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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	获得	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
FDD050N03B	1.0000	RFQ	7543	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道						30 V	50A（TC）	4.5V，10V	5mohm @ 25a，10v	3V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±16V	2875 PF @ 15 V	-	65W（TC）
FQPF1N50	-	RFQ	1398	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50			n通道						500 v	900mA（TC）	10V	9ohm @ 450mA，10v	5V @ 250µA	5.5 NC @ 10 V	±30V	150 pf @ 25 V	-	16W（TC）
FDW2504P	1.1200	RFQ	523	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）		FDW25		MOSFET （金属 o化物）	600MW	8-tssop	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	2,500	2（p 通道（双）								20V	3.8a		43mohm @ 3.8A，4.5V	1.5V @ 250µA	16nc @ 4.5V		1030pf @ 10V	逻辑级别门
FDB2570	1.4400	RFQ	4	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	800			n通道						150 v	22a（22a）	6V，10V	80Mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±20V	1911 pf @ 75 V	-	93W（TC）
MMBZ5244B	-	RFQ	4032	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MMBZ52			300兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																				900 mv @ 10 ma		100 na @ 10 V																14 V	15欧姆
MM5Z47V	0.0200	RFQ	111	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±6％	-55°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523F		MM5Z4			200兆	SOD-523F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	8,000																						50 NA @ 32.9 V																47 V	170欧姆
FDB039N06	-	RFQ	4318	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	800			n通道						60 V	120A（TC）	10V	3.9MOHM @ 75A，10V	4.5V @ 250µA	133 NC @ 10 V	±20V	8235 PF @ 25 V	-	231W（TC）
FDPF035N06B_F152	1.0000	RFQ	5073	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道						60 V	88A（TC）		3.5MOHM @ 88A，10V	4V @ 250µA	99 NC @ 10 V	±20V	8030 PF @ 30 V	-	46.3W（TC）
SGH40N60UFTU	3.7900	RFQ	900	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		SGH40N60	标准		160 w	to-3p	下载					Ear99	8541.29.0095	1				300V，20a，10ohm，15V																						-	600 v	40 a	160 a	2.6V @ 15V，20A	160µJ（在）上，200µJ（200µJ）	97 NC	15NS/65NS
FGPF4533	0.7800	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	TO-220-3完整包		FGPF4	标准		28.4 w	TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1				-																						沟	330 v		200 a	1.8V @ 15V，50a	-	44 NC	-
FCPF650N80Z	-	RFQ	9256	Fairchild半导体	SuperFet®II	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		FCPF650		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道						800 v	8A（TC）	10V	650MOHM @ 4A，10V	4.5V @ 800µA	35 NC @ 10 V	±20V	1565 PF @ 100 V	-	30.5W（TC）
FDP39N20	1.5900	RFQ	500	Fairchild半导体	Unifet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道						200 v	39A（TC）	10V	66mohm @ 19.5a，10v	5V @ 250µA	49 NC @ 10 V	±30V	2130 PF @ 25 V	-	251W（TC）
BZX55C5V1	0.0400	RFQ	140	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±6％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向					500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	1,000																				1.3 V @ 100 mA		100 na @ 1 V																5.1 v	35欧姆
NDS9936	0.5400	RFQ	40	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		NDS993		MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	2,500	2 n 通道（双）								30V	5a		50mohm @ 5a，10v	3V @ 250µA	35nc @ 10V		525pf @ 15V	逻辑级别门
KSC5030FRTU	0.9000	RFQ	7247	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-	通过洞	TO-3P-3					60 W	to-3pf	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	300																											800 v	6 a									10µA（ICBO）				NPN	2V @ 600mA，3a	10 @ 600mA，5V	-
FCPF190N60-F152	-	RFQ	5550	Fairchild半导体	SuperFet®II	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-FCPF190N60-F152	Ear99	8541.29.0095	1			n通道						600 v	20.2A（TC）	10V	199mohm @ 10a，10v	3.5V @ 250µA	74 NC @ 10 V	±20V	2950 pf @ 25 V	-	39W（TC）
FQP20N06	-	RFQ	8934	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	-						0000.00.0000	1			n通道						60 V	20A（TC）	10V	60mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±25V	590 pf @ 25 V	-	53W（TC）
FQD630TM	0.6100	RFQ	9	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道						200 v	7A（TC）	10V	400MOHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±25V	550 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），46W（TC）
HUF75645S3ST_NL	4.1700	RFQ	342	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D²Pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道						100 v	75A（TC）	10V	14mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	238 NC @ 20 V	±20V	3790 pf @ 25 V		310W（TC）
FDU8896_NL	1.0000	RFQ	1286	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA				MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道						30 V	17a（17a），94A（tc）	4.5V，10V	5.7MOHM @ 35A，10V	2.5V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	2525 PF @ 15 V	-	80W（TC）
FGA90N3333333TU	-	RFQ	3895	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		FGA90	标准		223 w	to-3p	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1				-																	23 ns					沟	330 v	90 a	330 a	1.4V @ 15V，20A	-	95 NC	-
BC550	0.0400	RFQ	17	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,000																											45 v	100 ma									15NA（icbo）				NPN	600mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	300MHz
SB3100	0.2600	RFQ	26	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	do-201aa，do-27，轴向		SB31		肖特基		DO-201-201	下载					Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	100 v	780 mv @ 3 a		600 µA @ 100 V	-50°C〜150°C	3a	-
HUF76419D3ST	0.2500	RFQ	4	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道						60 V	20A（TC）	4.5V，10V	37mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	27.5 NC @ 10 V	±16V	900 pf @ 25 V	-	75W（TC）
MMBFJ175	-	RFQ	5205	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MMBFJ1			225兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			P通道													-																		30 V	7 ma @ 15 V	3 V @ 10 na				125欧姆
FSB50450AT	4.9700	RFQ	347	Fairchild半导体	MOTIONSPM®5	大部分	积极的			通过洞	23-PowerDip 模块（ 0.748“，19.00mm）	MOSFET						下载					Ear99	8542.39.0001	1	3期					1.5 a	500 v	1500vrms
SS9018GBU	0.0300	RFQ	129	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		SS9018			400MW	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1					-																						15V	50mA													NPN		72 @ 1mA，5V	1.1GHz	-
FDW9926A	1.0000	RFQ	5232	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）		FDW99		MOSFET （金属 o化物）	600MW	8-tssop	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	2,500	2 n 通道（双）								20V	4.5a		32MOHM @ 4.5A，4.5V	1.5V @ 250µA	9NC @ 4.5V		630pf @ 10V	逻辑级别门
MM5Z18V	0.0200	RFQ	74	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±6％	-55°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523F					200兆	SOD-523F	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-MM5Z18V-600039			1																						50 NA @ 12.6 V																18 V	45欧姆
PN3567	0.0200	RFQ	6138	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	2,522																											40 V	600 MA									50NA（iCBO）				NPN	250mv @ 15mA，150mA	40 @ 150mA，1V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²