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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
MPSA93	0.0700	RFQ	8	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				625兆	TO-92（to-226）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	2,000																										200 v	500 MA			250NA（ICBO）	PNP	400mv @ 2mA，20mA	25 @ 30mA，10v	50MHz
KSD5041QTA	0.0900	RFQ	65	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		KSD5041		750兆w	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1																										20 v	5 a			100NA（ICBO）	NPN	1V @ 100mA，3a	230 @ 500mA，2V	150MHz
KSP06BU	1.0000	RFQ	5024	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		KSP06		625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1																										80 V	500 MA			100NA	NPN	250mv @ 10mA，100mA	50 @ 100mA，1V	100MHz
mje170stu	-	RFQ	1115	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3		MJE170		1.5 w	TO-126-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1																										40 V	3 a			100NA（ICBO）	PNP	1.7V @ 600mA，3a	50 @ 100mA，1V	50MHz
SSS4N60BT	0.3100	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			n通道				600 v	4A（TJ）	10V	2.5OHM @ 2A，10V	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±30V	920 PF @ 25 V	-	33W（TC）
FDPF16N50UT	1.2300	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道				500 v	15A（TC）	10V	480MOHM @ 7.5A，10V	5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±30V	1945 pf @ 25 V	-	38.5W（TC）
FDLL4151	0.0200	RFQ	24	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			标准		SOD-80	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0070	15,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																75 v		1 V @ 50 mA	4 ns	50 na @ 50 V	-65°C 〜200°C	200mA	4pf @ 0v，1MHz
SI3443DV	0.1700	RFQ	21	Fairchild半导体	Hexfet®	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6			MOSFET （金属 o化物）		Micro6™tsop-6）	下载					Ear99	8541.29.0095	1,906			P通道				20 v	4.4a（ta）	2.5V，4.5V	65MOHM @ 4.4A，4.5V	1.5V @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±12V	1079 PF @ 10 V	-	2W（TA）
FDP3672	0.9200	RFQ	9	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载					Ear99	8542.39.0001	344			n通道				105 v	5.9A（ta），41A（tc）	6V，10V	33MOHM @ 41A，10V	4V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±20V	1670 pf @ 25 V	-	135W（TC）
FDMS6673BZ	1.0000	RFQ	9931	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载					Ear99	8542.39.0001	1			P通道				30 V	15.2A（TA），28a （TC）	4.5V，10V	6.8mohm @ 15.2a，10v	3V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±25V	5915 pf @ 15 V	-	2.5W（ta），73W（tc）
FQB33N10TM	1.0000	RFQ	9376	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道				100 v	33A（TC）	10V	52MOHM @ 16.5A，10V	4V @ 250µA	51 NC @ 10 V	±25V	1500 pf @ 25 V	-	3.75W（ta），127W（127W）TC）
BC640BU	0.0200	RFQ	33	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				1 w	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0075	1,000																										80 V	1 a			100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，2V	100MHz
FDMS5361L-F085	0.5000	RFQ	2	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn			MOSFET （金属 o化物）		Power56	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-FDMS5361L-F085-600039			1			n通道				60 V	35A（TC）	4.5V，10V	15mohm @ 16.5a，10v	3V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	1980 pf @ 25 V	-	75W（TC）
FQI7N60TU	1.1300	RFQ	1	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		FQI7N60	MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载					Ear99	8541.29.0095	267			n通道				600 v	7.4A（TC）	10V	1欧姆 @ 3.7A，10V	5V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±30V	1430 pf @ 25 V	-	3.13W（ta），142W（tc）
ISL9N303AS3ST	1.7000	RFQ	8	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	800			n通道				30 V	75A（TC）	4.5V，10V	3.2MOHM @ 75A，10V	3V @ 250µA	172 NC @ 10 V	±20V	7000 PF @ 15 V	-	215W（TC）
FJC1963RTF	-	RFQ	5688	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA				500兆	SOT-89-3	-	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	4,000																										30 V	3 a			500NA	NPN	450mv @ 150mA，1.5a	180 @ 500mA，2V	-
KSC1507YTU	0.3600	RFQ	30	Fairchild半导体	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				15 W	TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0075	50																										300 v	200 µA			100µA（ICBO）	NPN	2V @ 5mA，50mA	120 @ 10mA，10v	80MHz
FSBS5CH60	21.5100	RFQ	180	Fairchild半导体	motionspm®3	大部分	积极的		通过洞	27-PowerDip 模块（1.205英寸，30.60mm）	IGBT	FSBS5				下载	rohs3符合条件	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	16	3期			5 a	600 v	2500vrms
FDMS0349	0.1800	RFQ	215	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		8-PQFN （5x6），Power56	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道				30 V	（14a）（ta），20A （TC）	4.5V，10V	8mohm @ 14a，10v	3V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	1410 pf @ 15 V	-	2.5W（27W），27W（TC）
2SC5242RTU	1.5000	RFQ	498	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3				130 w	to-3p	下载					Ear99	8541.29.0075	1																										250 v	17 a			5µA（ICBO）	NPN	3V @ 800mA，8a	55 @ 1A，5V	30MHz
RFP15N05L	0.8500	RFQ	32	Fairchild半导体	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	400			n通道				50 V	15A（TC）		140mohm @ 15a，5v	2V @ 250µA		±10V	900 pf @ 25 V	-	60W（TC）
FQB7P06TM	0.5300	RFQ	1	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	800			P通道				60 V	7A（TC）	10V	410MOHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±25V	295 pf @ 25 V	-	3.75W（ta），45W（tc）
IRFS634B	0.1800	RFQ	15	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道				250 v	8.1A（TJ）	10V	450MOHM @ 4.05A，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±30V	1000 pf @ 25 V	-	38W（TC）
HUF761393	0.9500	RFQ	12	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道				30 V	75A（TC）	4.5V，10V	7.5MOHM @ 75A，10V	3V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±20V	2700 PF @ 25 V	-	165W（TC）
FFAF05U120DNTU	1.0600	RFQ	699	Fairchild半导体	-	管子	过时的		通过洞	TO-3P-3			标准		to-3pf	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	30		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）															1对普通阴极	1200 v	5a	3.5 V @ 5 A	100 ns	5 µA @ 1200 V	-65°C〜150°C
HUF76131SK8T	0.4900	RFQ	10	Fairchild半导体	Ultrafet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			n通道				30 V	10a（10a）	4.5V，10V	13mohm @ 10a，10v	1V @ 250µA	47 NC @ 10 V	±20V	1605 PF @ 25 V	-	2.5W（TA）
HUF761213	0.4000	RFQ	26	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道				30 V	47A（TC）	4.5V，10V	21mohm @ 47a，10v	3V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	850 pf @ 25 V	-	75W（TC）
KBP10M	0.2400	RFQ	2136	Fairchild半导体	-	管子	过时的	-55°C〜165°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbpm			标准		kbpm	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	404																				1 V @ 1 A		5 µA @ 1 V		1.5 a				单相	1 kV
MPS6513	1.0000	RFQ	6881	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	2,000																										30 V	200 ma			50NA（iCBO）	NPN	500mv @ 5mA，50mA	90 @ 2mA，10v	-
ISL9N312AD3_NL	-	RFQ	2827	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	340			n通道				30 V	50A（TC）	4.5V，10V	12mohm @ 50a，10v	3V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	1450 pf @ 15 V	-	75W（ta）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²