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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻-RDS（（在）	电阻 @ if，f	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
FDS5680	1.0000	RFQ	7325	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS56		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道		60 V	8a（8a）	6V，10V	20mohm @ 8a，10v	4V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±20V	1850 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
MMBZ5253B	0.0200	RFQ	170	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBZ52			300兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	756																900 mv @ 10 ma		100 na @ 19 V																		25 v	35欧姆
SGW23N60UFDTM	0.8300	RFQ	48	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SGW23	标准		100 W	D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	800				300V，12a，23ohm，15V													60 ns					-	600 v	23 a	92 a	2.6V @ 15V，12a	（115µJ）（在），135µJ（（（（）	49 NC	17NS/60NS
flz36vd	1.0000	RFQ	4385	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80				500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	2,500																1.2 V @ 200 ma		133 na @ 27 V																		34.9 v	63欧姆
SS28	-	RFQ	9924	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	DO-214AA，SMB			肖特基		DO-214AA（SMB）	下载					Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													80 V	850 mv @ 2 a		400 µA @ 80 V	-65°C〜125°C	2a	-
MM3Z39VB	1.0000	RFQ	6928	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F				200兆	SOD-323F	下载					Ear99	8541.10.0050	1																1 V @ 10 mA		45 NA @ 27.3 V																		39 v	122欧姆
FDS6680S	0.5200	RFQ	42	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		30 V	11.5A（TA）	4.5V，10V	11mohm @ 11.5a，10v	3V @ 250µA	24 NC @ 5 V	±20V	2010 PF @ 15 V	-	2.5W（TA）
J176_D74Z	0.0700	RFQ	2241	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				350兆	TO-92-3	下载					Ear99	8541.21.0095	333			P通道									-																				30 V	2 ma @ 15 V	1 V @ 10 na				250欧姆
FGB30N6S2T	1.0000	RFQ	1724年	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		167 w	D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	800				390V，12a，10ohm，15V																		-	600 v	45 a	108 a	2.5V @ 15V，12A	（55µJ）（在），110µJ（110µJ）中	23 NC	6NS/40NS
1N746ATR	0.0200	RFQ	48	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆	DO-35（do-204AH）	下载	不适用				Ear99	8541.10.0050	5,000																1.5 V @ 200 ma		10 µA @ 1 V																		3.3 v	28欧姆
1N5996B	2.0000	RFQ	19	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	163																1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 5.2 V																		6.8 v	8欧姆
MMBD701	0.0600	RFQ	18	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜125°C		TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000														280兆							1pf @ 20V，1MHz									肖特基 -单身	70V								-
FDMC0202S	0.2300	RFQ	16	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（3.3x3.3）	下载					Ear99	8542.29.0095	1			n通道		25 v	22.5a（TA），40a tc）	4.5V，10V	3.15MOHM @ 22.5A，10V	3V @ 1mA	44 NC @ 10 V	±20V	2705 pf @ 13 V	-	2.3W（TA），52W（TC）
FQPF12N60C	-	RFQ	4076	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-FQPF12N60C-600039			1			n通道		600 v	12A（TC）	10V	650MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±30V	2290 pf @ 25 V	-	51W（TC）
BAV19	0.0200	RFQ	43	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			标准		DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0070	2,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度													120 v	1.25 V @ 200 ma	50 ns	100 na @ 100 V	175°c （最大）	200mA	5pf @ 0v，1MHz
RF1K4915796	0.8200	RFQ	25	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		30 V	6.3a（ta）	4.5V，10V	30mohm @ 6.3a，10v	3V @ 250µA	88 NC @ 20 V	±20V	1575 PF @ 25 V	-	2W（TA）
1N5255B	-	RFQ	2887	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±0.5％	-	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5255			500兆	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																900 mv @ 200 ma		100 na @ 21 V																		28 V	44欧姆
FQA7N80C	1.0100	RFQ	25	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3			MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	30			n通道		800 v	7A（TC）	10V	1.9OHM @ 3.5A，10V	5V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±30V	1680 pf @ 25 V	-	198W（TC）
FES16ATR	1.0000	RFQ	9743	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-2			标准		TO-220-2	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													50 V	950 MV @ 8 A	35 ns	10 µA @ 50 V	-65°C〜150°C	16a	170pf @ 4V，1MHz
flz5v1a	0.0200	RFQ	15	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80				500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	15,000																1.2 V @ 200 ma		190 na @ 1.5 V																		4.9 v	17欧姆
HUF75329D3S	0.9600	RFQ	4	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,800			n通道		55 v	20A（TC）	10V	26mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	65 NC @ 20 V	±20V	1060 pf @ 25 V	-	128W（TC）
FDMA3028N	1.0000	RFQ	1705年	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-vdfn裸露的垫子	FDMA3028		MOSFET （金属 o化物）	700MW	6-microfet（2x2）	下载					Ear99	8542.39.0001	1	2 n 通道（双）				30V	3.8a		68mohm @ 3.8A，4.5V	1.5V @ 250µA	5.2nc @ 5V		375pf @ 15V	逻辑级别门
RF1K49156	0.7800	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			n通道		30 V	6.3a（ta）	5V	30mohm @ 6.3a，5V	2V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±10V	2030 pf @ 25 V	-	2W（TA）
FDV302P	-	RFQ	8849	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	FDV30		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载						0000.00.0000	1			P通道		25 v	120mA（ta）	2.7V，4.5V	10ohm @ 200ma，4.5V	1.5V @ 250µA	0.31 NC @ 4.5 V	-8V	11000 PF @ 10 V	-	350MW（TA）
1N5395	-	RFQ	4623	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			通过洞	do-204ac，do-15，轴向			标准		do-15	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	8,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													400 v	1.4 V @ 1.5 A		5 µA @ 400 V	-55°C〜150°C	1.5a	25pf @ 4V，1MHz
FQU4N50TU	0.7000	RFQ	27	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	5,040			n通道		500 v	2.6A（TC）	10V	2.7OHM @ 1.3A，10V	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	460 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），45W（（（（（（（（（（
kbu8k	0.5400	RFQ	7963	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbu			标准		KBU	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	20																1 V @ 8 A		10 µA @ 800 V		8 a										单相	800 v
DF01S1	0.1900	RFQ	10	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼			标准		4-SDIP	下载					Ear99	8541.10.0080	1,700																1.1 V @ 1 A		3 µA @ 100 V		1 a										单相	100 v
HUF75309D3S	0.2900	RFQ	1	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	1,800			n通道		55 v	19a（tc）		70mohm @ 19a，10v	4V @ 250µA	24 NC @ 20 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	55W（TC）
2N3905TFR	0.0200	RFQ	6136	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	4,373																							40 V	200 ma											-					PNP	400mv @ 5mA，50mA	50 @ 10mA，1V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²