MOSFET （金属 o化物）		SC-75，Microfet	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道					20 v	2.9a（ta）	1.5V，4.5V	112MOHM @ 2.9a，4.5V	1V @ 250µA	6.5 NC @ 4.5 V	±8V	400 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	1.4W（TA）
FDP15N65	1.4400	RFQ	9042	Fairchild半导体	Unifet™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	163			n通道					650 v	15A（TC）	10V	440MOHM @ 7.5A，10V	5V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±30V	3095 pf @ 25 V	-	250W（TC）
FDT461N	0.5000	RFQ	47	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA				MOSFET （金属 o化物）		SOT-223-4	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道					100 v	540ma（ta）	4.5V，10V	2ohm @ 540mA，10v	2V @ 250µA	4 NC @ 10 V	±20V	74 pf @ 25 V	-	1.13W（TA）
BD680ASTU	0.3000	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3					14 W	TO-126-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1																										80 V	4 a									500µA				pnp-达灵顿	2.8V @ 40mA，2a	750 @ 2a，3v	-
HUF764233	-	RFQ	1419	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道					60 V	35A（TC）	4.5V，10V	30mohm @ 35a，10v	3V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±16V	1060 pf @ 25 V	-	85W（TC）
FSB50450UD	6.0600	RFQ	489	Fairchild半导体	MOTIONSPM®5	大部分	积极的			通过洞	23-PowerDip 模块（ 0.551英寸，14.00mm）	MOSFET	FSB50450					下载	rohs3符合条件	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	1	3期				1.5 a	500 v	1500vrms
FDS5680	1.0000	RFQ	7325	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		FDS56		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道					60 V	8a（8a）	6V，10V	20mohm @ 8a，10v	4V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±20V	1850 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
2SD1111-AA	0.1200	RFQ	111	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					600兆	3-np	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1																										50 V	700 MA									100NA（ICBO）				npn-达灵顿	1.2V @ 100µA，100mA	5000 @ 50mA，2V	200MHz
SB3100	0.2600	RFQ	26	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	do-201aa，do-27，轴向		SB31		肖特基		DO-201-201	下载					Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																100 v	780 mv @ 3 a		600 µA @ 100 V	-50°C〜150°C	3a	-
MMBFJ175	-	RFQ	5205	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MMBFJ1			225兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			P通道												-																		30 V	7 ma @ 15 V	3 V @ 10 na				125欧姆
HUF76419D3ST	0.2500	RFQ	4	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道					60 V	20A（TC）	4.5V，10V	37mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	27.5 NC @ 10 V	±16V	900 pf @ 25 V	-	75W（TC）
BZX79C3V6	0.0300	RFQ	153	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向					500兆	DO-35（do-204AH）	下载					Ear99	8541.10.0050	8,849																			1.5 V @ 100 ma		15 µA @ 1 V																3.6 v	90欧姆
FDPF51N25YDTU	1.9700	RFQ	566	Fairchild半导体	Unifet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，形成的线索				MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3（Y Y形成）	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道					250 v	51A（TC）	10V	60mohm @ 25.5a，10v	5V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±30V	3410 PF @ 25 V	-	38W（TC）
FDP8860	1.2600	RFQ	20	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载					Ear99	8541.29.0095	238			n通道					30 V	80A（TC）	4.5V，10V	2.5MOHM @ 80A，10V	2.5V @ 250µA	222 NC @ 10 V	±20V	12240 pf @ 15 V	-	254W（TC）
Fes16dtr	1.0000	RFQ	3870	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-2				标准		TO-220-2	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																200 v	950 MV @ 8 A	35 ns	10 µA @ 200 V	-65°C〜150°C	16a	170pf @ 4V，1MHz
FQP2N60	0.9000	RFQ	84	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道					600 v	2.4A（TC）	10V	4.7ohm @ 1.2A，10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±30V	350 pf @ 25 V	-	64W（TC）
KST5087MTF	-	RFQ	9487	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					350兆	SOT-23-3	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-KST5087MTF-600039			1																										50 V	50 mA									50NA（iCBO）				PNP	300mv @ 1mA，10mA	250 @ 10mA，5V	40MHz
FQP20N06	-	RFQ	8934	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	-						0000.00.0000	1			n通道					60 V	20A（TC）	10V	60mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±25V	590 pf @ 25 V	-	53W（TC）
FGA90N3333333TU	-	RFQ	3895	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		FGA90	标准		223 w	to-3p	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1				-																23 ns					沟	330 v	90 a	330 a	1.4V @ 15V，20A	-	95 NC	-
FDU8896_NL	1.0000	RFQ	1286	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA				MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道					30 V	17a（17a），94A（tc）	4.5V，10V	5.7MOHM @ 35A，10V	2.5V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	2525 PF @ 15 V	-	80W（TC）
FQD630TM	0.6100	RFQ	9	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道					200 v	7A（TC）	10V	400MOHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±25V	550 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），46W（TC）
HUF75645S3ST_NL	4.1700	RFQ	342	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D²Pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道					100 v	75A（TC）	10V	14mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	238 NC @ 20 V	±20V	3790 pf @ 25 V		310W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²