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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
TN6717A	0.1200	RFQ	4	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		TN6717		1 w	TO-226-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1																							80 V	1.2 a			100NA（ICBO）			NPN	350mv @ 10mA，250mA	50 @ 250mA，1V	-
SJD127T4G	0.3300	RFQ	32	Fairchild半导体	*	大部分	积极的										下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-SJD127T4G-600039	Ear99	8541.29.0095	998
HUFA753443	0.9700	RFQ	1	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	400			n通道				55 v	75A（TC）	10V	8mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	210 NC @ 20 V	±20V	3200 PF @ 25 V	-	285W（TC）
MMBZ5246BNL	0.7700	RFQ	594	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆	SOT-23-3	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																		900 mv @ 10 ma	100 na @ 12 V									16 V	17欧姆
KSD1616LBU	0.0700	RFQ	10	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				750兆w	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	10,000																							50 V	1 a			100NA（ICBO）			NPN	300mv @ 50mA，1a	300 @ 100mA，2V	160MHz
flz3v3a	0.0200	RFQ	75	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80				500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	2,500																		1.2 V @ 200 ma	14 µA @ 1 V									3.3 v	35欧姆
FSBF10CH60BTSL	14.9000	RFQ	130	Fairchild半导体	*	大部分	积极的										-						0000.00.0000	1
FSAM10SM60A	17.5200	RFQ	141	Fairchild半导体	SPM®	大部分	积极的			通过洞	32-PowerDip 模块（1.370英寸，34.80mm）	IGBT					下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	8	3期			10 a	600 v	2500vrms
PN3642	0.0500	RFQ	9	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	2,000																							45 v	500 MA			50NA			NPN	220mv @ 15mA，150mA	40 @ 150mA，10v	-
FDN357N	0.1500	RFQ	3	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载					Ear99	8541.21.0095	1,976			n通道				30 V	1.9a（ta）	4.5V，10V	60mohm @ 2.2a，10v	2V @ 250µA	5.9 NC @ 5 V	±20V	235 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
SI3441DV	-	RFQ	2419	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6			MOSFET （金属 o化物）		SuperSot™-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道				20 v	3.5A（ta）	2.5V，4.5V	80mohm @ 3.5A，4.5V	1.5V @ 250µA	10 NC @ 4.5 V	±8V	779 pf @ 10 V	-	800MW（TA）
gbu6k	0.5800	RFQ	1860年	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	4-Esip，Gbu			标准		gbu	下载					Ear99	8541.10.0080	58																		1 V @ 6 A	5 µA @ 800 V		4.2 a				单相	800 v
PN3643	0.0400	RFQ	40	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	2,000																							30 V	500 MA			50NA			NPN	220mv @ 15mA，150mA	100 @ 150mA，10V	-
HUF76645P3	1.8700	RFQ	1	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	400			n通道				100 v	75A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 75a，10v	3V @ 250µA	153 NC @ 10 V	±16V	4400 PF @ 25 V	-	310W（TC）
HUF75645S3S	0.8700	RFQ	375	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	400			n通道				100 v	75A（TC）	10V	14mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	238 NC @ 20 V	±20V	3790 pf @ 25 V	-	310W（TC）
FSAM75SM60SL	46.6600	RFQ	240	Fairchild半导体	SPM®	大部分	积极的			通过洞	32-PowerDip 模块（1.370英寸，34.80mm）	IGBT	FSAM75				-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1	3期			75 a	600 v	2500vrms
KSD1408OTU	1.0000	RFQ	9824	Fairchild半导体	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				25 w	TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50																							80 V	4 a			30µA（ICBO）			NPN	1.5V @ 300mA，3a	70 @ 500mA，5V	8MHz
BZX79C3V6	0.0300	RFQ	153	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆	DO-35（do-204AH）	下载					Ear99	8541.10.0050	8,849																		1.5 V @ 100 ma	15 µA @ 1 V									3.6 v	90欧姆
BC238BBU	0.0200	RFQ	5464	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				500兆	TO-92-3	-	rohs3符合条件			2156-BC238BBU-FS	Ear99	8541.21.0075	1,000																							25 v	100 ma			15NA			NPN	600mv @ 5mA，100mA	180 @ 2mA，5v	250MHz
MPS6521	0.0400	RFQ	116	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				625兆	TO-92（to-226）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	5,000																							25 v	100 ma			50NA（iCBO）			NPN	500mv @ 5mA，50mA	300 @ 2mA，10v	-
SB140	0.0800	RFQ	133	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	do-204ac，do-15，轴向			肖特基		do15/do204ac	下载					Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）															40 V	500 mv @ 1 A	500 µA @ 40 V	-50°C〜150°C	1a	-
MPSH24	-	RFQ	3934	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	3,322																							30 V	50 mA			50NA（iCBO）			NPN	-	30 @ 8mA，10v	400MHz
FDS8449-G	0.5100	RFQ	2	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-FDS8449-G	Ear99	8541.29.0095	1			n通道				40 V	7.6a（ta）	4.5V，10V	29MOHM @ 7.6A，10V	3V @ 250µA	11 NC @ 5 V	±20V	760 pf @ 20 V	-	1W（ta）
FDS6672A	1.6500	RFQ	259	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道				30 V	12.5A（TA）	4.5V，10V	8mohm @ 14a，10v	2V @ 250µA	46 NC @ 4.5 V	±12V	5070 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
FQP18N50V2	4.0400	RFQ	590	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道				500 v	18A（TC）	10V	265MOHM @ 9A，10V	5V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±30V	3290 pf @ 25 V	-	208W（TC）
FDZ2553N	0.5900	RFQ	135	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	18-WFBGA		FDZ25	MOSFET （金属 o化物）	2.1W	18-BGA（2.5x4）	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）						20V	9.6a		14mohm @ 9.6a，4.5V	1.5V @ 250µA	17nc @ 4.5V		1299pf @ 10V	逻辑级别门
2N5550/D26Z	0.0200	RFQ	24	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				625兆	TO-92-3	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	15,000																							140 v	600 MA			100NA（ICBO）			NPN	250mv @ 5mA，50mA	60 @ 10mA，5V	300MHz
FJP2145TU	1.0000	RFQ	4498	Fairchild半导体	ESBC™	大部分	积极的		-55°C〜125°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		FJP214		120 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1																							800 v	5 a			10µA（ICBO）			NPN	2V @ 300mA，1.5a	20 @ 200ma，5V	15MHz
2SJ646-TL-E	0.2100	RFQ	2	Fairchild半导体	*	大部分	积极的										下载		供应商不确定	供应商不确定	2156-2SJ646-TL-E-600039			1
BZX79C4V7	0.0300	RFQ	80	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆	DO-35（do-204AH）	下载					Ear99	8541.10.0050	11,539																		1.5 V @ 100 ma	3 µA @ 2 V									4.7 v	80欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²