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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
KSC2330RTA	-	RFQ	1943年	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）				1 w		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0075	2,000																								300 v	100 ma								100NA（ICBO）					NPN	500mv @ 1mA，10mA	40 @ 20mA，10v	50MHz
kse13003th2atu	0.4600	RFQ	900	Fairchild半导体	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				20 w		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	50																								400 v	1.5 a								-					NPN	3V @ 500mA，1.5a	14 @ 500mA，2V	4MHz
FQU3N40TU	0.5300	RFQ	2	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）			我帕克	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	70			n通道		400 v	2A（TC）	10V	3.4OHM @ 1A，10V	5V @ 250µA	7.5 NC @ 10 V	±30V	230 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），30W（tc）
SGS13N60UFDTU	0.5100	RFQ	118	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	SGS13	标准		45 W		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	1,000				300V，6.5a，50ohm，15V															55 ns				-	600 v	13 a	52 a	2.6V @ 15V，6.5a	（85µJ）（在），95µJ（95µJ）中	25 NC	20N/70NS
FGS15N40LTF	0.5100	RFQ	161	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		标准		2 w		8-SOIC	下载	Rohs不合规	Ear99	8541.29.0095	3,000				-																			沟	400 v		130 a	8V @ 4V，130a	-		-
HUFA753093	0.2500	RFQ	13	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	400			n通道		55 v	19a（tc）	10V	70mohm @ 19a，10v	4V @ 250µA	24 NC @ 20 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	55W（TC）
HUF75637S3ST	1.4800	RFQ	1	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	800			n通道		100 v	44A（TC）	10V	30mohm @ 44a，10v	4V @ 250µA	108 NC @ 20 V	±20V	1700 PF @ 25 V	-	155W（TC）
FFPF06U20DNTU	0.3300	RFQ	11	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3完整包			标准			TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1对普通阴极	200 v	6a	1.2 V @ 6 A	35 ns	6 µA @ 200 V	-65°C〜150°C
kbu6j	0.7100	RFQ	5162	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbu			标准			KBU	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.10.0080	84																		1 V @ 6 A		10 µA @ 50 V		6 a									单相	600 v
FGH20N6S2D	0.7600	RFQ	20	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		125 w		TO-247	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	150				390V，7a，25ohm，15V															31 ns				-	600 v	28 a	40 a	2.7V @ 15V，7a	25µJ（在）（58µJ）（OFF）上）	30 NC	7.7NS/87NS
FQPF30N06	0.5300	RFQ	85	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）			TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道		60 V	21a（TC）	10V	40mohm @ 10.5a，10v	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±25V	945 PF @ 25 V	-	39W（TC）
FJPF1943RTU	0.7200	RFQ	621	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				50 W		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0075	50																								230 v	15 a								5µA（ICBO）					PNP	3V @ 800mA，8a	55 @ 1A，5V	30MHz
FDS4935	1.0000	RFQ	6688	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS49		MOSFET （金属 o化物）	2W		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.21.0095	2,500	2（p 通道（双）				30V	7a		23mohm @ 7a，10v	3V @ 250µA	21nc @ 5V		1233pf @ 15V	逻辑级别门
FQI13N06LTU	0.7200	RFQ	2	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）			i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	50			n通道		60 V	13.6A（TC）	5V，10V	110mohm @ 6.8a，10v	2.5V @ 250µA	6.4 NC @ 5 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	3.75W（ta），45W（tc）
FP7G50US60	28.2600	RFQ	2	Fairchild半导体	Power-SPM™	管子	过时的		-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	EPM7				250 w	标准	EPM7	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	11	半桥																						-	600 v	50 a		2.8V @ 15V，50a						250 µA	不			2.92 NF @ 30 V
FQP32N12V2	0.5900	RFQ	1	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道		120 v	32A（TC）	10V	50mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±30V	1860 pf @ 25 V	-	150W（TC）
NDH8304P	0.7000	RFQ	78	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tsop （0.130英寸，3.30mm）	NDH8304		MOSFET （金属 o化物）	800MW		Supersot™-8	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）				20V	2.7a		70MOHM @ 2.7a，4.5V	1V @ 250µA	23nc @ 4.5V		865pf @ 10V	逻辑级别门
MBRA3045NTU	-	RFQ	4216	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-3P-3，SC-65-3			肖特基			to-3p	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.10.0080	760		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1对普通阴极	45 v	30a	800 mv @ 30 a		1 mA @ 45 V	-65°C〜150°C
FDB3672	1.9100	RFQ	160	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	800			n通道		100 v	7.2A（ta），44A（tc）	6V，10V	28mohm @ 44a，10v	4V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±20V	1710 PF @ 25 V	-	120W（TC）
HUF75329D3S	0.9600	RFQ	4	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	1,800			n通道		55 v	20A（TC）	10V	26mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	65 NC @ 20 V	±20V	1060 pf @ 25 V	-	128W（TC）
FJN3303BU	-	RFQ	6963	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				1.1 w		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	1,000																								400 v	1.5 a								10µA（ICBO）					NPN	3V @ 500mA，1.5a	14 @ 500mA，2V	4MHz
kbu4b	1.0000	RFQ	4810	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbu			标准			KBU	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.10.0080	200																		1 V @ 4 A		5 µA @ 50 V		4 a									单相	100 v
1n961b	3.0600	RFQ	62	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆		DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.10.0050	99																				10 µA @ 7.6 V															10 v	8.5欧姆
FLZ15VC	1.0000	RFQ	2814	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80				500兆		SOD-80	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.10.0050	2,500																		1.2 V @ 200 ma		133 na @ 11 V															14.7 v	13.3欧姆
1N5985B	2.0000	RFQ	53	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆		DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.10.0050	163																		1.2 V @ 200 ma		100 µA @ 1 V															2.4 v	100欧姆
KSD1616ALBU	0.0700	RFQ	490	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				750兆w		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.21.0075	10,000																								60 V	1 a								100NA（ICBO）					NPN	300mv @ 50mA，1a	300 @ 100mA，2V	160MHz
FLZ30VA	0.0200	RFQ	36	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80				500兆		SOD-80	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.10.0050	2,500																		1.2 V @ 200 ma		133 na @ 23 V															27.7 v	46欧姆
NDC632P	1.0000	RFQ	2348	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6			MOSFET （金属 o化物）			SuperSot™-6	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道		20 v	2.7a（ta）	2.7V，4.5V	140MOHM @ 2.7A，4.5V	1V @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	-8V	550 pf @ 10 V	-	1.6W（TA）
2N4400TF	0.0200	RFQ	20	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				625兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.21.0095	2,000																								40 V	600 MA								-					NPN	750mv @ 50mA，500mA	50 @ 150mA，1V	-
NDH832P	0.3700	RFQ	73	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tsop （0.130英寸，3.30mm）			MOSFET （金属 o化物）			Supersot™-8	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道		20 v	4.2A（ta）	2.7V，4.5V	60mohm @ 4.2A，4.5V	1V @ 250µA	30 NC @ 4.5 V	-8V	1000 pf @ 10 V	-	1.8W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²