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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电流 -io（io）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
RFP14N05L	0.4000	RFQ	19	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	400		n通道					50 V	14A（TC）	5V	100mohm @ 14a，5v	2V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±10V	670 pf @ 25 V	-	48W（TC）
KSA940H2TU	-	RFQ	1692年	Fairchild半导体	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3					1.5 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	50																						150 v	1.5 a								10µA（ICBO）			PNP	1.5V @ 50mA，500mA	40 @ 500mA，10V	4MHz
BC556CBU	-	RFQ	6600	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.21.0075	11,478																						65 v	100 ma								15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	150MHz
BC307B	0.0400	RFQ	11	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.21.0075	5,000																						45 v	100 ma								15NA			PNP	300mv @ 500µA，10mA	180 @ 2mA，5v	130MHz
BC546B	-	RFQ	8350	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.21.0075	5,000																						65 v	100 ma								15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V	300MHz
BC548	0.0400	RFQ	25	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.21.0075	2,000																						30 V	100 ma								15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	300MHz
FQU4N50TU	0.7000	RFQ	27	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA				MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	5,040		n通道					500 v	2.6A（TC）	10V	2.7OHM @ 1.3A，10V	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	460 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），45W（（（（（（（（（（
FQD5N50CTM	0.5100	RFQ	8	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					500 v	4A（TC）	10V	1.4OHM @ 2A，10V	4V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±30V	625 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），48W（tc）
FDS7764A	0.9900	RFQ	75	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					30 V	15A（TA）		7.5MOHM @ 15a，4.5V	2V @ 250µA	40 NC @ 4.5 V		3451 PF @ 15 V	-	-
1N960B	1.8400	RFQ	49	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向					500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.10.0050	163																			25 µA @ 6.9 V													9.1 v	7.5欧姆
KST63MTF	-	RFQ	1399年	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					350兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.21.0075	3,000																						30 V	500 MA								100NA（ICBO）			pnp-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	10000 @ 100mA，5V	125MHz
HUFA76413DK8T	0.6400	RFQ	2206	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		HUFA76413		MOSFET （金属 o化物）	2.5W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	30	2 n 通道（双）						60V	5.1a		49mohm @ 5.1A，10V	3V @ 250µA	23nc @ 10V		620pf @ 25V	逻辑级别门
FGH30N120FTDTU	1.0000	RFQ	7432	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			标准		339 w	TO-247	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	150			-															730 ns			沟渠场停止	1200 v	60 a	90 a	2V @ 15V，30a	-	208 NC	-
1N976B	1.8400	RFQ	33	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向					500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.10.0050	163																			5 µA @ 32.7 V													43 V	93欧姆
HUFA75645P3	1.1800	RFQ	5354	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	2		n通道					100 v	75A（TC）	10V	14mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	238 NC @ 20 V	±20V	3790 pf @ 25 V	-	310W（TC）
FQD16N15TM	0.5300	RFQ	1	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					150 v	11.8A（TC）	10V	160MOHM @ 5.9A，10V	4V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±25V	910 PF @ 25 V	-	2.5W（TA），55W（tc）
SI4420DY	-	RFQ	1290	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	272		n通道					30 V	12.5A（TA）	4.5V，10V	9MOHM @ 12.5a，10V	1V @ 250µA	53 NC @ 5 V	±20V	2180 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
HUFA76619D3ST	0.3600	RFQ	1	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					100 v	18A（TC）	4.5V，10V	85mohm @ 18a，10v	3V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±16V	767 PF @ 25 V	-	75W（TC）
FDS4080N3	1.6600	RFQ	39	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					40 V	13A（TA）	10V	10.5MOHM @ 13A，10V	5V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±20V	1750 pf @ 20 V	-	（3W）（TA）
KSC2258ASTU	0.1200	RFQ	33	Fairchild半导体	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3					4 W	TO-126-3	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0075	60																						300 v	100 ma								-			NPN	1.2V @ 5mA，50mA	40 @ 40mA，20v	100MHz
FSB50450T	4.3800	RFQ	29	Fairchild半导体	SPM®	管子	过时的			通过洞	23-PowerDip 模块（ 0.748“，19.00mm）	MOSFET						下载	rohs3符合条件	Ear99	8542.39.0001	15	3期			1.5 a	500 v	1500vrms
SFP9634	0.4100	RFQ	11	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道					250 v	5A（TC）	10V	1.3OHM @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±30V	975 PF @ 25 V	-	70W（TC）
FDD6780	0.2500	RFQ	12	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					25 v	16.5A（TA），30a （TC）	4.5V，10V	8.5MOHM @ 16.5A，10V	3V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	1590 pf @ 13 V	-	3.7W（TA），32.6W（TC）
SGP13N60UFTU	0.2300	RFQ	2	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		SGP13N60	标准		60 W	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	1,000			300V，6.5a，50ohm，15V																		-	600 v	13 a	52 a	2.6V @ 15V，6.5a	（85µJ）（在），95µJ（95µJ）中	25 NC	20N/70NS
kbu6k	-	RFQ	4104	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbu				标准		KBU	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.10.0080	200																	1 V @ 6 A		10 µA @ 800 V	6 a									单相	800 v
FJPF6806DTU	-	RFQ	7696	Fairchild半导体	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包					40 W	TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	50																						750 v	6 a								1ma			NPN	5V @ 1a，4a	4 @ 4A，5V	-
kbu6g	-	RFQ	7582	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbu				标准		KBU	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.10.0080	200																	1 V @ 6 A		10 µA @ 50 V	6 a									单相	400 v
IRFP460C	-	RFQ	8134	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3				MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	30		n通道					500 v	20A（TC）	10V	240mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±30V	6000 pf @ 25 V	-	235W（TC）
1N746ATR	0.0200	RFQ	48	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向					500兆	DO-35（do-204AH）	下载	不适用	Ear99	8541.10.0050	5,000																	1.5 V @ 200 ma		10 µA @ 1 V													3.3 v	28欧姆
BZX55C11	0.0500	RFQ	9821	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向					500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.10.0050	1,000																	1.3 V @ 100 mA		100 na @ 8.5 V													11 V	20欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²