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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
FDMS038Z	0.2700	RFQ	6	Fairchild半导体	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	3,000
FDS9400A	0.5200	RFQ	30	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载				Ear99	8542.39.0001	622			P通道				30 V	3.4a（ta）	4.5V，10V	130MOHM @ 1A，10V	3V @ 250µA	3.5 NC @ 5 V	±25V	205 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
FQU3P20TU	1.0100	RFQ	13	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	70			P通道				200 v	2.4A（TC）	10V	2.7OHM @ 1.2A，10V	5V @ 250µA	8 nc @ 10 V	±30V	250 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），37W（TC）
FDS6900	0.5300	RFQ	296	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		FDS69	MOSFET （金属 o化物）	900MW（TA）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0095	2,500	2 n 通道（双）						30V	6.9a（ta），8.2a（8.2a ta）		30mohm @ 6.9a，10v，22mohm @ 8.2a，10v	3V @ 250µA，3V @ 1mA	11nc @ 5v，17nc @ 5v		771pf @ 15V，1238pf @ 15V	逻辑级别门
FDB6030BL	3.2000	RFQ	82	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	800			n通道				30 V	40a（TC）	4.5V，10V	18mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	17 NC @ 5 V	±20V	1160 pf @ 15 V	-	60W（TC）
FDW2507N	0.5100	RFQ	28	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）		FDW25	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	8-tssop	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）						20V	7.5a		19mohm @ 7.5a，4.5V	1.5V @ 250µA	28nc @ 4.5V		2152pf @ 10V	逻辑级别门
FDS6892A	0.5600	RFQ	66	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		FDS68	MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-SOIC	下载				Ear99	8541.21.0095	1	2 n 通道（双）						20V	7.5a		18mohm @ 7.5a，4.5V	1.5V @ 250µA	17nc @ 4.5V		1333pf @ 10V	逻辑级别门
FDI038AN06A0_NL	3.8100	RFQ	169	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1			n通道				60 V	17a（17a），80A（tc）	6V，10V	3.8mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	124 NC @ 10 V	±20V	6400 PF @ 25 V	-	310W（TC）
KSC1623OMTF	0.0200	RFQ	6865	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				200兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0075	3,000																								50 V	100 ma	100NA（ICBO）			NPN	300mv @ 10mA，100mA	90 @ 1mA，6v	250MHz
BCW68G	0.0500	RFQ	224	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				350兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	3,000																								45 v	800 MA	20NA			PNP	1.5V @ 30mA，300mA	160 @ 100mA，1V	100MHz
FQA7N90	1.4900	RFQ	939	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3			MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	30			n通道				900 v	7.4A（TC）	10V	1.55ohm @ 3.7A，10V	5V @ 250µA	59 NC @ 10 V	±30V	2280 pf @ 25 V	-	198W（TC）
KSB564AYTA	0.0500	RFQ	13	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				800兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0075	2,000																								25 v	1 a	100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 100mA，1a	120 @ 100mA，1V	110MHz
BC550BBU	-	RFQ	2313	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0075	667																								45 v	100 ma	15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V	300MHz
FJN4302RTA	0.0300	RFQ	7488	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		FJN430		300兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	472																								50 V	100 ma	100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	200 MHz	10 kohms	10 kohms
FDU6692	1.2800	RFQ	62	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK			MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	1			n通道				30 V	54A（ta）	4.5V，10V	12mohm @ 14a，10v	3V @ 250µA	25 NC @ 5 V	±16V	2164 pf @ 15 V	-	1.6W（TA）
NDH8302P	0.4400	RFQ	66	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tsop （0.130英寸，3.30mm）		NDH8302	MOSFET （金属 o化物）	800MW（TA）	Supersot™-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）						20V	2A（TA）		130MOHM @ 2A，4.5V	1V @ 250µA	11NC @ 4.5V		515pf @ 10V	-
FDBL9406	-	RFQ	8611	Fairchild半导体	*	大部分	积极的						FDBL940	-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	2,000															-
FFPF20UP20STU	0.4600	RFQ	1	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-2完整包			标准		TO-220F-2L	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）															200 v	1.15 V @ 20 A	45 ns	100 µA @ 200 V	-65°C〜150°C	20a	-
HUF75343S3S	1.1200	RFQ	4055	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	200			n通道				55 v	75A（TC）	10V	9mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	205 NC @ 20 V	±20V	3000 pf @ 25 V	-	270W（TC）
FDZ1827NZ	0.1200	RFQ	20	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-XFBGA，WLCSP		FDZ1827	MOSFET （金属 o化物）	2W（TA）	6-WLCSP（1.3x2.3）	下载				Ear99	8542.39.0001	1	2 n 通道（双）公共排水						20V	10a（10a）		13mohm @ 1A，4.5V	1.2V @ 250µA	24NC @ 10V		2055pf @ 10V	-
IRFW820BTM	0.2700	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	1			n通道				500 v	2.5A（TC）	10V	2.6ohm @ 1.25a，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±30V	610 pf @ 25 V	-	3.13W（TA），49W（tc）
HUFA75321D3ST	0.4200	RFQ	79	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101，Ultrafet™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		HUFA75	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	0000.00.0000	2,500			n通道				55 v	20A（TC）	10V	36mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	44 NC @ 20 V	±20V	680 pf @ 25 V	-	93W（TC）
KST14MTF	0.0300	RFQ	287	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		KST14		350兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	3,000																								30 V	300 MA	100NA（ICBO）			npn-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	20000 @ 100mA，5V	125MHz
BD435S	-	RFQ	9366	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3		BD435		36 W	TO-126-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1																								32 v	4 a	100µA			NPN	500mv @ 200mA，2a	40 @ 10mA，5v	3MHz
HUFA75852G3-F085	3.1200	RFQ	166	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101，Ultrafet™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		HUFA75	MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	不适用	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	1			n通道				150 v	75A（TC）	10V	16mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	480 NC @ 20 V	±20V	7690 pf @ 25 V	-	500W（TC）
FSB32560	32.7700	RFQ	4	Fairchild半导体	motionspm®3	大部分	积极的			通过洞	27-PowerDip 模块（1.205英寸，30.60mm）	IGBT					下载	rohs3符合条件	3（168））	到达受影响	Ear99	8542.39.0001	1	3相逆变器			25 a	600 v	2500vrms
KSH45H11TF	1.0000	RFQ	4431	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		KSH45		1.75 w	D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	0000.00.0000	2,000																								80 V	8 a	10µA			PNP	1V @ 400mA，8a	40 @ 4A，1V	40MHz
MMSZ5239B	1.0000	RFQ	7678	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	SOD-123		MMSZ52		500兆	SOD-123	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000																		900 mv @ 10 ma		3 µA @ 7 V							9.1 v	8欧姆
SSP1N50B	0.3000	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1			n通道				520 v	1.5A（TC）	10V	5.3OHM @ 750mA，10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±30V	340 pf @ 25 V	-	36W（TC）
tip41ctu	-	RFQ	4398	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				2 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1																								100 v	6 a	700µA			NPN	1.5V @ 600mA，6a	30 @ 300mA，4V	3MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²