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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
SJD127T4G	0.3300	RFQ	32	Fairchild半导体	*	大部分	积极的												下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-SJD127T4G-600039	Ear99	8541.29.0095	998
HUFA753443	0.9700	RFQ	1	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	400		n通道					55 v	75A（TC）	10V	8mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	210 NC @ 20 V	±20V	3200 PF @ 25 V	-	285W（TC）
HUF76645P3	1.8700	RFQ	1	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	400		n通道					100 v	75A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 75a，10v	3V @ 250µA	153 NC @ 10 V	±16V	4400 PF @ 25 V	-	310W（TC）
PN3643	0.0400	RFQ	40	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					625兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	2,000																				30 V	500 MA						50NA					NPN	220mv @ 15mA，150mA	100 @ 150mA，10V	-
KSD1408OTU	1.0000	RFQ	9824	Fairchild半导体	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包					25 w		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50																				80 V	4 a						30µA（ICBO）					NPN	1.5V @ 300mA，3a	70 @ 500mA，5V	8MHz
HUF75645S3S	0.8700	RFQ	375	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	400		n通道					100 v	75A（TC）	10V	14mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	238 NC @ 20 V	±20V	3790 pf @ 25 V	-	310W（TC）
BC238BBU	0.0200	RFQ	5464	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					500兆		TO-92-3	-	rohs3符合条件			2156-BC238BBU-FS	Ear99	8541.21.0075	1,000																				25 v	100 ma						15NA					NPN	600mv @ 5mA，100mA	180 @ 2mA，5v	250MHz
BZX79C36-T50A	0.0200	RFQ	55	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向					500兆		DO-35（do-204AH）	下载					Ear99	8541.10.0050	1																	1.5 V @ 100 ma	50 NA @ 25.2 V											36 V	90欧姆
KSB1151YS	0.3600	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3					1.3 w		TO-126-3	下载						0000.00.0000	838																				60 V	5 a						10µA（ICBO）					PNP	300mv @ 200mA，2a	100 @ 2a，1V	-
FSAM75SM60SL	46.6600	RFQ	240	Fairchild半导体	SPM®	大部分	积极的			通过洞	32-PowerDip 模块（1.370英寸，34.80mm）	IGBT	FSAM75						-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1	3期			75 a	600 v	2500vrms
MMBT4401	-	RFQ	1454	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					350兆		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	15,000																				40 V	600 MA						100NA					NPN	750mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，1V	250MHz
HUF75631SK8T_NB82083	0.7100	RFQ	651	Fairchild半导体	Ultrafet®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）			8-SOIC	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1		n通道					100 v	5.5A（ta）	10V	39mohm @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	79 NC @ 20 V	±20V	1225 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
FQI4N80TU	1.0500	RFQ	2	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA				MOSFET （金属 o化物）			i2pak（（TO-262）	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道					800 v	3.9a（TC）	10V	3.6OHM @ 1.95a，10V	5V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±30V	880 pf @ 25 V	-	3.13W（TA），130W（tc）
FDMA8051L	-	RFQ	8873	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫				MOSFET （金属 o化物）			6-microfet（2x2）	-						0000.00.0000	1		n通道					40 V	10A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	1260 pf @ 20 V	-	2.4W（TA）
KSC3265OMTF	0.0400	RFQ	18	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					200兆		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	3,000																				25 v	800 MA						100NA（ICBO）					NPN	400mv @ 20mA，500mA	100 @ 100mA，1V	120MHz
FMS6G10US60	15.4500	RFQ	23	Fairchild半导体	-	盒子	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	25 pm-aa					66 W	三相桥梁整流器	25 pm-aa	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	30	三相逆变器																		-	600 v	10 a		2.7V @ 15V，10a				250 µA	是的			710 PF @ 30 V
FDS9431A-F085	-	RFQ	6085	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）			8-SOIC	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道					20 v	3.5A（ta）		130MOHM @ 3.5A，4.5V	1V @ 250µA	8.5 NC @ 4.5 V	±8V	405 pf @ 10 V	-	1W（ta）
FDC6392S	1.0000	RFQ	9722	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6		FDC6392		MOSFET （金属 o化物）			SuperSot™-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000		P通道					20 v	2.2A（ta）	2.5V，4.5V	150MOHM @ 2.2a，4.5V	1.5V @ 250µA	5.2 NC @ 4.5 V	±12V	369 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	960MW（TA）
FQI7N80TU	-	RFQ	1520	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA				MOSFET （金属 o化物）			i2pak（（TO-262）	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道					800 v	6.6A（TC）	10V	1.5OHM @ 3.3a，10V	5V @ 250µA	52 NC @ 10 V	±30V	1850 pf @ 25 V	-	3.13W（TA），167W（tc）
FDC642P	0.2000	RFQ	6	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6				MOSFET （金属 o化物）			SuperSot™-6	下载					Ear99	8542.39.0001	1,516		P通道					20 v	4A（ta）	2.5V，4.5V	65MOHM @ 4A，4.5V	1.5V @ 250µA	16 NC @ 4.5 V	±8V	925 PF @ 10 V	-	1.6W（TA）
IRLR120ATF	0.6100	RFQ	30	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）			TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道					100 v	8.4A（TC）	5V	220MOHM @ 4.2A，5V	2V @ 250µA	15 NC @ 5 V	±20V	440 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），35W（TC）
BC856BMTF	-	RFQ	3208	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BC856			310 MW		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000																				65 v	100 ma						15NA（icbo）					PNP	650mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V	150MHz
FQB8N90CTM	1.0000	RFQ	2139	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			D2PAK（TO-263）	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道					900 v	6.3a（TC）	10V	1.9OHM @ 3.15a，10V	5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±30V	2080 pf @ 25 V	-	171W（TC）
FDC658AP-G	-	RFQ	8803	Fairchild半导体	*	大部分	积极的												下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-FDC658AP-G-600039	Ear99	8541.29.0095	1
FDD850N10L	-	RFQ	6698	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）			TO-252，（-d-pak）	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道					100 v	15.7A（TC）	5V，10V	75mohm @ 12a，10v	2.5V @ 250µA	28.9 NC @ 10 V	±20V	1465 PF @ 25 V	-	50W（TC）
FQP17N08L	0.4300	RFQ	2	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					80 V	16.5A（TC）	5V，10V	100mohm @ 8.25a，10V	2V @ 250µA	11.5 NC @ 5 V	±20V	520 pf @ 25 V	-	65W（TC）
FQPF5N90	1.4700	RFQ	450	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）			TO-220F-3	下载					Ear99	8542.39.0001	205		n通道					900 v	3A（TC）	10V	2.3OHM @ 1.5A，10V	5V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±30V	1550 pf @ 25 V	-	51W（TC）
HUF75639S3S	1.3700	RFQ	20	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	400		n通道					100 v	56A（TC）	10V	25mohm @ 56a，10v	4V @ 250µA	130 nc @ 20 V	±20V	2000 pf @ 25 V	-	200W（TC）
FGB30N6S2	0.9300	RFQ	5843	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			标准		167 w		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	225			390V，12a，10ohm，15V																-	600 v	45 a	108 a	2.5V @ 15V，12A	55µJ（在）上，100µJ（100µJ）	23 NC	6NS/40NS
FDMC7660DC	-	RFQ	9332	Fairchild半导体	Dual Cool™，PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN				MOSFET （金属 o化物）			Dual Cool™33	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-FDMC7660DC-600039			1		n通道					30 V	30a（30a），40a （TC）	4.5V，10V	2.2MOHM @ 22A，10V	2.5V @ 250µA	76 NC @ 10 V	±20V	5170 pf @ 15 V	-	（3W）（78W ta）（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²