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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电流 -io（io）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
BD159STU	-	RFQ	7295	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-	通过洞	TO-225AA，TO-126-3		BD159		20 w	TO-126-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1																			350 v	500 MA			100µA（ICBO）			NPN	-	30 @ 50mA，10v	-
DF10S1	0.3400	RFQ	82	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼			标准		4-SDIP	下载					Ear99	8541.10.0080	882																1.1 V @ 1 A	3 µA @ 1 V	1 a			单相	1 kV
KSB1151YS	0.3600	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3				1.3 w	TO-126-3	下载						0000.00.0000	838																			60 V	5 a			10µA（ICBO）			PNP	300mv @ 200mA，2a	100 @ 2a，1V	-
BZX79C36-T50A	0.0200	RFQ	55	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆	DO-35（do-204AH）	下载					Ear99	8541.10.0050	1																1.5 V @ 100 ma	50 NA @ 25.2 V							36 V	90欧姆
KSC1623YMTF	0.0200	RFQ	939	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		KSC1623		200兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000																			50 V	100 ma			100NA（ICBO）			NPN	300mv @ 10mA，100mA	135 @ 1mA，6v	250MHz
irfu220btu	0.8300	RFQ	2	Fairchild半导体	*	大部分	积极的										下载		供应商不确定	到达受影响	2156-IRFU220BTU-600039			1
BC560CBU	-	RFQ	5993	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	1,000																			45 v	100 ma			15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	150MHz
FQPF9N50C	0.9100	RFQ	404	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道				500 v	9A（TC）		800MOHM @ 4.5A，10V	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±30V	1030 pf @ 25 V	-	44W（TC）
flz36vd	1.0000	RFQ	4385	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80				500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	2,500																1.2 V @ 200 ma	133 na @ 27 V							34.9 v	63欧姆
FNA41560	-	RFQ	2528	Fairchild半导体	MOTIONSPM®45	大部分	积极的			通过洞	26-PowerDip 模块（1.024英寸，26.00mm）	IGBT					下载					Ear99	8542.39.0001	1	3期		15 a	600 v	2000vrms
FQPF12N60C	-	RFQ	4076	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-FQPF12N60C-600039			1		n通道				600 v	12A（TC）	10V	650MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±30V	2290 pf @ 25 V	-	51W（TC）
BCX70K	-	RFQ	9201	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				225兆	SOT-23-3	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BCX70K-600039			1																			45 v	200 ma			20NA			NPN	550mv @ 1.25mA，50mA	380 @ 2mA，5V	125MHz
FDS6574A	-	RFQ	6719	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-FDS6574A-600039			1		n通道				20 v	16A（TA）	1.8V，4.5V	6mohm @ 16a，4.5V	1.5V @ 250µA	105 NC @ 4.5 V	±8V	7657 PF @ 10 V	-	1W（ta）
MM3Z16VC	-	RFQ	1740年	Fairchild半导体	c	大部分	积极的	±5％	150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F				200兆	SOD-323F	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-MM3Z16VC-600039			1																1 V @ 10 mA	45 NA @ 11.2 V							16 V	37欧姆
FQP17N08L	0.4300	RFQ	2	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道				80 V	16.5A（TC）	5V，10V	100mohm @ 8.25a，10V	2V @ 250µA	11.5 NC @ 5 V	±20V	520 pf @ 25 V	-	65W（TC）
BZX85C24	0.0300	RFQ	69	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	通过洞	do-204al，do-41，轴向		BZX85C24		1.3 w	do-41g	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000																1.2 V @ 200 ma	500 na @ 18 V							24 V	25欧姆
IRFU024ATU	-	RFQ	1398	Fairchild半导体	*	大部分	积极的						IRFU024	-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				1														-
BD243BTU	0.3700	RFQ	6	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		BD243		65 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1																			80 V	6 a			700µA			NPN	1.5V @ 1a，6a	15 @ 3a，4V	-
MMSZ4689	-	RFQ	7427	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	SOD-123		MMSZ46		500兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																900 mv @ 10 ma	2 µA @ 3 V							5.1 v
MM5Z2V4	1.0000	RFQ	1130	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±8.33％	-55°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523				200兆	SOD-523F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	8,000																	50 µA @ 1 V							2.4 v	100欧姆
FDG330P	0.3400	RFQ	219	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363			MOSFET （金属 o化物）		SC-88 （SC-70-6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道				12 v	2A（TA）		110MOHM @ 2A，4.5V	1.5V @ 250µA	7 NC @ 4.5 V	±8V	477 PF @ 6 V	-	480MW（TA）
FPDB50PH60	39.0400	RFQ	5	Fairchild半导体	PFCSPM®3	管子	积极的			通过洞	27-PowerDip 模块（1.205英寸，30.60mm）	IGBT	FPDB50				下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	2期		30 a	600 v	2500vrms
FCPF20N60ST	-	RFQ	1253	Fairchild半导体	SuperFet™	大部分	积极的		-	通过洞	TO-220-3完整包		FCPF20	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道				600 v	20A（TC）		-	-				-	-
KST5087MTF-FS	0.0200	RFQ	33	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				350兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000																			50 V	50 mA			50NA（iCBO）			PNP	300mv @ 1mA，10mA	250 @ 10mA，5V	40MHz
MMBTA56	0.0300	RFQ	12	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-90，SOD-323F		MMBTA56		250兆	SOD-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	9,616																			80 V	500 MA			100NA（ICBO）			PNP	250mv @ 10mA，100mA	100 @ 100mA，1V	50MHz
MCH6437-P-TL-E	-	RFQ	6630	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-	表面安装	6-SMD，平坦的铅		MCH64	-		6-MCPH	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				998		-					7A（TJ）		-	-				-	-
BZX84C3V3	0.0200	RFQ	9022	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BZX84C3		250兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	9,160																900 mv @ 10 ma	5 µA @ 1 V							3.3 v	95欧姆
1N5256B	1.8600	RFQ	221	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±0.5％	-	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		1N5256		500兆	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	162																900 mv @ 200 ma	100 na @ 23 V							30 V	49欧姆
HUFA75321D3STQ	0.2500	RFQ	1	Fairchild半导体	*	大部分	积极的						HUFA75321	-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				1														-
HUFA76409D3ST	0.3800	RFQ	2	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101，Ultrafet™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		HUFA76	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	2,500		n通道				60 V	18A（TC）	4.5V，10V	63mohm @ 18a，10v	3V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±16V	485 pf @ 25 V	-	49W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²