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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）
ISL9N308AS3ST	0.8100	RFQ	2	Fairchild半导体	Ultrafet®	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道		30 V	75A（TC）	4.5V，10V	8ohm @ 75a，10v	3V @ 250µA	68 NC @ 10 V	±20V	2600 PF @ 15 V	-	100W（TC）
FGB20N6S2	0.6000	RFQ	8	Fairchild半导体	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB		标准		125 w	D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50				390V，7a，25ohm，15V																				-	600 v	28 a	40 a	2.7V @ 15V，7a	25µJ（在）（58µJ）（OFF）上）	30 NC	7.7NS/87NS
FDD6672A	0.9900	RFQ	69	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		30 V	65A（TA）	4.5V，10V	8mohm @ 14a，10v	2V @ 250µA	46 NC @ 4.5 V	±12V	5070 pf @ 15 V	-	3.2W（ta），70W（70W）TC）
FDFM2N111	1.0000	RFQ	2243	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫			MOSFET （金属 o化物）		Microfet 3x3mm	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道		20 v	4A（ta）	2.5V，4.5V	100mohm @ 4A，4.5V	1.5V @ 250µA	3.8 NC @ 4.5 V	±12V	273 PF @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	1.7W（TA）
FD6M045N06	6.1600	RFQ	1	Fairchild半导体	Power-SPM™	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	EPM15	FD6M045		MOSFET （金属 o化物）	-	EPM15	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	19	2 n 通道（双）				60V	60a		4.5mohm @ 40a，10v	4V @ 250µA	87NC @ 10V		3890pf @ 25V	-
NSBA144EDXV6T1G	0.0900	RFQ	36	Fairchild半导体	*	大部分	积极的				NSBA144					下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-NSBA144EDXV6T1G-600039	Ear99	8541.21.0095	3,761
SFS9Z24	0.3900	RFQ	3	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1			P通道		60 V	7.5A（TC）	10V	280MOHM @ 3.8A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±30V	600 pf @ 25 V	-	29W（TC）
FQB7N60TM-WS	0.9800	RFQ	800	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	-		供应商不确定	供应商不确定	2156-FQB7N60TM-WS-600039			1			n通道		600 v	7.4A（TC）	10V	1欧姆 @ 3.7A，10V	5V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±30V	1430 pf @ 25 V	-	3.13W（ta），142W（tc）
FDD6688S	1.3900	RFQ	6	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		30 V	88A（ta）	4.5V，10V	5.1MOHM @ 18.5A，10V	3V @ 1mA	81 NC @ 10 V	±20V	3290 pf @ 15 V	-	69w（ta）
FDU8780	0.2900	RFQ	81	Fairchild半导体	PowerTrench®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	75			n通道		25 v	35A（TC）	4.5V，10V	8.5MOHM @ 35A，10V	2.5V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	1440 pf @ 13 V	-	50W（TC）
MBRS140	-	RFQ	5077	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		表面安装	DO-214AA，SMB	MBRS140		肖特基		SMB（do-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														40 V		600 mV @ 1 A		1 mA @ 40 V	-65°C〜125°C	1a	-
FQPF5N80	0.7700	RFQ	610	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道		800 v	2.8A（TC）	10V	2.6ohm @ 1.4a，10v	5V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±30V	1250 pf @ 25 V	-	47W（TC）
HRF3205_NL	1.0900	RFQ	392	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道		55 v	100A（TC）	10V	8mohm @ 59a，10v	4V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±20V	4000 pf @ 25 V	-	175W（TC）
FDP7045L	3.0400	RFQ	167	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			n通道		30 V	100A（TJ）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 50a，10v	3V @ 250µA	58 NC @ 5 V	±20V	4357 PF @ 15 V	-	107W（TA）
HUFA75329D3	0.7200	RFQ	3	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	75			n通道		55 v	20A（TC）	10V	26mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	65 NC @ 20 V	±20V	1060 pf @ 25 V	-	128W（TC）
HUF753393	-	RFQ	6949	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-HUF7539P3-600039			1			n通道		55 v	75A（TC）	10V	12mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	130 nc @ 20 V	±20V	2000 pf @ 25 V	-	200W（TC）
DFB20100F162	1.5700	RFQ	358	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，TS-6P			标准		TS-6P	下载					Ear99	8541.10.0080	207																		1.1 V @ 20 A		10 µA @ 1 V		20 a										单相	1 kV
FQA65N20	-	RFQ	2980	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3			MOSFET （金属 o化物）		to-3pn	下载						0000.00.0000	1			n通道		200 v	65A（TC）	10V	32MOHM @ 32.5a，10V	5V @ 250µA	200 NC @ 10 V	±30V	7900 PF @ 25 V	-	310W（TC）
Smun5215T1G	1.0000	RFQ	8891	Fairchild半导体	*	大部分	积极的									下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-SMUN5215T1G-600039	Ear99	8541.21.0095	1
FDS4953	-	RFQ	6317	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS49		MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-SOIC	-	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	2,500	2（p 通道（双）				30V	5a		55mohm @ 5a，10v	3V @ 250µA	9NC @ 5V		528pf @ 15V	逻辑级别门
FDS7766S	2.3900	RFQ	5	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		30 V	17A（TA）	4.5V，10V	5.5MOHM @ 17A，10V	3V @ 1mA	58 NC @ 5 V	±16V	4785 pf @ 15 V	-	1W（ta）
kbu6a	1.1100	RFQ	287	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbu			标准		KBU	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	287																		1 V @ 6 A		10 µA @ 50 V		6 a										单相	50 V
GBPC1510W	2.8300	RFQ	1	Fairchild半导体	*	大部分	积极的									下载					Ear99	8541.10.0080	107
HUF76143S3ST	0.6600	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道		30 V	75A（TC）	4.5V，10V	5.5MOHM @ 75A，10V	3V @ 250µA	114 NC @ 10 V	±20V	3900 PF @ 25 V	-	225W（TC）
MBR1535CT	1.0000	RFQ	3886	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		通过洞	TO-220-3			肖特基		TO-220-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1对普通阴极	35 v	15a	840 mv @ 15 A		100 µA @ 35 V	-65°C〜150°C
FQI5N20TU	0.3100	RFQ	4	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道		200 v	4.5A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.25a，10V	5V @ 250µA	7.5 NC @ 10 V	±30V	270 pf @ 25 V	-	3.13W（ta），52W（（ta）
FDS86540	2.8400	RFQ	3	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载					Ear99	8541.29.0095	1			n通道		60 V	18A（18A）	8V，10V	4.5MOHM @ 18A，10V	4V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±20V	6410 PF @ 30 V	-	2.5W（ta），5W（（（（（（（）
IRFN214BTA	0.1800	RFQ	152	Fairchild半导体	*	大部分	积极的				IRFN214		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1,664													-
RURG3060CC-F085	-	RFQ	6082	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		通过洞	TO-247-3			标准		TO-247	下载					Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1对普通阴极	600 v	30a	1.5 V @ 30 A	80 ns	250 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C
FDB6670S	2.4900	RFQ	19	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道		30 V	62a（ta）	4.5V，10V	8.5mohm@ 31a，10v	3V @ 1mA	32 NC @ 5 V	±20V	2639 PF @ 15 V	-	62.5W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²